Способ получения носителя информации Советский патент 1989 года по МПК G11C11/14 

(21)4288258/24-24

(22)21.07.87

(46)23.05.89. Бюл„ № 19

(75)В.В. Рандошкин и В.И. Чани

(53)681„327.66(088.8)

(56)J.Appl.Phys., 1982, v. 53, № 3,p. 2478-2480.

Там же, с. 2483-2485.

(54)СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ НОСИТЕЛЯ ИНФОРМАЦИИ

(57)Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при разработке магнитооптических управляемых транспарантов Цель изобретения - повышение быстродействия процесса записи-считывания с носителя информации и отношения сигнал/помеха при магнитооптическом считывании информации. На подложку из немагнитного граната наращивают монокристаллическую пленку феррит-граната методом жидкофаз- ной эпитаксии из переохлажденного раствора-расплава, содержащего РЪО, Bi203 , V203 , Lu20, иРе203 . Раствор-расплав дополнительно содержит В2 О, и Са205 Пленку наращивают на подложку из кальций-ниобий-галлиевого граната с ориентацией (110) при температуре от 663 до 693СС. Использование подложек с ориентацией (110) обеспечивает создание в пленке орторомби- ческой анизотропии и, как следствие, высокую скорость движения доменных стенок ( 102 м/с). 1 табл.

(О

(Л

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при разработке магнитооптических управляемых транспарантов. Цель изобретения - повышение быстродействия носителя информации и отношения сигнал/помеха при магнитооптическом считывании информации. На подложку из немагнитного граната наращивают монокристаллическую пленку феррит-граната методом жидкофазной эпитаксии из переохлажденного раствора - расплава, содержащего PBO, BI₂O₃, Y₂O₃, LU₂O₃ и FE₂O₃. Раствор - расплав дополнительно содержит B₂O₃ и GA₂O₃. Пленку наращивают на подложку из кальций-ниобий-галлиевого граната с ориентацией /110/ при температуре от 663 до 693°С. Использование подложек с ориентацией /110/ обеспечивает создание в пленке орторомбической анизотропии и как следствие высокую скорость движения доменных стенок (≥10² м/с). 1 табл.

1

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при разработке магнитооптических управляемых транспарантов.

Целью изобретения является повы шение быстродействия процесса записи- считывания с носителя информации и отношения сигнал/помеха при магнитооптическом считывании информации.

Способ осуществляют следующим образом.

На подложку из немагнитного граната наращивают монокристаллическую пленку феррит-граната методом жид- кофазной эпитаксии из переохлажденного раствора-расплава, содержащего PbO, Bi203, Y203, Lu203 HFe203V раствор-расплав дополнительно содержит В203 и Ga203, а пленку наращивают на подложку из кальций-ниобий- галлиевого граната с ориентацией (110) при температуре 663-693 С, причем раствор-расплав содержит компоненты в следующем отношении, мол.%:

РЪО

В120Э

В20Э

Y203 Lu203

Fe203 Ga203

58,87 - 60,31 26,57 - 29,43 1,63 - 1,78 0,27 - 0,29 0,05 - 0,06 7,68 - 7,84 1,70 - 1,88

4

00

00

ел |

Использование подложек с ориентацией (110) обеспечивает создание в пленке орторомбической анизотропии и, как следствие, высокую скорость

движения доменных стенок ( 5 102 м/с Однако в отличие от известного способа, где используют подложки из неодим-галлиевого граната, в данном случае пленки наращивают на подложках из калыщй-ниобий-галлиевого граната, которые более прозрачны и обеспечивают на порядок более высокую магнитооптическую добротность на длине волны ,8 мкм0

При температуре роста пленок более 693°С их качество резко ухудшается вследствие значительного растворения подложки. При температуре раст- вора-расплава менее 663°С начинается спонтанная кристаллизация феррит-граната. Указанный диапазон температур роста пленок обеспечивает при содержании в расплаве, мол.%: РЪО 58,87- 60,31; В120Э 26,57-29,43; В203 1,63- 1,78; (Y203 + Lu203) не более 0,35. Орторомбическая анизотропия, достаточная для повышения скорости доменной стенки с 10 м/с, созда- ется при содержании в растворе-расплаве, мол.%: Fe,0, 7,68-7,84; Ga203

Показатели

Содержание компонентов в шихте, мол.%:

Формула изобретения

Способ получения носителя информации, основанный на наращивании на подложке из немагнитного граната монокристаллической пленки феррит- граната методом жидкофазной эпитак- сии из переохлажденного раствора- расплава, содержащего РЪО, Bi203, Y203, Lu203 и Fe203, отличающийся тем, что, с целью повы1,70-1,88,, Согласование параметров рететок пленки и подложки обеспечивают при содержании в раствор-расплаве, мол.%: Y203 0,17-6,29; Lu203 0,05-0,06.

Пример. Пленки (YLuBi)3 (FeGa)0 выращивают из растворов-расплавов, состав которых приведен в таблице, по известной технологии на установке УЭР-3. В качестве подложек используют пластины монокристаллов Са3 (NbGa)01zc ориентацией (110). Содержание Bi в пленках 1,9-2,1 атомов на формульную единицу граната, что обеспечивает фарадеевское вращение (3,2-3,5)х10 град/см при А 600 нм, скорость движения доменных стенок, измеренная методом высокоскоростной фотографии, 5, 102 м/с. В пленках, полученных согласно известному способу, содержание Bi не превышает 0,3 атомов на формульную единицу.

При этом удельное фарадеевское враще4

ние не превышает 0,5x10 град/см при Л 600 нм, а скорость доменных стенок 20 м/с.

Данные по примерам 1 I 2 I 3

ПИ

шения быстродействия процесса записи- считывания с носителя информации и отношения сигнал/помеха при магнитооптическом считывании информации, в раствор-расплав дополнительно вводят В203 и Ga203 f наращивание монокристаллической пленки проводят на подложке из кальций-ниобий-галлиево- го граната с ориентацией (110) при температуре 663-693 С, причем раствор51481857

расплав содержит компоненты в следу- ющем соотношении, мол„%:

РЪО

Bi2o3

58,87 - 60,31 26,57 - 29,43

1,63 0,27 0,05 7,68 1,70

1,78 0,29 0,06 7,84 1,88