Способ получения магнитооптического носителя информации Советский патент 1991 года по МПК G11C11/14 

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при создании магнитооптических устройств обработки и хранения информации.

Целью изобретения является повышение однородности и толщины эпитаксиального слоя и увеличение подвижности доменных стенок в нем.

В соответствии с предложенным способом получение магнитооптического носителя информации осуществляют следующим образом.

Выращивают эпитаксиальный слой на вращающейся немагнитной подложке со структурой граната, погруженной в переохлажденный раствор-расплав, содержащий растворитель В120з-РЬО-В20з и гранатооб- разующие окислы при температуре от 940 до 1108 К из раствора-расплава, содержащего компоненты в следующим соотношении, мол.%:

РЬО0,00-67,12

В(2Оз 17,49-82.21

ВаОз1,17-5,28

Я2Оз0,14-1,49

FeaOs 7,15-14,39

Ме20з 0,47 - 2,92, где R Gd, Y, Lu, La или их комбинации, Me Ga, AI или их комбинация.

Суть предложенного способа заключается в том, что приведенный диапазон раствора-расплава не соответствует области первичной кристаллизации граната (первой кристаллизующейся фазой при охлаждении системы из гомогенного состояния является феррит-гранат). Для указанного соотношения компонентов первой кристаллизующейся фазой является фаза с негранатовой структурой, однако при внесении в

К

N4

Os 00

раствор-расплав изоструктурной подложки наблюдается вынужденная кристаллизация феррит-граната. Нестабильные растворы- расплавы характеризуются повышенной устойчивостью по отношению к деградации пересыщенного состояния раствора-расплава, а следовательно, стабилизацией коэффициентов распределения во времени и повышением однородности и толщины эпи- таксиальных слоев.

То, что в состав эпйтаксиального слоя не входят быстрорелаксирующие ионы, дающие большой вклад в приведенный параметр затухания Ландау-Лифижца, обеспечивает высокие значения подвижности доменных стенок в носителе информации.

Эпитаксиальные слои состава (Я,Е1)з, (Fe.Me)sOi2, где R Lu, Y, Gd, La или их комбинация, Me Ga, Al или их комбинация, выращивали методом эпитаксии из переохлажденного раствора-расплава с ориентацией (111). В качестве подложек использовали немагнитные гранаты СозСа5О12(ГГГ), ЗтзСазОиССГГ), Nd3GasOi2(HfT), Ga3(Nb,Ga)50i2(KHrT) и Саз(МЬ,Са,Се)5012(КНГГГ). Раствор-расплав содержал компоненты в соотношении, ука- занном в таблице.

Диапазон изменения температуры роста Тр составлял от 940 до 1100 К, скорость вращения подложки со 100 - 200 об/мин. Изменение состава по толщине эпйтаксиального слоя, которое контролируется методом рентгеновского микроанализа на косых шлифах, не превышало 5%. Подвижность доменных стенок определяли по ширине линии ферромагнитного резонанса. Типичные параметры носителя информации приведены в таблице, где Of - удельное фарадеевское вращение.

0 Ф о рм у л а и з о б рете н и я

Способ получения магнитооптического носителя информации, основанный на выращивании эпйтаксиального слоя на вра- 5 щающейся немагнитной подложке со структурой граната, погруженной в переох- ла жденный раствор-расплав содержащий растворитель В 20з-РЬО-В20з и гранатооб- разующие окислы, отличающийся тем, 0 что, с целью повышения однородности и толщины эпйтаксиального слоя и увеличения подвижности доменных стенок в нем, выращивание эпйтаксиального слоя проводят при температуре 940 - 1108К, причем 5 раствор-расплав содержит компоненты в следующем соотношении, мол.%:

РЬО0,00-67,12

В1гОз17,49-82,21

В20з1,17-5,28

0Р20з0,14-1,48

Рв20з 7,15-14,39

Ме20з 0,47 - 2,92, где R Gd, Y, Lu, La или их комбинация. Me Ga, Al или их комбинация.

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при создании магнитооптических устройств обработки и хранения информации. Целью изобретения является повышение однородности и толщины эпитаксиального слоя и увеличение подвижности доменных стенок в нем. В способе получения магнитооптического носителя информации, включающем выращивание эпитаксиального слоя на вращающейся немагнитной подложке со структурой граната, погруженной в переохлажденный раствор-расплав, содержащий растворитель ВвОз-РЬО-ВгОз и гранатооб- разующие окислы, выращивание слоя проводят при температуре от 940 до 1108 К из раствора-расплава, содержащего компоненты в следующем соотношении, мол.%: РЬО 0.00 - 67.12; В1гОз 17,49 - 82,21; В20з 1,19 - 5.28; RaOa 0,14 - 1,49; РеаОз 7,15 - 14,39; Ме.0з 0,47-2,92, где R Gd, Y, Lu, La или их комбинация, Me Ga, AI или их комбинация. 1 табл.

Примечание: ©F- удельное фарадеевское вращение на длине волны 600 нм

Редактор А.Мотыль

Составитель Ю.Розенталь

Техред М.МоргенталКорректор О.Кравцова