СПОСОБ ОСАЖДЕНИЯ ЛЕГИРОВАННЫХ ПЛЕНОК ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ Советский патент 2012 года по МПК H01L21/205

Похожие патенты SU1588202A1

название	год	авторы	номер документа
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ СЛОЕВ ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ	2000	Манжа Н.М.	RU2191847C2
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПЛЕНОК АМОРФНОГО КРЕМНИЯ, СОДЕРЖАЩЕГО НАНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ ВКЛЮЧЕНИЯ	2012	Кашкаров Павел Константинович Казанский Андрей Георгиевич Форш Павел Анатольевич Жигунов Денис Михайлович	RU2536775C2
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МОП-СТРУКТУР	1989	Домород А.А. Крищенко А.П. Петрашкевич В.Ф. Плотников В.Н. Румак Н.В. Хатько В.В. Ясников В.Е.	SU1575841A1
Способ осаждения полупроводникового кремния	1990	Бочкарев Эллин Петрович Иванов Леонард Степанович Ровенский Даниил Яковлевич	SU1782936A1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КМОП ТРАНЗИСТОРОВ С ПРИПОДНЯТЫМИ ЭЛЕКТРОДАМИ	2006	Манжа Николай Михайлович Сауров Александр Николаевич	RU2329566C1
Способ осаждения легированных пленок поликристаллического кремния	1991	Турцевич А.С. Красницкий В.Я. Козлов А.Л. Лесникова В.П. Наливайко О.Ю. Кастрицкий Л.В.	SU1780461A1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ С БОКОВОЙ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ	1982	Манжа Н.М. Патюков С.И. Шурчков И.О. Казуров Б.И. Попов А.А. Кокин В.Н.	SU1060066A1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА	2007	Сауров Александр Николаевич Манжа Николай Михайлович	RU2351036C1
Способ получения локально легированной кремниевой плёнки с заданными характеристиками для устройств микроэлектроники	2023	Марголин Илья Григорьевич Коростылёв Евгений Владимирович Чуприк Анастасия Александровна	RU2817080C1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТРЕХМЕРНОГО ФОТОННОГО КРИСТАЛЛА НА ОСНОВЕ ПЛЕНКИ ОПАЛА С КРЕМНИЕМ	2009	Курдюков Дмитрий Александрович Голубев Валерий Григорьевич	RU2421551C1

Реферат патента 2012 года СПОСОБ ОСАЖДЕНИЯ ЛЕГИРОВАННЫХ ПЛЕНОК ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ

Способ осаждения легированных пленок поликристаллического кремния, включающий осаждение на кремниевую подложку слоя аморфного кремния при 560-580°С при давлении 33,7-66,5 Па из парогазовой смеси, содержащей моносилан и фосфин при соотношении ингредиентов в смеси 0,0008-0,007, и последующую термообработку в среде азота и кислорода при 850-1000°С, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества осаждаемой пленки путем снижения уровня механических напряжений, перед осаждением аморфного слоя на подложку наносят подслой поликристаллического кремния толщиной 10-50 нм при температуре осаждения аморфного слоя пиролитическим разложением моносилана при давлении не более 13,3 Па.

SU 1 588 202 A1

Авторы

Турцевич А.С.

Красницкий В.Я.

Шкут А.М.

Лесникова В.П.

Семенов Л.Г.

Даты

2012-03-20—Публикация

1989-01-13—Подача