Способ исследования микроструктуры поверхности Советский патент 1990 года по МПК G01N15/08 

Изобретение относится к электронной и электровакуумной технике, а именно к электрофизическим приборам и установкам, где используются пленочные покрытия, пористость которых- влияет на их работу, а также к технике получения пористых материалов.

Цель изобретения - расширение информативности путем количественной оценки степени микропористости.

На фиг.1 изображена типичная вольт-амперная характеристика газового разряда, зажигающегося в микропорах поверхности (она состоит из линейного участка а и экспоненциального участка в); на фиг.2 - схе- ма для осуществления предлагаемого

способа; на фиг.З - вольт-амперная характеристика для фольги с пористостью 80-85% (график 1) и исследуемой фольги (график 2).

Способ осуществляют при помощи установки, изображенной следующим образом.

К исследуемой поверхности 1, пористость которой исследуется, подводится измерительный электрод 2. Исследуемую поверхность подключают к отрицательному полюсу источника 3 через измерительный прибор 4, а измерительный электрод 2 - к положительному полюсу. Создают условия одинакового газонасыщения эталонного образца и исследуемой поверхности. Между посд

(Х

Од

верхностью 1 и электродом 2 создает- ся высокий вакуум. Измеряют токи :через вакуумный промежуток в зависи- мости-от прикладываемого напряжения. По этим результатам строят вольт- амперные характеристики для исследуемой поверхности и эталонного образца. В качестве эталонного образца и исследуемой поверхности бьши выбраны Q никелевые порошковые фольги размером 30мм, причем пористость эталонной :фольги была предварительно определе- ;На другими методами и составляла 80- ; 85%. Измерительный электрод диаметром ir 10 мм устанавливался на расстоянии :1,6 мм от фольги. Измерения токов цдя обеих фольг проводилось через {одно и то же время после откачки от Iатмосферного давления, что обеспечи- п |вало равную газонасьпценность микро- |пор поверхности. В момент измерения (токов вакуум бьш 5 Па. I Па фиг.З показаны вольт-амперные харак теристки для фольги с порис- 25 |тостью 80-85% (график 1) и для исследуемой фольги (график 2). Измерялось :отношение токов на линейном участке а при напряжении 12 кВ. Принимая фольгу с Kj 80-85% пористостью за ;эталонный образец, определяли порис- ;тость исследуемой поверхности другой фольги. Степень микропористости фольги К равна

При исследовании микроструктуры поверхности полупроводниковых и диэлектрических материалов поверхности нагревают до температур возникновения газового разряда в микропорах поверхности перед измерением токов разряда. Формула изобретения

Способ исследования микроструктур поверхности, заключающийся в том, что контролируемую поверхность, пред варительно насыщенную неинертным газом, помещают в вакуум напротив изме рительного электрода, подключенного к положительному полюсу источника постоянного напряжения, измеряют ток при фиксированном промежутке между контролируемой поверхностью и измерительным электродом, отличаю щийся тем, что, с целью расщи- рения информативности путем количест венной оценки степени микропористости поверхности, в вакуумный объем вводят эталонный электрод, располагаемый на таком же расстоянии от измерительного электрода, что и контролируемый электрод, подают на- пряжение, равное напряжению зажигания разряда эталонного и контролируемого образцов, измеряют зависимость тока этого разряда от напряжения, а о степени микропористости К

I

э 1 4 о . () 35 судят по отношению К -- К-, где

LJ Э

Кр - степень микропористости поверх 30-32%.

Проверочное измерение пористости исследуемого образца была проведена с помощью электронного микроскопа, ко- 40 торое показсШо те же результаты, т.е. К 30-35%.

ности эталонного образца в %, I , I - токи разр.яда с э.талонного и контролируемого электродов при посто ян- ном напряжении на линейном участке вольт-амперной характеристики.

При исследовании микроструктуры поверхности полупроводниковых и диэлектрических материалов поверхности нагревают до температур возникновения газового разряда в микропорах поверхности перед измерением токов разряда. Формула изобретения

Способ исследования микроструктур поверхности, заключающийся в том, что контролируемую поверхность, предварительно насыщенную неинертным газом, помещают в вакуум напротив измерительного электрода, подключенного к положительному полюсу источника постоянного напряжения, измеряют ток при фиксированном промежутке между контролируемой поверхностью и измерительным электродом, отличающийся тем, что, с целью расщи- рения информативности путем количественной оценки степени микропористости поверхности, в вакуумный объем вводят эталонный электрод, располагаемый на таком же расстоянии от измерительного электрода, что и контролируемый электрод, подают на- пряжение, равное напряжению зажигания разряда эталонного и контролируемого образцов, измеряют зависимость тока этого разряда от напряжения, а о степени микропористости К

I

судят по отношению К -- К-, где

Кр - степень микропористости поверхности эталонного образца в %, I , I - токи разр.яда с э.талонного и контролируемого электродов при посто ян- ном напряжении на линейном участке вольт-амперной характеристики.

Изобретение относится к электронной технике, к электрофизическим приборам и установкам, где используются пленочные покрытия, пористость которых влияет на их работу, а также к технике получения пористых материалов. Целью изобретения является расширение информативности путем количественной оценки степени пористости. Эта цель достигается тем, что в качестве параметра измеряют ток газового разряда зажигающийся в микропорах поверхности, насыщенной газом и находящейся в вакууме. О величине пористости судят по отношению токов через вакуумный промежуток на измерительный электрод с исследуемой поверхности к току эталонного образца, умноженному на пористость эталонного образца. При этом диэлектрические и полупроводниковые образцы нагревают до температур зажигания газового разряда в микропорах. 3 ил.

0.5

Фиг. 2

Фиг.з

30 0 50