ШИХТА КЕРАМИЧЕСКОГО МАТЕРИАЛА ДЛЯ ПОЗИСТОРОВ И СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МАТЕРИАЛА ИЗ НЕЕ Российский патент 2005 года по МПК C04B35/468 C04B35/00 

Описание патента на изобретение RU2259334C2

Изобретение относится к области электронной техники, в частности к составам и способам получения керамических резистивных материалов, и может быть использовано для изготовления терморезистивных элементов с положительным температурным коэффициентом сопротивления (позисторов).

Известен резистивный материал для позисторов, содержащий оксиды висмута, ванадия и марганца (1), и способ получения керамических диэлектрических материалов путем одновременного смешивания и измельчения компонентов шихты, формования и обжига заготовок керамического материала (2).

Данный материал позволяет повысить положительный температурный коэффициент сопротивления в интервале 296-320°С, а способ достаточно прост и производителен в производстве.

Данный материал позволяет повысить положительный температурный коэффициент сопротивления в интервале 296-312°С, а способ достаточно прост и производителен в производстве.

В то же время этот материал не может быть применен для низкоомной позисторной керамики и достаточно трудоемок в производстве из-за необходимости предварительного обжига (синтеза) компонентов, а способ не обеспечивает высоких технологических свойств материалов, особенно резистивной керамики, и изделий из нее.

Наиболее близкой по составу к изобретению является композиция (шихта) полупроводниковой керамики на основе титаната бария и добавок диоксида кремния, марганца и цинка (3). А наиболее близким по технической сущности к заявляемому способу является способ изготовления резистивной керамики с положительным температурным коэффициентом сопротивления, включающий приготовление шихты путем смешивания ее компонентов в водной среде с последующей дегидрационной сушкой, предварительный обжиг (синтез) шихты при 1200°С, измельчение синтезированного материала, гранулирование измельченного материала путем его смешивания со связующим веществом с последующим просеиванием через сетку с постоянным размером ячеек, формование из гранулированного порошка керамических заготовок и их обжиг при 1300-1400°С со скоростью охлаждения 100-200°С в час (3).

Этот материал предназначен для изготовления терморезисторов с положительным коэффициентом сопротивления и позволяет получать удовлетворительные электропараметры позисторов, а способ предназначен для получения резистивной керамики и обеспечивает удовлетворительные техничские и электрические свойства материала и позисторов из него.

Существенным недостатком материала является то, что он, в силу особенностей своего компонентного состава, например наличия оксидов марганца и цинка, требует предварительного синтеза компонентов шихты, что повышает трудоемкость процесса получения материала и изделий. Кроме того, из-за возможного отклонения режимов синтеза и необходимости измельчения синтезированного материала достаточно сложно получить высокую равномерность структуры с требуемым размером частиц. Это, в свою очередь, ухудшает повторяемость и стабильность параметров и отрицательно влияет на электропрочность позисторной керамики.

Существенным недостатком способа является то, что он, в силу особенностей примененных технологических приемов, является трудоемким и не позволяет существенно повысить качество получения материала и изделий из него. Это связано с тем, что необходимость предварительного синтеза требует операции измельчения спека.

Решаемая задача - достижение более высокого технического результата, заключающегося в повышении качества, повторяемости и стабильности параметров, снижении трудоемкости процесса получения материала путем исключения необходимости предварительного синтеза, сопутствующих ему операций измельчения спека; повышении равномерности микроструктуры после обжига и однородной плотности формовочного порошка.

Сущность изобретения заключается в том, что в заявляемой шихте керамического резистивного материала для позисторов, включающей титанат бария, диоксид кремния и марганецсодержащее соединение, вышеуказанный технический результат обеспечивается тем, что шихта в качестве марганецсодержащего соединения содержит водный раствор сернокислого марганца и дополнительно содержит титанат стронция, оксид титаната и водный раствор хлористого иттрия при следующем соотношении компонентов, мол.%:

