1
(21)3835874/31-24
(22)04.01.85
(46) 15.04.90. Бюл. № 14
(71)Уральский государственный университет им. А.М.Горького
(72)В.Я.Шур, Н.В.Коровина и А.Л.Груверман
(53)681.327(088.8)
(56)ФТТ, 1977, т.19, № 8, с.1238 - 1244.
J. of Appl. Plys, 41, № 6, 1970, p.2321-2325.
(54)СПОСОБ ОБНАРУЖЕНИЯ ДЕФЕКТОВ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО НОСИТЕЛЯ ИНФОРМАЦИИ
(57)Изобретение относится к вычислительной технике и может быть ис- пользовано для контроля однородности сегнетоэлектрических пластин при изготовлении носителей информации. Цель изобретения - повышение достоверности способа. Способ основан на регистрации формы интерференционных полос прошедшего через монодоменизированную сегнетоэлектри- ческую пластину монохроматического излучения до и после переполяризации сегнетоэлектрика и идентификации дефектов с деформацией формы интерференционных полос, что позволяет выявить дефекты сегнетоэлектрика различной физической природы. 2 ил.
§
| название | год | авторы | номер документа |
|---|---|---|---|
| СПОСОБ ПОВЫШЕНИЯ УСТОЙЧИВОСТИ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПЛЕНКИ К МНОГОКРАТНЫМ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯМ | 2013 |
|
RU2529823C1 |
| СПОСОБ ВОЗБУЖДЕНИЯ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ АНТЕННЫ И ЕЕ УСТРОЙСТВО | 2004 |
|
RU2264005C1 |
| ОПТИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ | 1982 |
|
SU1134020A1 |
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ МОНОКРИСТАЛЛОВ С ПОЛИДОМЕННОЙ СТРУКТУРОЙ ДЛЯ УСТРОЙСТВ ТОЧНОГО ПОЗИЦИОНИРОВАНИЯ | 2003 |
|
RU2233354C1 |
| ДАТЧИК ГАЗОВОГО АНАЛИЗА И СИСТЕМА ГАЗОВОГО АНАЛИЗА С ЕГО ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ | 2010 |
|
RU2413210C1 |
| Способ и устройство для определения температуры сегнетоэлектрического перехода | 1975 |
|
SU585431A1 |
| Устройство для измерения распределения температуры поверхности | 1979 |
|
SU789691A1 |
| Сегнетоэлектрический элемент памяти и сумматор | 2017 |
|
RU2668716C2 |
| СПОСОБ СОЗДАНИЯ ОПТИЧЕСКОЙ ПАМЯТИ | 1997 |
|
RU2121174C1 |
| Способ измерения температуры среды | 1979 |
|
SU834410A1 |
Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано для контроля однородности сегнетоэлектрических пластин при изготовлении носителей информации. Цель изобретения - повышение достоверности способа. Способ основан на регистрации формы интерференционных полос прошедшего через монодоменизированную сегнетоэлектрическую пластину монохраматического излучения до и после переполяризации сегнетоэлектрика и идентификации дефектов с деформацией формы интерференционных полос, что позволяет выявить дефекты сегнетоэлектрика различной физической природы. 2 ил.
Изобретение относится к вычислительной технике и может быть испопь- зовано дл я контроля однородности сегнетоэлектрических пластин при изготовлении носителей информации на их основе.
Цель изобретения - повышение достоверности способа обнаружения дефектов сегнетоэлектрического носителя информации.
На фиг.1 и 2 приведены графики. Физическая сущность способа основана на том, что при монодоменизации сегнетоэлектрической пластины вблизи областей, имеющих дефекты электрической природы, возникают объемные заряды, создающие при переключении поляризации связанные внутренние поля,вызывающие, в свою очередь, локальные изменения двулучепреломления и, как следствие, деформацию интерференционных полос прошедшего через носитель монохроматического излучения.
Монодоменизацию пластины осуществляют электрическим полем с напряженностью, достаточной для переключения поляризации во всем объеме, после чего регистрируют форму и положение интерференционных полос. Затем к пластине прикладывают электрическое поле противоположного направления и повторно регистрируют форму и положение полос. Деформация полос свидетельствует о наличии дефектов в исследуемом объеме сегнетоэлектрика .
Предложенный способ обладает боль шей достоверностью по сравнению с известными, так как позволяет выявСП СП
sl
СП 00 -к|
пять дефекты носителя информации различной природы..
Формула изобретения
Способ обнаружения дефектов сег- нетоэлектрического носителя информации, включающий регистрацию формы интерференционных полос прошедшего через монодоменизированную сегнето- электрическую пластину монохроматит
ческого излучения, отличающийся тем, что, с целью повышения его достоверности, монодоменизированную сегнетоэлектрическую пластину переполяризуют, а наличие дефектов идентифицируют с деформацией формы интерференционных полос прошедшего через пластину монохроматического излучения до и после перепо- ляризации.
1,мм
Д АГ/CAf
т т
т
Д I Л А
;
i г,мм
