Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано во внешних запоминающих устройствах ЭВМ.
Цель изобретения - повьпление эксплуатационных характеристик за счет расширения температурного диапазона функционирования ма,гнитооптического носителя информации.
Полученная магнитная пленка имеет температуру Кюри 280 С, Измерен п,1Й при комнатной температуре фактор качества Q
К4
i.--- где КА - константа анизотропии, равен 3,2, что свидетельствует о наличии в пленке одноосной перпендикулярной анизотропии.
Угол фарадеевского вращения б«,. практически постоянен в диапазоне температур О - 250°С и равен v-2,3°.
Высокую одноосную анизотропию, перпендикулярную к плоскости пленки, и высокую температурную стабильность обеспечивают ионы Sm и Bi. Большое . фарадеевское вращение обеспечивают ионы Bi. Многократный нагрев до тем- . пературы Кюри с переориентацией доменной структуры в гфисутствии магнитного поля (25 циклов) показал, что магнитная пленка не теряет своих свойств и обладает высоким фарадеевс- ким вращением в диапазоне температур от -40 до 250°С при температуре записи 280 , что позволяет обеспечить высокое отношение сигнал/шум. Применение в качестве подложки многокристаллического гадолинийгаллиезого граната обусловлено тем, что он имеет высокую температуру кристаллизации,, высокую однородность роста аморфной пленки на нем и отсутствие значительных упругих напряжений.
(Л
с
сд
00
со
00
ее
Пример, Нанесение на подложку GdjGayO i магнитного слоя Sm,, Fe,,, Bi7,o производят методом ноннопла зменного напыления в среде арт гона при рабочем давлении (5-8) 10 торр при ускорякнцем напряжении 3 кВ и токе распыления 2 А. Скорость конденсации составляет 10 мкм/ч, температура охлаждаемой подложки , а расстояние мишень-подложка 150 мм, Толг щина напыленной пленки составляет , 80 нм. Спиральные дорожки на рабочий слой формируют следующим образом: наносят слой фоторезиста, экспонируют рисунок с шагом 1,5 мкм и шириной 0,8 мкм, проявляют и затем через маску фоторезиста производят ионно-плаз- менное травление ионами аргона с энергией 500 эВ. Глубина протравленной канавки АО нм. Так как пленку протравливают/при низких давлениях аргона, то даже не покрытая защитой она не окисляется. Запись и воспроизводство осуществляют лазером при раз
ных мощностях лазерного луча на длине волны 0,63 мкм. Температура записи 280 С при внешнем магнитном поле 150 Э, Отношение сигнал/шум при воспроизведении на основе эффекта Фарадея 60 дБ,
Формула изобретения Магнитооптический носитель информации, содержащий рабочий слой в виде аморфной магнитной пленки, напыленный на основу, отличающийся тем, что, с целью повышения эксплуатационных характеристик за , счет расширения температурного диапазона, рабочий слой выполнен в виде аморфной магнитной пленки состава, ат.%:
Bi7,0
Fe49,1
SmОстальное
а в качестве основы используют монокристаллический гадолинийгаплиевый гранат ,
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
МАГНИТООПТИЧЕСКАЯ ТОНКОПЛЕНОЧНАЯ СТРУКТУРА | 1996 |
|
RU2138069C1 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ НАНОРАЗМЕРНЫХ ПЛЕНОК Bi-СОДЕРЖАЩИХ ФЕРРИТОВ-ГРАНАТОВ | 2013 |
|
RU2532185C1 |
МАГНИТООПТИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ | 1993 |
|
RU2098856C1 |
МАГНИТООПТИЧЕСКИЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ, СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МАГНИТООПТИЧЕСКОГО ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ И СПОСОБ ВИЗУАЛИЗАЦИИ НЕОДНОРОДНОГО МАГНИТНОГО ПОЛЯ | 2009 |
|
RU2399939C1 |
МАГНИТООПТИЧЕСКИЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ, СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ ПЛЕНКИ, СПОСОБ ВИЗУАЛИЗАЦИИ НЕОДНОРОДНОГО МАГНИТНОГО ПОЛЯ (ВАРИАНТЫ) И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ | 1999 |
|
RU2168193C2 |
МАГНИТООПТИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ | 2012 |
|
RU2522594C1 |
МАГНИТООПТИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ | 2009 |
|
RU2431205C2 |
Носитель информации | 1988 |
|
SU1541673A1 |
МАГНИТООПТИЧЕСКАЯ СТРУКТУРА | 1988 |
|
SU1642869A1 |
ТЕРМОМАГНИТООПТИЧЕСКИЙ СПОСОБ ЗАПИСИ ИНФОРМАЦИИ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО РЕАЛИЗАЦИИ | 2009 |
|
RU2428751C2 |
Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано во внешних запоминающих устройствах ЭВМ. Цель изобретения - повышение эксплуатационных характеристик за счет расширения температурного диапазона функционирования магнитооптического носителя информации. Рабочий слой носителя информации выполнен в виде аморфной магнитной пленки состава SM 43,9 FE 49,1 BI 7,0, нанесенной на основу монокристаллического гадолиний-галлиевого граната GB 3GA 5O 12. Отношение сигнал/шум при вопроизведении составляет 60 дБ. 1 ил.
J | |||
Appl | |||
Phys, 1979, V.50, №lI, p.7471-7475. |
Авторы
Даты
1990-08-30—Публикация
1988-05-23—Подача