(46) 30.06.92.БЮЛ. № 24 (21) 4461842/21 .(22) 20.06.88
(72) Ю.В.Андреев, И.В.Маркевич и Е.Н.Соловьева (53) 621.316.8 (088.8)
(56)Заявка Японии № 52-9319, кл. Н 01 С 7/02,. 1977.
(54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЗИСТОРОВ НА ОСНОВЕ ТИТАПАТА БАРИЯ
(57)Изобретение относится к керамической полупроводниковой технологии
гИ может быть использовано ири разработке и выпуске терморезисторов с положительным температурным коэффициентом сопротивления - позисторов.
Цель изобретения - повышение технологичности путем.снижения температуры обжига - достигается тем, что легирующую добавку - иттрий вводят в титанат бария одновременно с одним или двумя редкоземельными элементами в виде предварительно приготовленных сплйиов Yj,03 - или - Vz Р эквимолекулярном соотношении компонентов. Использование предложенного способа позволяет увеличить срок службы оборудования, повысить выход годных позисторов при упрощении состава керамического материала и сокращении процесса изготовления, . 
| название | год | авторы | номер документа |
|---|---|---|---|
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО КЕРАМИЧЕСКОГО МАТЕРИАЛА НА ОСНОВЕ ТИТАНА БАРИЯ, ЛЕГИРОВАННОГО НИОБИЕМ | 1992 |
|
RU2060566C1 |
| ШИХТА ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО КЕРАМИЧЕСКОГО МАТЕРИАЛА ДЛЯ ТЕРМОРЕЗИСТОРОВ И СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МАТЕРИАЛА ИЗ НЕЕ | 2002 |
|
RU2259335C2 |
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЗИСТОРНОЙ КЕРАМИКИ НА ОСНОВЕ ТИТАНАТА БАРИЯ | 1991 |
|
RU2008296C1 |
| Полупроводниковый керамический материал | 1990 |
|
SU1730080A1 |
| ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ КЕРАМИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЗИСТОРОВ | 1988 |
|
RU1574094C |
| ШИХТА КЕРАМИЧЕСКОГО МАТЕРИАЛА ДЛЯ ПОЗИСТОРОВ И СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МАТЕРИАЛА ИЗ НЕЕ | 2002 |
|
RU2259334C2 |
| Термочувствительный керамический материал | 1985 |
|
SU1330116A1 |
| ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ КЕРАМИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ | 1994 |
|
RU2079914C1 |
| МАТЕРИАЛ ДЛЯ ТЕРМОРЕЗИСТОРОВ С ПОЛОЖИТЕЛЬНЫМ ТЕМПЕРАТУРНЫМ КОЭФФИЦИЕНТОМ СОПРОТИВЛЕНИЯ | 1990 |
|
SU1780439A1 |
| КЕРАМИЧЕСКИЙ ПИРОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ ДЛЯ НЕОХЛАЖДАЕМЫХ ПРИЕМНИКОВ ИНФРАКРАСНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ | 2006 |
|
RU2326856C2 |
Изобретение относится к керамической полупроводниковой технологии и может быть использовано При разр.абот- ке и промышленном выпуске терморезисторов с положительным температурным коэффициентом сопротивления (ПТКС) - позисторов.
Целью изобретения является повышение технологичности за счет снижения температуры обжига.
Поставленная цель достигается тем, что легирующую добавку - иттрий вводят одновременно с одним или д-вумя РЗЭ в виде предварительно приготовленных сплавов , - ., или - -LHjOj-Dy Oi, при эквимолекулярном соотношении компонентов.
С позиции Физико-химическ1гх представлений иттрий и любой из РЗЭ являются в данном случае донорями,т.е. абсолютно равноправными ког понента- ми, замещакяцимн ионы бария в подрешетке бария. Положительный эффект снижения температуры восстановления керамики достигается за счет снижения температуры плавления бинарных и тройных сплавов. Отпадает необЬсодн- мость дополнительного введения модифицирующих добавок и, таким образом, происходит упрощение состава материала и сокращение технологического процесса изготовления керамики.
Технология изготовления резисторов по предлагаемому способу реализуется в следующей последовательности..
i. Кокпюненты для синтеза BaTin, или твердых растворов Ra, TiO 3 расчетного состава берут-я в виде ВаСО,, TiO,, SrTiO,. PhTiO;,. .
€
(Л
о
ел
О5
П 50 С п течение
комтгонейтов при
2ч.-.
с последующей сушкой порошка при 130-150°С.
Иплюстрация положительных результатов по предлагаемому способу приведена в таблице, в которой представлены данные аналога ,и прототипа, а также измеренные значения основных параметров /юзисторов из BaTiO, и его твердых растворов с различным . содержанием введенного сплава У Оз-Ьа ОзИ ,.- в таблице -(п.) приведены данные про-- тотипа при введении специальных модифицирующих добавок Ti02,.SiO, V. Видно, что минимальная температура обжига составляет 1350 С минимальное значение 20 90 Ом. см, максимальное значение ПТКС- 17%/град.Дай ные п.п. 2-4 таблицы характеризуют условия получения и параметры позис- Topos из BaTiOj, изготовленных по предлагаемому способу при содержании введенного сплава У Оз-Ьа Оз в количестве О, 1 5-0,45 мас.%. ТОБ составляет при этом 1280 С| р2 60 Ом. см; ПТКС 257/град.. При использовании
трехкомпонентного сплава, например, Y Oj-La ij-Dy O J в количестве 0,1 мае.: достигается дополнительное (в сравнении с бинарным) снижение «а 20 С (см. п.п. 17-19 таблицы) .
В пп. 11-16 и 20-21 таблицы приведены запредельные концентрации легиРУгащих сплавов для материала Ba(Sr, Pb)TiOj и указаны электрические параметры позисторов, которые могут быть получены лишь при высоких (380
t f f ,- ч --f. V
1400 с) Tgg (более низкие Т
не
-Oojk
приводят к появлению в материале полупроводниковых свойств),
.Технический эффект предлагаемого способа заключается н том, что-введение бинарных и тройных сплавов ле- чрующих примесей . в количествах, не выходящих за укйзанйые пределы концентрации 0,1.5-0,45 мае.% и 0,1 мае.%, способствует снижению тем- п ературы обжига Ва(8г,РЬ)Т10з . на при одновремейном улучшении позисторных свойств (ПТКС). Это приводит к увеличению срока службы оборудования, повьш1ению выхода годных позисторов.
: . .
Формула изобретения
Способ изготовления позисторов на основе титаната бария, включающий
введение в титанат бария легирующей добавки на основе иттрия, смешивание компонентов, обжиг и прессование образцов, отличающийся тем, что, с целью повьш1ения технологичности за счет снижения температуры обжига, введение легирующей добавки осуществляют в виде сплавов оксида иттрия с оксидом лантана (Ш) или окбида иттрия с оксидами лантана и диспрозия (Ш) при эквимолекуляр- ном соотношении компонентов.
BaTlOj- Y+SiOj + V
i n « г f гччч ff т Ч
1350
90
17
