Изобретение относится к получению щелочно-галоидных кристаллов высокой степени чистоты, широко используемых в фундаментальных исследованиях в качестве термолюминесцентных дозиметров ядерных излучений, лазерных сред, сред для записи информации и т.д.
Целью изобретения является повышение степени очистки.
П р и м е р 1. Для очистки был взят монокристалл CsBr диаметром 16 мм и длиной 15 мм с введенным в шихту при выращивании 0,005 мол.% CsOH, в который вводили электронные центры окраски электролизом твердой фазы (это более производительный метод по сравнению с прогревом в парах щелочного металла) по следующей методике.
Образец помещали в ячейку, представляющую собой плоский и острийный электроды, помещенные в нагревательное устройство. Нагревательное устройство имеет кварцевое окно для визуальных наблюдений и для воздействия УФ-светом. После выдержки кристалла 10 мин при 550°С через него пропускали ток 5-10 А в течение 1 мин, подавая на острийный электрод отрицательный потенциал. При этом в образец инжектируются электронные центры. После введения электронных центров острийный электрод заменяли на плоский. Замена острийного электрода на плоский осуществлялась для прекращения введения электронных центров и осуществления- дальнейших процедур очистки. Температуру в ячейке поднимали до 610°С, а через образец пропускали ток 10 мА (при больших
О
ю VI
о
плотностях тока может произойти электрический пробой) при одновременном облучении образца через кварцевое окно всем спектром дейтериевой лампы ДНУ-170 на расстоянии 10 см в течение,3-5 мин. Удале- ние лампы на большее расстояние требует больше времени на обработку/ Изменение концентрации ОН ионов и продуктов взаимодействия ОН ионов и электронных центров (т.е. О2 и Н ионов) контролировали спектрофотометрически по полосам поглощения соответствующих ионов. Введение электронных центров в кристалл ведет к исчезновению полосы поглощения ОН и появлению полос поглощения О и Н ионов. Термическая обработка с УФ-облучением ведет к полному исчезновению всех полос поглощения. Результаты очистки приведены в таблице.
П р и м е р 2. Для очистки был взят монокристалл CsBr размером 10x10x15 мм. Была проведена такая же процедура как в примере 1. Введение электронных центров проводили при 680°С, а термическую обработку при наложении электрического поля и УФ-облучения - при 710°С.
П р и м е р 3. Для очистки был взят монокристалл CsBr диаметром 16 мм и длиной 15 мм с введенным в шихту при выращивании 0,005 мол.% CsCOOH. Очистку проводили так же, как в примере 1.
Таким образом, способ позволяет очистить готовый монокристалл от молекулярных примесей, попавших в него в процессе выращивания, в результате длительного хранения на воздухе, отжига и других воздействий. Очистка, как показали спектрофо- тометрические исследования, происходит во всем объеме и не приводит к появлению дополнительных примесей ионов, не требует дополнительных химических реагентов и производится в короткий период времени с использованием простых устройств.
Формула изобретения Способ очистки щелочно-галоидных кристаллов от молекулярных примесей путем введения электронных центров окраски, отличающийся тем, что, с целью повышения степени очистки, центры вводят с помощью острийного электрода, после чего проводят отжиг кристалла при температуре на 10-15°С ниже температуры плавления при пропускании электрического тока не более 10 мА и одновременном облучении светом УФ-диапазона до исчезновения полос поглощения примесей,
| название | год | авторы | номер документа |
|---|---|---|---|
| Способ определения концентрации водородсодержащих примесей в ионных кристаллах | 1990 |
|
SU1755127A1 |
| Способ определения концентрации водородсодержащих примесей в ионных кристаллах | 1987 |
|
SU1539609A1 |
| СПОСОБ СОЗДАНИЯ ЛАЗЕРНО-АКТИВНЫХ ЦЕНТРОВ ОКРАСКИ В α-AlO | 2018 |
|
RU2692128C1 |
| Способ получения тонкослойных детекторов ионизирующих излучений для кожной и глазной дозиметрии, использующий стандартный детектор AlO:С на базе анион-дефектного корунда | 2018 |
|
RU2697661C1 |
| МАТЕРИАЛ, ЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ К ИОНИЗИРУЮЩЕМУ ИЗЛУЧЕНИЮ | 1993 |
|
RU2054696C1 |
| Способ очистки щелочно-галоидных монокристаллов | 1990 |
|
SU1818365A1 |
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОПТИЧЕСКИХ ЭЛЕМЕНТОВ ДЛЯ ЛАЗЕРОВ | 1981 |
|
SU1028100A1 |
| СПОСОБ ОБРАБОТКИ ВЕЩЕСТВА ТВЕРДОТЕЛЬНОГО ДЕТЕКТОРА ИОНИЗИРУЮЩИХ ИЗЛУЧЕНИЙ НА ОСНОВЕ ОКСИДА АЛЮМИНИЯ | 2003 |
|
RU2229145C1 |
| Способ получения щелочно-галоидных монокристаллов | 1990 |
|
SU1730220A1 |
| СПОСОБ ТЕРМОЛУЧЕВОЙ ОБРАБОТКИ ВЕЩЕСТВА ТЛ-ОСЛ ТВЕРДОТЕЛЬНОГО ДЕТЕКТОРА ИОНИЗИРУЮЩИХ ИЗЛУЧЕНИЙ НА ОСНОВЕ ОКСИДА АЛЮМИНИЯ | 2013 |
|
RU2532506C1 |
Изобретение относится к области получения щелочно-галоидных кристаллов высокой степени чистоты, широко используемых в фундаментальных исследованиях в качестве термолюминесцентных дозиметров ядерных излучений, лазерных сред, сред для записи информации. Способ позволяет повысить степень очистки. Очистку кристалла от молекулярных примесей проводят путем введения в него острийным электродом электронных центров окраски. Продукты взаимодействия электронных центров с молекулярными примесями выводятся из объема кристалла последующим отжигом при температуре на 10-15°С ниже температуры плавления при пропускании электрического тока не более 10 мА и одновременном облучении УФ-светом до исчезновения полос поглощения примесей. 1 табл. сл с
CsBrДо очист5,9
5,9
| Попова М.Г | |||
| и Борисенко ТВ | |||
| Распад кислородсодержащих анионов в ЩГК при аддитивном окрашивании | |||
| Тезисы докл | |||
| V конф, молодых ученых ВУЗов Иркутской области, ч.1, Иркутск, 1987, с | |||
| Способ получения борнеола из пихтового или т.п. масел | 1921 |
|
SU114A1 |