BaTiO368,0-91,0SrTiO38,0-31,0TiO20,1-1,0SiO20,5-5,0MnSO40,05-0,15YCl30,30-1,0

а в заявляемом способе получения керамического резистивного материала для позисторов, заключающемся в приготовлении шихты путем смешивания и измельчения ее компонентов в водной среде с последующим обезвоживанием до однородного сыпучего состояния, приготовлении формовочного порошка путем смешивания измельченной шихты со связующим веществом и последующего гранулирования, формования из формовочного порошка заготовок керамического материала и их обжиге, вышеуказанный технический результат обеспечивается тем, что при приготовлении шихты для осаждения марганца и иттрия из водных растворов MnSO4 и YCl3 в состав шихты вводят временный осадитель аммоний углекислый кислый или оксалат аммония, или аммиак, или карбонат аммония, или гидрокарбонат аммония, исходные компоненты шихты BaTiO3 и SrTiO3 прокаливают до насыпного веса 1,3-1,8 г/см3 и 1,1-1,4 г/см3 соответственно, смешивают и измельчают шихту в шаровых мельницах органическими или кремнеземными мелющими телами до среднего размера частиц 0,5-2,0 мкм, а обжиг керамических заготовок производят при 1280-1380°C.

Возможность осуществления изобретения подтверждается нижеприведенными сведениями, относящимися к оптимальным составам шихты и приемам получения материала и к результатам экспериментальной проверки.

Предлагаемый способ получения керамического резистивного материала для позистров осуществляется следующим образом. Предварительно приготавливают шихту материала, для чего порошкообразные сухие компоненты BaTiO3, SrTiO3, TiO2, SiO2 и временный осадитель, взятые в требуемых количествах, загружают в мельницу: сухие компоненты, мелющие тела и вода в соотношении 1:(1-6):(0,5-3,0), и затем приготавливают требуемые количества водных растворов MnSO4 и YCl3, добавляют их к остальным компонентам шихты, а потом производят смешивание и одновременное измельчение шихты до нормального распределения частиц по размерам с максимумом 0,5-2,0 мкм. При этом в процессе измельчения из растворов MnSO4 и YCl3 в присутствии осадителей аммония углекислого кислого или оксалата аммония, или аммиака, или карбоната аммония, или гидрокарбоната аммония в состав шихты осаждается марганец и иттрий. После этого полученный шликер шихты обезвоживают вакуумным фильтрованием с последующей сушкой 20-240°С и просеиванием обезвоженного продукта через сетку с диаметром ячеек до 200 мкм с образованием тонкодисперсного порошка со среднеарифметическим размером частиц 0,5-2,0 мкм. Полученный порошок измельченной шихты смешивают со связующим веществом, например с поливиниловым спиртом, получая таким образом формовочный материал, который гранулируют протиркой через сита с размером ячеек 200-800 мкм, а затем формуют из него керамические заготовки позисторов. Полученные заготовки обжигают при температуре 1280-1380°С, а затем металлизируют и подвергают другим технологическим операциям изготовления позисторов.

Конкретным примером заявляемой шихты (см. табл.1) являются следующие ее оптимальные составы, мас.%:

Таблица 1.

Состав 1Состав 2Состав 3BaTiO388,5083,7181,12SrTiO310,0114,7017,28TiO20,1840,1780,179SiO20,5760,6680,672MnSO40,0660,0670,067YCl30,6640,6770,682

Свойства материала на основе заявляемой шихты и способа ее получения подтверждаются результатами экспериментальной проверки, данные о которой приведены в таблице 2.

Как следует из табл. 2, материал на основе предлагаемой шихты и способ его получения в сравнении с прототипом за счет исключения операции синтеза шихты и его измельчения позволяет снизить трудоемкость процесса и себестоимость материала и изделий, а также за счет повышения повторяемости и стабильности свойств материала улучшить качество и электропараметры изделий.

Оптимальность состава шихты и приемов способа получения материала из нее подтверждается тем, что оптимальные свойства и наибольший технический результат достигается при заявляемом соотношении компонентов шихты и приемах способа получения материала, что подтверждается экспериментальной проверкой.

