название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
СПОСОБ ОСАЖДЕНИЯ ЛЕГИРОВАННЫХ ПЛЕНОК ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ | 1989 |
|
SU1588202A1 |
СПОСОБ ОСАЖДЕНИЯ ПЛЕНОК ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ НА ПОЛУПРОВОДНИКОВУЮ ПОДЛОЖКУ | 1987 |
|
SU1484193A1 |
СПОСОБ ОСАЖДЕНИЯ ПЛЕНОК ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ | 1988 |
|
SU1584641A1 |
Способ формирования пленки нитрида кремния | 1990 |
|
SU1718302A1 |
СПОСОБ ОСАЖДЕНИЯ ПЛЕНОК ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ | 1989 |
|
SU1597019A1 |
Способ осаждения пленок поликристаллического кремния | 1988 |
|
SU1568798A1 |
Способ осаждения тонкопленочных структур электронной техники | 1991 |
|
SU1799402A3 |
Способ получения пленок поликристаллического кремния | 1979 |
|
SU845680A1 |
Способ формирования межслойной изоляции в производстве интегральных микросхем | 1990 |
|
SU1711269A1 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПЛЕНОК ДВУОКИСИ КРЕМНИЯ | 1988 |
|
RU2061095C1 |
Способ осаждения легированных пленок поликристаллического кремния, включающий осаждение на кремниевую подложку подслоя поликристаллического кремния толщиной 10-50 нм при 560-580°С пиролитическим разложением моносилана при давлении не более 13,3 Па, доращивание слоя кремния при температуре осаждения подслоя при пониженном давлении из парогазовой смеси, содержащей фосфин и моносилан при соотношении ингредиентов 0,0008-0,0035, и последующую термообработку в среде азота и кислорода при 850-1000°С, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности процесса при одновременном снижении удельного сопротивления пленок путем ускорения осаждения и улучшения структуры пленки, доращивание слоя кремния проводят из парогазовой смеси, дополнительно содержащей водород, при давлении 70-180 Па и суммарном парциальном давлении фосфина и моносилана не более 66,5 Па, после чего прекращают подачу фосфина и водорода и проводят обработку осажденной пленки в моносилане 1-5 мин при давлении 26,6-66,5 Па при температуре осаждения подслоя.
Авторы
Даты
2008-01-20—Публикация
1991-01-22—Подача