Способ строительства тоннеля мелкого заложения Советский патент 1991 года по МПК E02B9/06 

Изобретение относится к строительству гидротехнических и другого назначения тоннелей мелкого заложения

Цель изобретения - повышение эффективности производства работ за счет предотвращения осадок земной поверхности и отклонений тоннеля от проектной трассы.

На фиг. 1 представлена разработка траншеи; на фиг. 2 - оболочка, установленная в обратно засыпанной траншее на фиг 3 - то же, при выпуклом дне траншей: на фиг. 4 - продвижение щита нз фиг 5 - сечение А-А на фиг 4

Способ согласно изобретению р чпизу- ют следующим образом

По трассе тоннеля выполняют вертикальные камеры 1 и 2, служащие для ввода и вывода проходческого щита 3, и опускают с поверхности последний, например, в камеру 1. По трассе тоннеля разрабатывают траншею 4. на дно которой опорными плоскостями 5 устанавливают выпуклую вверх оболочку 6 с внутренним радиусом кривизны Ro, равным радиусу Рщ наружной поверхности щита 3, и производят обратную засыпку 7 траншеи 4. Продвижение щита 3 осуществляют при контактировании его кровли с внутренней поверхностью оболочки 6.

При разработке траншеи 4 ее днище может быть выполнено выпуклым вверх в

о

00

VI

х| СО VI

пределах пролета оболочки 6 с радиусом кривизны Ry, равным Re. При продвижении щита 1 под его защитой разрабатывается грунт и выдается на поверхность через камеру 1, при этом в щите 3 производят наращивание тоннельной обделки, например, из блоков.

Благодаря оболочке 6, ее опорным плоскостям 5, вынесенным за пределы тоннеля, и качественной обратной засыпке 7 просадка земной поверхности практически исключается, Щит 3 движется в направляющей, образованной оболочкой 6, и не отклоняется от проектной трассы.

Оболочку 6 при плоском дне траншеи 4 целесообразно изготавливать из набора сборных железобетонных арок, а при выпуклом дне траншеи 4 - путем укладки монолитного бетона непосредственно на дно.

Формула изобретения

1. Способ строительства тоннеля мелкого заложения, включающий выполнение рассосредоточенных по трассе тоннеля вертикальных камер и продвижение между ними проходческого щита по мере выемки грунта с наращиванием в щите тоннельной обделки, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности производства работ за счет предотвращения осадок земной поверхности и отклонений тоннеля от проектной трассы, перед продвижением щита с земной поверхности по трассе тоннеля разрабатывают траншею, на

дно которой опорными поверхностями опирают выпуклую вверх оболочку с внутренним радиусом кривизны, равным радиусу наружной поверхности проходческого щита и производят последующую обратную засыпку траншеи, при этом продвижение проходческого щита осуществляют при контактировании его кровли с внутренней

поверхностью оболочки.

2. Способ по п. 1,отличающийся

тем, что траншею разрабатывают с образованием днища, выпуклого вверх в пределах пролета оболочки и выполненного с радиусом кривизны, равным радиусу внутренней поверхности оболочки.

-

Изобретение относится У строительству, Цель изобретения повышение эффективности производства работ за счет предотвращения осадок земной поверхности и отклонений тоннеля от проектной трассы. По трасер тоннеля выполняют вер тикальные камеры 1, 2, служащие для ввода и вывода проходческого щитя 3, и опускают с поверхности последний, например, о камеру 1. По трассе тоннеля разрабатывают траншею, на дно которой опорными плоскостями устанавливают выпуклую вверх оболочку 6 с внутренним радиусом кривизны Ro, равным радиусу Рщ наружной поверхности щита 3, и производят обратную засыпку 7 траншеи. Продвижение щита 3 осуществляют при контактировании его кровли с внутренней поверхностью оболочки 6 При продвижении щита под его зашитой разрабатывается грунт и выдастся на поверхность через камеру 1 БлагодаряоЬолочке б, ее опорным частям, вынесении за пределы тоннеля, и качественной обратной засыпке 7 просадка земной поверхности практически исключается. Щит 3 движется в направляющей образованной оболочкой 6, и не отклоняется от проектной грассы 1 з п. ф-лы, 5 ил. СП с

/

Y/

/// /// /// /У/7/7 //7 ///

фиг.1

сригЗ

/

я,

фиэ.5