Способ выращивания эпитаксиальных пленок феррит-гранатов Советский патент 1990 года по МПК C30B19/04 C30B29/28 

Изобретение относится к технологии микроэлектронного приборостроения и может быть использовано при производстве носителей информации для домен- ньк и магнитооптических устройств обработки и запоминания информации.

Целью изобретения является увеличение скорости движения доменных сте- .нок в пленках.

Пример, Пленки выращивают на установке УЭР-3. Гранатообразующие оксиды и растворитель общим весом 200 г, взятые в необходимых пропорциях, загружают в тигель диаметром 40 мм, помещают в печь установки, нагревают до 1050-1100 с и гомогенизируют полученньй раствор-расплав в течение 2-6 ч. После этого температуру снижают до значения Тр 865-900 0. В Фасплав помещают подложку из гадоли- ний-галлиевого граната с ориентацией

(111) диаметром 20 мм, предварительно прогретую до той же температуры. Подложку приводят во вращение со скоростью 120-180 об/мин„ Наращивание пленок проводят в течение 1-30 мин,

после чего подложку извлекают из раствора-расплава, приводят ее в ускоренное вращение для стряхивания капель раствора-расплава и охлаждают,

Параметры пленок скорость движе;НИН доменных стенок, коэффициент оптического поглощения пленок, выращенных при разных составах раствора-расплава и температуре роста, даны в таблице,

. Использование предлагаемого способа обеспечивает по сравнению с известным повышение скорости доменных стенок в пленках на 1-2 порядка, что приводит к повьшению быстродействия магнитного материала - носителя информа(Л

с

СП

со

4

ции за счет, например, снижения времени переключения ячеек магнитооптического управляемого транспаранта, по- вьшения частоты работы запоминаняцик

устройств и т„До

Фо-рмула иэобрет ения

1. Способ выращивания эпитаксиадьных пленок феррит-гранатов на поцпож- i ке из гадолиний-галлиевого граната из переохлажденного раствора-расплава, содержащего компоненты , , ,, и , о т л и - чающийся тем что, с целью увеличения скорости движения доменных стенок в пленках, соотношение компонентов берут равным, мол.%:

1m ,0

11,36-11,93 1,30-1,61 1,67-1,96

NajCOa1,56-1,82

Bi,0 Остальное

a вьфащивание ведут при 865-900 С

2о Способ по п„ 1, отличающийся тем, что, с целью повышен прозрачности пленок, в раствор-расплав дополнительно вводят СаО при сдующем соотношении компонентов, мол Fe.Oa11,36-11,93

,42-1,59

,67-1,91

Na.CO.1,60-1,80

СаО0 21-0,52

Bi,j03Остальное

а вьфащивание ведут при 870-900°С.

Изобретение относится к технологии электронного приборостроения и может быть использовано при производстве носителей информации для запоминающих устройств. Цель изобретения - увеличение скорости движения доменных стенок в пленках. Пленки выращивают на подложку из гадолиний-граната из переохлажденного раствора-расплава, содержащего BI₂O₃, TM₂O₃, FE₂O₃, GA₂O₃, NA₂CO₃ и CAO, при 865-900*С. Значение скорости движения доменных стенок в пленках увеличено по сравнению с прототипом на 1-2 порядка. 1 з.п.ф-лы, 1 табл.

Скорость доменных стенок при действукщем магнитном попе Н 350 Э, Скорость доменных стенок при действующем магнитном поле Н 250 3,

Редактор И Дербак

Составитель Е. Лебедева

Техред.Л.Олийнык Корректор М. Пожо

Заказ 3033

Тираж 343

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Подписное