Датчик влажности Советский патент 1991 года по МПК G01N27/22 

01

t

Изобретение относится к датчикам влажности. Целью изобретения чвлпется повышение стабильности работы датчика влажности, выполненного на диэлектоичс- ской подложке, на которой расположены два электрода, влзгочувствительний саой и влагопроницаемый золотой электрод. Цель достигается за счет того что поверч влаго- проницаемого золотого электрода расположен слой, состоящий из того же материала, что и впагочувствительный слой, а толщина влагопроницаемого золотого электрода находится в пределах 10-30 нм. Изменение характеристик датчика составляет менеэ 1,5% отк. влажности за 6 мес. 1 ил.

ИзоЬоетение относится к аналитическому приборостроению, а именно к датчикам для измерения влажности газов.

Целью изобретения является повышение стабильности работы датчика.

На чертеже представлен датчик влажности.

Датчик влажности содержит диэлектрическую подложку 1, на которой расположены два электрода 2, влэгочувствительный слой 3, влагопроницаемый золотой электрод 4 поверх них и над влагопроницаемым золотым электродом слой 5, состоящий из того же материала, что и влагочувствитель- ный слой.

Датчик работает следующим образом.

Молекулы воды, диффундируя через слой 5 и проникая через влагопроницаемый золотой электрод 4, сорбируются на влагочувствительном слое 3 и меняют его

диэлектрическую проницаемость. В зависимости от влажности окружающей среды изменяется количество сорбированной воды и, следовательно, емкость датчика, измеряемая между двумя электродами 2.

Формула изобретения Датчик влажности, содержащий диэлектрическую подложку и расположенные на ней два электрода, на которые нанесены влагочувствительный слой и влагопроницаемый золотой электрод поверх них, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности работы датчика, над влагопроницаемым электродом расположен слой, состоящий из того же материала, что и влагочувствительный слой, а толщина влагопроницаемого золотого электрода находится в пределах 10- 30 нм.

ON hO VI Ч

о

К5

5

4

3