Способ выращивания кристаллов Советский патент 1991 года по МПК C30B7/00 

Изобретение относится к выращиванию кристаллов из раствора и может быть использовано для получения пьезоэлектрических, пироэлектрических, электрооптических и других технически важных кристаллов.

Цель изобретения - ликвидация паразитных кристаллов в течение всего процесса роста.

Пример 1. Выращивают кристалл дигидрофосфата калия (КДР) из водного раствора. Кристаллизатор объемом 1 л заполняют раствором (0,5 л), погружают в него кристалл, закрепленный- на кристаллодер- жателе, сверху раствор заливают слоем вазелинового масла (0,4.л). Температура насыщения раствора 42°С, температура роста 38°С. Размеры затравки ЮхЮхЮмм. После завершения регенерации кристалла инициируют образование в растворе паразитных кристаллов путем ввода в него нескольких (15 - 20 шт) кристаллических частиц размерами 1x1x2 мм. Переводят кристалл в зону вазелинового масла и удаляют с его поверхности капельки раствора путем легкого встряхивания кристалла. Нагревают кристаллизатор с раствором и вазелиновым маслом до 48°С и выдерживают при этой температуре до полного растворения паразитных кристаллов (в течение 4 ч). Охлаждают раствор до первоначальной температуры роста 38°С и вводят в него кристалл. Пленка вазелинового масла на поверхности кристалла не наблюдается. Выращивают кристалл в течение 24 ч до достижения им размеров 15 мм. Исследование выращенного кристалла показывает, что он является визуально прозрачным, не содержит включений, оптических неоднородностей.

Пример 2. Выращивают кристалл КДР в тех же условиях, что и в примере 1, но без вазелинового масла. В период растворения паразитных кристаллов выращиваемый кристалл извлекают из раствора и выдерживают его над раствором на воздухе в течесо

с

о

СЛ О

VI

ю VJ

ние 4 ч. При этом -поверхность кристалла покрывается визуально наблюдаемым матовым слоем мельчайших кристалликов. Затем погружают кристалл в раствор, перегретый на 0,5°С, и растворяют образовав- шийся на его поверхности осадок. Одновременно происходитчастичное растворение самого кристалла, в результате чего последующему росту кристалла в пересыщенном растворе предшествует процесс ре- генерации. Полученный кристалл, имеет визуально наблюдаемую дефектную регенерацией ную зону.

Пример 3. Выращивают кристалл КДР в тех же условиях, что и в примере 2. В процессе выращивания кратковременно извлекают кристалл из раствора и ополаскивают в течение 4 с водой при той же температуре, что и у раствора (во избежание термоударов, приводящих к растрескива- нию). При этом последующему росту кристалла, как и в примере 2, предшествует процесс регенерации. В результате получается кристалл с дефектной зоной регенерации.

Форму л а изобретен и я Способ выращивания кристаллов, из пересыщенного раствора, покрытого слоем герметизирующей жидкости, химически не. взаимодействующей с раствором, на затравку при регулировании насыщенности раствора, отличающийся тем, что, с целью ликвидации паразитных кристаллов в течение всего процесса роста, после появления паразитных кристаллов выращиваемый кристалл полностью помещают в слой герметизирующей жидкости, в растворе создают недосыщение, возвращают в него кристалл и после растворения паразитных кристаллов снова создают в растворе пересыщение.

Изобретение относится к способу выращивания кристаллов и позволяет ликвидировать паразитные кристаллы в течение всего- процесса роста. Кристаллизатор заполняют раствором. Раствор покрывает слой герметизирующей жидкости, химически не взаимодействующей с раствором. Кристалл выращивают на затравку из пересыщенного раствора. После появления паразитных кристаллов в растворе выращиваемый кристалл помещают в слой жидкости, а в растворе создают недосыщение. После растворения паразитных кристаллов выращивание продолжают. Получают кристалл КДР размером до 15 мм визуально прозрачный, однородный.