Способ определения газовой компоненты Советский патент 1990 года по МПК G01N27/12 

ния

что или но

меру,

итерл

денн1

преде

ку окс|ида

ную

снабж

1,ель тивности возбуждения

Изобретение относится к полупровод- газовому анализу и может быть ано для качественного определе- г азовой компоненты.

изобретения - повышение селек- способа за счет колебательного ния молекул.

Сущность способа заключается в том, a aлизиpyeмый газ подают из баллона газовой коммуникации в предва итель- отвакуумированную герметичную ка- эу, содержащую чувствительный элемент и термический источник колебательно-возбуж- х молекул. Чувствительный элемент авляет собой полупроводниковую плен- еда металла, нанесенную на огнеупор- изолирующую подложку из кварца, платиновыми контактами для измерения электропроводности. Термический источник колебательно-возбужденных молекул изготовлен в виде высокотемпературного диэлектрика, снабженного нагревателем. После подачи газа в рабочую камеру нагревают источник и, варьируя его нагрев, регистрируют ту температуру, при которой начинается изменение электропроводности или работы выхода полупроводниковой пленки оксида металла при подаче в рабочую камеру неизвестных газовых кбмпо- нент. По калибровочным данным качественно определяют газовую компоненту, соответствующую этой температуре. Данные калибровки измеряемого параметра - температуры источника колебательно- возбужденных молекул, соответствующей началу изменения электропроводности или

О

о

po

СЛ

4:.

Ю

работы выхода полупроводниковой пленки ZnO при подаче в рабочую камеру известных газовых компонент, соответственно равны, °С: 02 320; Na 610; Та 690; Da 900; На 1200. После подачи неизвестной газовой компоненты чувствительный элемент выдерживают до постоянного значения электропроводности или работы выхрда электрона. Затем повышают температуру термического источника, при этом начина- ется изменение электропроводности и работы выхода чувствительного элемента, качественно определяют газовую компоненту.

П р и м ер 1. Определение дейтерия в качестве неизвестной газовой компоненты с помощью чувствительного элемента из окиси цинка.

Полупроводниковую плен ку ZnO наносят на огнеупорную изолирующую подлож- ку из кварца, снабженную платиновыми контактами для измерения электропроводности. Подготовленный таким образом чув- ствительный элемент помещают в вакуумную камеру и напускают неизвест- ную газовую компоненту до давления 10 торр, затем повышают температуру термического источника и следят за электропроводностью полупроводниковой пленки. При достижении 900° С начинается изменение электропроводности пленки ZnO. По калибровочным данным этой температуре соответствует дейтерий.

Пример 2. Определение кислорода в качестве неизвестной газовой компоненты. Последовательность операций такая же, как в примере 1, но в качестве электрофизического параметра измеряют работу выхода.

Формула изобретения Способ определения газовой компоненты, заключающийся в том, что анализируемый газ подают в герметичную камеру, содержащую чувствительный элемент, представляющий собой полупроводниковую пленку оксида металла, и измеряют изменение её электропроводности или работы выхода электрона, отличающийся тем, что, с целью повышения селективности способа за счет колебательного возбуждения молекул, в камере размещают термический источник колебательно-возбужденных молекул в виде снабженного нагревателем высокотемпературного диэлектрика, подают исследуемый газовый компонент, повышают температуру диэлектрика и регистрируют температуру начала изменения электропроводности или работы выхода электрона пленки оксида металла, по которой качественно определяют газовую компоненту.

Изобретение относится к полупроводниковому газовому анализу и может быть использовано для качественного определения газовой компоненты. Цель изобретения - повышение селективности способа за счет колебательного возбуждения молекул. Способ заключается в регистрации предварительно откалиброванного параметра - начала изменения электрофизических свойств (электропроводности, работы выхода) полупроводниковой пленки при повышении температуры термического источника колебательно-возбужденных молекул при подаче в рабочую камеру неизвестной газовой компоненты. В камере размещают термический источник колебательно-возбужденных молекул в виде снабженного нагревателем высокотемпературного диэлектрика. Подают исследуемую газовую компоненту, повышают температуру диэлектрика. Регистрируют температуру начала изменения электропроводности или работы выхода электрона.