СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛЕНОК НА ОСНОВЕ ГЕРМАНИЯ Советский патент 1964 года по МПК C23C16/04 

Известен способ получения полупроводниковых пленок на основе германия из газовой фазы при реакции пиролиза в токе водорода на подогретой подложке.

С целью получения покрытия заданной формы на выбранном участке подложки предложен способ, по которому подложку с трафаретом помещают в зону невыпадепия германия, непосредственно предшествующую зоне выпадения, при t 570°С и под углом в 10° по отпошепию к направлению тока водорода. По предлагаемому способу поток водорода со скоростью 12-18 л/час, насыщенный парами тетрахлорида германия (GeClO М 0,6-1э/о, попадает в нагретую зону кварл;евой трубы при t 570 ±10° С. Температуру поддерживают постоянной с точностью ±5°С адоль участка кварцевой трубы длиной, превышающей длину держателя па несколько сантиметров. При этом тетрахлорид разлагается по следующей схеме:

GeCU + 2Н2:: ± 4nCl+Ge

Осаждение пронсходит на держателе из спектрально-чистого графнта, не содержащего бора, расположенного под углом . в 10° к оси трубы, причем не по всей поверхности держателя, начинаясь в нескольких сантиметрах от нагретого края.

При осаждении на держателе резко ограничиваются две зоны: осаладёння и непокрытого держателя. Наличие двух зон обусловлено тем, что каждой температуре соответствует критическая плотность осаждаемых частиц. Если в зоне непокрытого держателя создать локальпые пересыщения чаетиц германия, т. е. повысить их плотность, то они начнут осаждаться.

В зону невыпадения помещают стеклянные подложки, иа графитовый держатель или на пнх кладут фигурные графитовые или фигурные германиевые пластины, рисунок которых должен быть воспроизведен на стеклянных нодложках. Между подложкой и графитовым или германиевым трафаретом создается повышенная плотпость паров гермапия благодаря эффекту адсорбции. Осаждение происходит только на участках соприкосновения стеклянных подложек с трафаретами.

По предлагаемому снособу получаются мелкокристаллические германиевые пленки (разд1еры кристаллов 3-5 мк) па стеклянных подложках при t 570°Ci:10°C требуемой конфигурации. Время пребывания в нагревателе с температурой 570°±10°С выбирают в зависимости от требуемой толщины пленкн. 3 Предмет изобретения Способ получения полупроводдтековых пленок на основе германия из газовой фазы при реакции пиролиза в токе водорода, отличаю- 5 щийся тем, что, с целью получения покрытия 4 заданной формы на выбранном участке подложки, подложку с трафаретом помещают в зону невыпадения германия под углом 10° по отношению « наБравлению тока водорода при температуре 570°С.