Способ определения среднего положения остаточного заряда диэлектриков Советский патент 1991 года по МПК G01R29/12 

Изобретение отнгс тся ч эпектро- измерениям и может бы г г. и чгльтовано для определения среднего nor ен/н остаточного заряда в плоских д.ппект- риках (олектретах) . Цель изобретения - повышение точности и упрощение измерений. Для осуществления способа образец перемещают в зазоре измерительного плоского вибрационного конденсатора с одним вибрирующим электродом. В различных положениях образца измеряют величину зазора между неподвижным электродом конденсатора и образцом, а также величину электрического тока во внешнем проводнике, гальванически соединяющем обе обкладки конденсатора. Искомую величину вычисляют по формуле х Г L , где х - среднее положение заряда, отсчитываемое от поверхности образца, обращенной к неподвижному электроду; 1,1 о - величины зазоров между образцом и неподвижным эпектродом для первого и второго положений образца; . - амплитуды токов вибрационного конденсатора для первого и второго положений образца; Ј - относительная диэлектрическая проницаемость образца. 1 ил. § (Л