(21)4443902/31-26
(22)20.06.88
(46) 15.10.90. Бкш. 38
(71)Московский институт тонкой ХИ-. мической технологии
(72)Р.Х. Акчурин, В.А, Жегалин и В.В. Уфимцев
(53). 621..315,592(088.8)
(56)Ksieh I.I, Thickness and surface morfology of GaAs LPF, layers
grown by supercoolinK, step-cooling, equilibrium cooling and twophase solution techniques.- I.Cryst.Rrowth, 1974, V. 27, ff 1, p. 49-61. (54) СПОСОБ ВЫРАПШВАНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬ- НЫХ СЛОЕВ
(57)Изобретение относится.,к технологии полупроводниковых материалов и может быть использовано для вьфащи- вания эпитаксиальных слоев методом жидкофазной эпитаксии. Цель изобретения - сокращение времени выращивания и повышение эффективности осажде-г ния. Способ включает приготовление насыщенного раствора-расплава, разделение его на порции, переохлаждение раствора-расплава на 1-15 С и последовательное приведение подложки в контакт с каждой порцией раствора-расплава. Предлагаемый способ по сравнению с прототипом позволяет не менее чем в 4 раза сократить время вьфащивания слоев и более чем в 2 раза повысить эффективность осаждения, 2 табл.
с
е
| название | год | авторы | номер документа |
|---|---|---|---|
| ГЕТЕРОСТРУКТУРА НА ОСНОВЕ АРСЕНИДА - АНТИМОНИДА - ВИСМУТИДА ИНДИЯ И СПОСОБ ЕЕ ПОЛУЧЕНИЯ | 1992 |
|
RU2035799C1 |
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ НА ОСНОВЕ GaInAsSb | 2023 |
|
RU2805140C1 |
| Способ выращивания в вертикальном реакторе многослойных наногетероэпитаксиальных структур с массивами идеальных квантовых точек | 2017 |
|
RU2698669C2 |
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СТРУКТУРЫ (C) | 1989 |
|
SU1774673A1 |
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ НА ОСНОВЕ GaInAsSb | 2023 |
|
RU2813746C1 |
| УСТАНОВКА ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ ИЗ ЖИДКОЙ ФАЗЫ НАНОГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР С КВАНТОВЫМИ ТОЧКАМИ | 2015 |
|
RU2610050C2 |
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ ЛАЗЕРНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ | 2022 |
|
RU2791961C1 |
| Способ гетероэпитаксиального наращивания слоев твердого раствора на основе арсенида индия-алюминия | 1990 |
|
SU1785048A1 |
| СПОСОБ ЭПИТАКСИАЛЬНОГО НАРАЩИВАНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ | 1988 |
|
SU1559970A1 |
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ НА ОСНОВЕ ГЕРМАНИЯ | 2008 |
|
RU2377697C1 |
Изобретение относится к технологии полупроводниковых материалов и может быть использовано для выращивания эпитаксиальных слоев методом жидкофазной эпитаксии. Цель изобретения - сокращение времени выращивания и повышение эффективности осаждения. Способ включает приготовление насыщенного раствора-расплава, разделение его на порции, переохлаждение раствора-расплава на 1-15°С и последовательное приведение подложки в контакт с каждой порцией раствора-расплава. Предлагаемый способ по сравнению с прототипом позволяет не менее чем в 4 раза сократить время выращивания слоев и более чем в 2 раза повысить эффективность осаждения. 2 табл.
Изобретение относится к технологии полупроводниковых материалов и может быть использовано для выращивания эпитаксиальных слоев методом жидкофазной эгштаксии.
Цель изобретения - сокращение времени выращивания и повьшение эффективности осаждения.
Пример. Исходную шихту - массой 12 г, .содержащую 98,5 мол.% In и 1,5 мол.% InAs, помещают в ячейку графитового контейнера пеналь- ного типа. Контейнер имеет набор слайдеров, позволяющих разделять раствор-расплав на равные порции. Две подложки InAs, ;ориентированные в направлении /III/, располагают в графитовом слайдере. Слайдер вставляют в контейнер, который помещают . в горизонтальный кварцевый реактор
(Л
с
Реактор герметизируют, продувают очищенным водородом и нагревают до температуры 823 К, При этой темпе- ратуре осуществляют гомогенизацию раствора-расплава в течение 2 ч после чего снижают температуру до 773 к (температура насыщения раствора-расплава) и осуществляют контакт раст- вора-расплава с первой подложкой .InAs. После проведения подпитки pact-, вора-расплава контакт с первой подложкой прерьшают и с помощью специальных слайдеров разделяют раствор- - расплав на пять равных порций. Высота каждой порции раствора-расплава 0,2 см. Далее снижают температуру на 10 К и осуществляют последовательный К9нтакт второй подложки InAs с каждой порцией раствора-расплава. Время контакта с каждой порцией 3 мин.
СЛ
30
Затем снижают температуру до комнатной, разгружают реактор и определяют толщину вьфостего слоя InAs, которая составляет 9 мкм.
Толщины и эффективность осаждения слоев, полученных при различных условиях .выращивания, представлены в табл. 1 и 2 соответственно.
Эффективность осаждения определяют по соотношению
,Kc-ioo%,
где d - толщина выращенного слоя, мкм;
максимально возможная расчётная толщина слоя при полном снятии пересьпдения, мкм.
Как видно из табл.1 и 2, предлагаемый способ по сравнению с прототипом позволяет не менее чем в 4 раза сокра /ммкс
тить время выращивания слоев и более
чем в 2 раза повысить эффективность
осаждения.
Формула изобретения
Способ вьфащивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых материалов, включающий приготовление насыщенного раствора-расплава, переохлаяадение его относительно температуры равновесной кристаллиза1щи на и последующее приведение в контакт с подложкой, отличающийся тем, что, с целью сокращения времени вьфащивания и повышения эффективности осаждения, после приготовления раствора-расплава его разделяют на порции и контакт осуществляют последовательно . с каждой порцией раствора-расплава.
Таблица 1
60
4,8
1 5
1 5
1 5
Таблица 2
