Термоактивационный способ определения типа и концентрации дефектов в кристаллах с водородными связями Советский патент 1991 года по МПК G01N27/24 

Изобретение относится к физико-химическому анализу и может быть использовано для определения изменения концентрации дефектов структуры в материалах, работающих в агрессивной среде, и изучения состава минералов.

Цель изобретения - повышение достоверности и точности определения типа и концентрации дефектов в кристаллах за счет сравнения спектров термостимулированных токов деполяризации исходных легированных и прокаленных образцов

П р и м е р 1. Приготавливают несколько образцов онотского талька. Один помещают в раствор НС (или несколько образцов в растворы HCI различной концентрации), где выдерживают длительное время (в данном

случае 88 сут) Второй образец (inи ряд образцов) помещают в раствор NH-iOH

Следующим этапом снимают спектр термостимулированных токов (ТСТ) деполяризации природных непрокаленмых образцов, который является эталонным Спектр ТСТ снимают следующим обпазом Образец устанавливают между электродами. Фиксируют температуру поляризации (в данном случае Тп - 300 К) в течение 20 мин. После этого подклю -ают постоянное электрическое поле с напряженностью ЕП/ЬП 2 105 В/М. Поляризацию осуществляют в течение времени tn / tn 15 мин. Затем образец быстро охлаждают до температуры То (То 77 К), после чего электрическое поле отключают и подключают

о

00

электрометр и производят нагрев с постоянной скоростью 5,5 К/мин. При этом появляются максимумы ТСТ,

Затем новую группу образцов прокаливают при различных температурах, соответствующих выходу того или иного вида молекул воды, и снимают спектры ТСТ деполяризации, по изменению этих спектров судят о виде и концентрации молекул воды.

После легирования кристаллов в растворах кислоты или щелочи каждый образец очищают и снимают спектр ТСТ деполяризации. По изменению амплитуды и положения максимумов судят о типе, а по площади под кривой f(t) - о концентрации дефектов структуры.

Для исследования растворимых в воде кристаллов выращивают как чистые, так и легированные кристаллы, в качестве легирующих добавок используют HCI, HF, HBr, HJ или NH4OH.

Формула изобретения

0

5

0

Термоактивационный способ определения типа и концентрации дефектов в кристаллах с водородными связями, заключающийся в измерении термостиму- лированных токов деполяризации (ТСТД) кристаллов, отличающийся тем. что, с целью повышения достоверности и точности определения типа и концентрации дефектов, измеряют термостимулированные токи деполяризации исходных образ- цов.образцов, прокаленных при различных температурах, обеспечивающих выход определенного вида молекул воды из кристаллов, и образцов, выдержанных в растворах кислот и щелочей, увеличивающих концентрацию определенного типа дефектов и влияющих на положение максимумов ТСТД, а о типе и концентрации дефектов судят по смещению максимума ТСТД и его величине.

Изобретение относится к физико-химическому анализу и может быть использовано для определения изменения концентрации дефектов структуры в материалах, работающих в агрессивных средах, и изучения структуры минералов с неизвестным составом. Цель изобретения - повышение достоверности и точности определения типа и концентрации дефектов. Цель достигается путем измерения термостимулированных токов деполяризации (ТСТД) кристаллов исходных образцов и образцов, прокаленных при температурах, соответствующих выходу того или иного вида молекул воды и выдержанных в растворах увеличивающих концентрацию определенного вида дефектов или влияющих на положение максимумов ТСТД. Концентрация дефектов определяется по площади под кривой соответствующего максимума Способ позволяет с большой степенью надежности определять тип и концентрацию дефектов, особенно в кристаллах содержащих водородные сияои (Л