Таблица 2.Исследуемые характеристикиИсследуемые составы шихтыЗаявляемаяИзвестнаяСостав 1Состав 2Состав 3Акц.з. Японии №60-19121Наличие операции предварительного обжига и сопутствующих операцийнетнетнетДаТрудоемкость получения изделия из материала, усл./ед.77,977,977,9100Снижение энергозатрат, усл.ед.55,655,655,6100Выход годных95-10095-10095-10090

Практическое применение шихты и способа получения материала из нее при изготовлении резистивного материала и позисторов позволяет повысить качество, повторяемость и стабильность параметров и снизить трудоемкость процесса изготовления материала и позисторов. В настоящее время отработан состав шихты и техпроцесс получения материала и изготовлены в условиях производства образцы резистивного материала и позисторов, подтверждающие достижение технического результата.

Источники информации

1. А.с. СССР №1329473.

2. Н.П.Богородицкий. Радиокерамика. - М.: Госэнергоиздат, 1963, с. 126.

3. Заявка Японии №60-19121.

4. К.Окадзаки. Полупроводники на основе титаната бария. - М.: Энергоиздат, 1982, c. 171-176.

Похожие патенты RU2259334C2

название год авторы номер документа
ШИХТА ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО КЕРАМИЧЕСКОГО МАТЕРИАЛА ДЛЯ ТЕРМОРЕЗИСТОРОВ И СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МАТЕРИАЛА ИЗ НЕЕ 2002
  • Костомаров Сергей Владимирович
  • Филипповская Нина Петровна
  • Демчук Инна Николаевна
RU2259335C2
ШИХТА КЕРАМИЧЕСКОГО МАТЕРИАЛА ДЛЯ ВЫСОКОЧАСТОТНЫХ ТЕРМОКОМПЕНСИРУЮЩИХ МАТЕРИАЛОВ И СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МАТЕРИАЛА ИЗ НЕЕ 1992
  • Костомаров Владимир Степанович[By]
  • Самойлов Владимир Васильевич[By]
  • Голубцова Лидия Александровна[By]
RU2079916C1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО КЕРАМИЧЕСКОГО МАТЕРИАЛА НА ОСНОВЕ ТИТАНА БАРИЯ, ЛЕГИРОВАННОГО НИОБИЕМ 1992
  • Белозеров В.В.
  • Гольцов Ю.И.
  • Кулешова Т.В.
  • Шпак Л.А.
  • Юркевич В.Э.
RU2060566C1
КЕРАМИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ ПРЕИМУЩЕСТВЕННО ДЛЯ НИЗКОЧАСТОТНЫХ КОНДЕНСАТОРОВ И СПОСОБ ЕГО ПОЛУЧЕНИЯ 1991
  • Костомаров Сергей Владимирович[By]
  • Егоров Леонид Ильич[By]
  • Филоненко Валерий Иванович[By]
  • Самойлов Владимир Васильевич[By]
RU2023706C1
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ КЕРАМИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ 1994
  • Вусевкер Ю.А.
  • Гольцов Ю.И.
  • Панич А.Е.
  • Шпак Л.А.
RU2079914C1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КЕРАМИКИ НА ОСНОВЕ ТИТАНАТА БАРИЯ 2018
  • Смирнов Алексей Денисович
  • Холодкова Анастасия Андреевна
  • Данчевская Марина Николаевна
  • Пономарев Сергей Григорьевич
  • Васин Александр Александрович
  • Рыбальченко Виктор Викторович
  • Ивакин Юрий Дмитриевич
RU2706275C1
ШИХТА СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО КЕРАМИЧЕСКОГО МАТЕРИАЛА ДЛЯ НИЗКОЧАСТОТНЫХ КОНДЕНСАТОРОВ 1994
  • Фомина Белла Израилевна[By]
  • Мамчиц Эдуард Иосифович[By]
  • Бертош Иван Григорьевич[By]
  • Самойлов Владимир Васильевич[By]
  • Егоров Леонид Ильич[By]
  • Широков Михаил Федорович[By]
  • Вертинская Тамара Григорьевна[By]
  • Полякова Светлана Сергеевна[By]
  • Дроздова Валентина Андреевна[By]
RU2096385C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СЕГНЕТОКЕРАМИЧЕСКОГО МАТЕРИАЛА ДЛЯ КОНДЕНСАТОРОВ 1991
  • Костомаров С.В.
  • Ротенберг Б.А.
  • Пахомова Н.И.
  • Егоров Л.И.
RU2012085C1
Способ получения огнеупорных изделий из керамического материала на основе ниобата калия-натрия 2018
  • Пономарев Сергей Григорьевич
  • Тарасовский Вадим Павлович
  • Резниченко Александр Владимирович
  • Сидорцова Ольга Леонидовна
  • Васин Александр Александрович
  • Смирнов Андрей Владимирович
RU2720427C1
Композитный керамический материал 2023
  • Деева Юлия Андреевна
  • Гырдасова Ольга Ивановна
  • Чупахина Татьяна Ивановна
  • Упорова Анастасия Михайловна
  • Бажал Владислав Владимирович
RU2817887C1

