Способ осаждения легированных пленок поликристаллического кремния Советский патент 2008 года по МПК H01L21/316 

Похожие патенты SU1780461A1

название год авторы номер документа
СПОСОБ ОСАЖДЕНИЯ ЛЕГИРОВАННЫХ ПЛЕНОК ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ 1989
  • Турцевич А.С.
  • Красницкий В.Я.
  • Шкут А.М.
  • Лесникова В.П.
  • Семенов Л.Г.
SU1588202A1
СПОСОБ ОСАЖДЕНИЯ ПЛЕНОК ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ НА ПОЛУПРОВОДНИКОВУЮ ПОДЛОЖКУ 1987
  • Турцевич А.С.
  • Красницкий В.Я.
  • Шкут А.М.
  • Крищенко А.П.
  • Лесникова В.П.
SU1484193A1
СПОСОБ ОСАЖДЕНИЯ ПЛЕНОК ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ 1988
  • Турцевич А.С.
  • Красницкий В.Я.
  • Лесникова В.П.
  • Кабаков М.М.
  • Гранько В.И.
SU1584641A1
Способ формирования пленки нитрида кремния 1990
  • Турцевич Аркадий Степанович
  • Красницкий Василий Яковлевич
  • Петрашкевич Валерий Францевич
  • Химко Георгий Антонович
  • Корешков Геннадий Анатольевич
  • Сарычев Олег Эрнестович
SU1718302A1
СПОСОБ ОСАЖДЕНИЯ ПЛЕНОК ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ 1989
  • Турцевич А.С.
  • Лесникова В.П.
  • Гранько В.И.
  • Семенов Л.Г.
SU1597019A1
Способ осаждения пленок поликристаллического кремния 1988
  • Турцевич А.С.
  • Красницкий В.Я.
  • Лесникова В.П.
SU1568798A1
Способ осаждения тонкопленочных структур электронной техники 1991
  • Олтушец Николай Петрович
  • Харитончик Евгений Сергеевич
  • Яцук Анатолий Васильевич
  • Волынчиков Владимир Васильевич
  • Ковалевский Александр Адамович
  • Згурский Григорий Павлович
  • Дереченик Александр Леонардович
SU1799402A3
Способ получения пленок поликристаллического кремния 1979
  • Сухов М.С.
  • Гридчина Е.П.
SU845680A1
Способ формирования межслойной изоляции в производстве интегральных микросхем 1990
  • Ковалевский Александр Адамович
SU1711269A1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПЛЕНОК ДВУОКИСИ КРЕМНИЯ 1988
  • Кочубей В.Ф.
  • Сенюта Т.Б.
  • Гутор И.М.
  • Аврустимов В.Л.
  • Бирковый Ю.Л.
  • Токарчук В.П.
  • Гуменяк М.В.
  • Маскович С.Н.
RU2061095C1

Реферат патента 2008 года Способ осаждения легированных пленок поликристаллического кремния

Способ осаждения легированных пленок поликристаллического кремния, включающий осаждение на кремниевую подложку подслоя поликристаллического кремния толщиной 10-50 нм при 560-580°С пиролитическим разложением моносилана при давлении не более 13,3 Па, доращивание слоя кремния при температуре осаждения подслоя при пониженном давлении из парогазовой смеси, содержащей фосфин и моносилан при соотношении ингредиентов 0,0008-0,0035, и последующую термообработку в среде азота и кислорода при 850-1000°С, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности процесса при одновременном снижении удельного сопротивления пленок путем ускорения осаждения и улучшения структуры пленки, доращивание слоя кремния проводят из парогазовой смеси, дополнительно содержащей водород, при давлении 70-180 Па и суммарном парциальном давлении фосфина и моносилана не более 66,5 Па, после чего прекращают подачу фосфина и водорода и проводят обработку осажденной пленки в моносилане 1-5 мин при давлении 26,6-66,5 Па при температуре осаждения подслоя.

SU 1 780 461 A1

Авторы

Турцевич А.С.

Красницкий В.Я.

Козлов А.Л.

Лесникова В.П.

Наливайко О.Ю.

Кастрицкий Л.В.

Даты

2008-01-20Публикация

1991-01-22Подача