Шихта для изготовления сегнетокерамического конденсаторного материала Советский патент 1986 года по МПК C04B35/468 

. ,12

Изобретение относится к радиоэлектронной технике, в частности к технологии керамических диэлектриков, и может быть использовано для изготовления низкочастотных керамических конденсаторов.

Цель изобретения повышение - стабильности значений .емкости в интервале температур от - 60 до +125 С и повьппение удельного сопротивления керамики.

Предлагаемую шихту сегнетокерами- ческого конденсаторного материала получают следующим образом.

Предварительно известным в керами- ческом производстве образом изготавливают BaTiOj, которые синтезируют при 1200-1300 С и измельчают до удельной поверхности 4000-5000 . Затем полученные в отдельности BaTiOj и CaZrOj смешивают в требуемом соотношении и обжигают при 1400 С в течение 2 ч. К полученной таким образом смеси добавляют в требуемом соотношеНИИ NbjO.-, МпСОз

ОУгОз. РГеО-,

IbjOj, смешивают и измельчают до удельной поверхности 5000-7000 . Полученную шихту сегнетокерамическо- го материала используют для изготовления диэлектрика конденсаторов, заготовки которых обжигают при 1340- в течение 2 ч. При этом сег- нетокерамический материал имеет диэлектрическую проницаемость с 29303100, диэлектрические потери к10 0,6-0,9 и изменение емкости в

Редактор К. Волощук

Составитель В, Соколова

Техред Л.Олейник Корректор А. Тяско

Заказ 3769/25Тираж 640 . Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР

по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-35, Раушская наб.,, д. 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4

29 I ,

интервале рабочих температур от -60

не более +15%. .

до +1254

С

Ниже приведены составы предлагаемой шихты, мас.%:

Состав Состав Состав

Свойства сегнетокерамического конденсаторного материала из предлагаемой шихты подтверждаются результатами испытаний и приведены в таблице .