Способ осаждения легированных пленок поликристаллического кремния Советский патент 2008 года по МПК H01L21/316 

Способ осаждения легированных пленок поликристаллического кремния, включающий осаждение на кремниевую подложку подслоя поликристаллического кремния толщиной 10-50 нм при 560-580°С пиролитическим разложением моносилана при давлении не более 13,3 Па, доращивание слоя кремния при температуре осаждения подслоя при пониженном давлении из парогазовой смеси, содержащей фосфин и моносилан при соотношении ингредиентов 0,0008-0,0035, и последующую термообработку в среде азота и кислорода при 850-1000°С, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности процесса при одновременном снижении удельного сопротивления пленок путем ускорения осаждения и улучшения структуры пленки, доращивание слоя кремния проводят из парогазовой смеси, дополнительно содержащей водород, при давлении 70-180 Па и суммарном парциальном давлении фосфина и моносилана не более 66,5 Па, после чего прекращают подачу фосфина и водорода и проводят обработку осажденной пленки в моносилане 1-5 мин при давлении 26,6-66,5 Па при температуре осаждения подслоя.