Шихта сегнетокерамического материала для конденсаторов Советский патент 1990 года по МПК C04B35/468 H01G4/12 

Изобретение относится к материалам радиоэлектронной техники и может быть использовано в производстве многослойных монолитных керамических конденсаторов.

Цель изобретения - снижение диэлектрических потерь и повышение темпет ратурной стабильности диэлектрической проницаемости материала.

Материал приготавливается по обычной керамической технологии: сухой помол в вибромельнице с резиновой футеровкой и стальными шарами в течение 2-4 ч до удельной поверхности не менее 5500 см /г, Загрузку компонентов проводят согласно указанному соотношению компонентов. В полученную массу вводят связку (поливиниловый спирт в количестве 8%) и методом прессования изготавливают образцы в виде дисков

для испытаний. Образцы обжигают в интервале температур 1320-1380 С, затем наносят электрод методом вжигания серебряной пасты при 800 С и измеряют электрические характеристики.

Составы шихты приведены в табл. 1} характеристики материала, полученного из указанных составов, - в табл. 2.

Формула изобретения

Шихта сегнетокерамического материала для конденсаторов, включающая BaTi03 , CaZr03, ZnO, Nd703, и МпСОз, отличающаяся тем, что, с целью снижения диэлектрических потерь и повышения температурной стабильности диэлектрической проницаемости материала, она содержит дополнительно YaO з при следующем соотношении компонентов, мас.%:

сд

00 ОЭ

00

со оэ

88,00-89,90 7,50-7,90 1,40-1,65 0,80-1,40

0,30-0,60 0,05-0,15 0,05-0,30

Изобретение относится к материалам радиоэлектронной техники и может быть использовано в производстве многослойных монолитных керамических конденсаторов. Для снижения диэлектрических потерь и повышения температурной стабильности диэлектрической проницаемости материала шихта сегнетокерамического материала для конденсаторов содержит дополнительно Y 2O 3 при следующем соотношении компонентов, мас.%: BATIO 3 88,00-89,90

CAZRO 3 7,50-7,90

ZNO 1,40-1,65

ND 2O 3 0,80-1,40

NB 2O 5 0,30-0,60

MNCO 3 0,05-0,15 и Y 2O 3 0,05-0,30. Полученный из указанной шихты материал имеет следующие характеристики: ε 20 9000-14000

Δε/ε в интервале температур (-60...+85)°С - 48...-84%

TGδ 0,0021-0,0048. 2 табл.

Компоненты Содержание, мае.%, в составе шихты :-г

1 3

BaTiC-з89,98888,9

CaZr037,57,97,8

Nd203 0,81,41,2

NbjO.r0,30,60, 4

ZnO1,41,651,5

МпО)э0,050,150,1

Y2030,050,3 0,1

Таблица 2

ХарактеристикиПоказатели для состава

123 I известного

Диэлектрическая проницаемость Е при 20°С 13100-14000 9000-9500 12000-13400 10000-14000 Относительное изменение диэлектрической проницаемости /эЈ/Ј в интервале температур (-60)-(+85)°С, % -74-84 -48-71 -68-80 -95-75 Тангенс угла диэлектрических потерь Ю1 . 0,35-0,48 0,21-0,26 0,30-0,45 0,50-0,75

Таблица 1