Реферат патента 2005 года ШИХТА КЕРАМИЧЕСКОГО МАТЕРИАЛА ДЛЯ ПОЗИСТОРОВ И СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МАТЕРИАЛА ИЗ НЕЕ

Изобретение относится к области электронной техники, в частности к составам и способам получения керамических резистивных материалов. Шихта для изготовления керамического резистивного материала и позисторов включает, мас.%: BaTiO3 68,0-91,0; SrTiO3 8,0-31,0; TiO2 0,1-1,0; SiO2 0,5-5,0; MnSO4 0,05-0,15; YCl3 0,30-1,0. Способ заключается в приготовлении шихты путем смешивания и измельчения компонентов в водной среде в присутствии осадителя Mn и Y из водных растворов их солей, обезвоживании шихты вакуумным фильтрованием с последующей сушкой и просеиванием через сетку, приготовлении формовочного порошка путем смешивания со связующим веществом и гранулировании через сита, формовании заготовок и их обжиге при температуре 1250-1350°С. Технический результат: повышение качества, повторяемости и стабильности параметров и снижение трудоемкости получения материала и изделий. 2 с.п. ф-лы, 2 табл.

Формула изобретения RU 2 259 334 C2

1. Шихта керамического резистивного материала для позисторов, включающая титанат бария, диоксид кремния и марганецсодержащее соединение, отличающаяся тем, что в качестве марганецсодержащего соединения содержит водный раствор сернокислого марганца и дополнительно содержит титанат стронция, оксид титана и водный раствор хлористого иттрия при следующем соотношении компонентов, мас.%:

BaTiO368,0-91,0SrTiO38,0-31,0TiO20,1-1,0SiO20,5-5,0MnSO40,05-0,15YCl30,30-1,0

2. Способ получения керамического резистивного материала для позисторов, заключающийся в приготовлении шихты путем смешивания и измельчения ее компонентов в водной среде с последующим обезвоживанием до однородного сыпучего состояния, приготовлении формовочного порошка путем смешивания измельченной шихты со связующим веществом и последующего гранулирования, формования из формовочного порошка заготовок керамического материала и их обжиге, отличающийся тем, что при приготовлении шихты для осаждения марганца и иттрия из водных растворов MnSO4 и YCl3 в состав шихты вводят временный осадитель аммоний углекислый кислый или оксалат аммония, или аммиак, или карбонат аммония, или гидрокарбонат аммония, а исходные компоненты шихты BaTiO3 и SrTiO3 прокаливают до насыпного веса 1,3-1,8 г/см3 и 1,1 -1,4 г/см3 соответственно, смешивают и измельчают шихту в шаровых мельницах органическими или кремнеземными мелющими телами до среднего размера частиц 0,5-2,0 мкм, обжиг керамических заготовок производят при 1280-1380°С.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 2005 года RU2259334C2

Способ получения молочной кислоты 1922
  • Шапошников В.Н.
SU60A1
Полупроводники на основе титаната бария
М.: Энергоиздат, 1982, с.171-176.SU 1632254 C, 09.01.1995.RU 2012085 C1, 30.04.1994.EP 0823718 A2, 04.07.1997.

RU 2 259 334 C2

Авторы

Ильющенко Дмитрий Александрович

Костомаров Сергей Владимирович

Даты

2005-08-27Публикация

2002-10-02Подача