Устройство для очистки поверхностей от налипших веществ Советский патент 1991 года по МПК B08B7/02 B08B3/10 

Изобретение относится к устройствам для очистки поверхностей от налипших веществ и может быть использовано, например, при производстве сухих молочных продуктов.

Цель изобретения - повышение качества очистки путем увеличения импульса си- лы, передаваемого на очищаемую поверхность.

На чертеже изображено предлагаемое устройство, общий вид.

Устройство для очистки поверхностей от налипших веществ содержит многослойную и электромагнитную катушку 1, подключенную к источнику 2 импульсов тока, рабочую парамагнитную пластину 3 из материала с высокой электропроводностью, выполненную в виде диска, расположенную между электромагнитной катушкой 1 и очищаемой поверхностью технологического оборудования. Слои катушки выполнены в виде спиралей из изолированного проводника прямоугольного сечения, согласно

включенных и соосно расположенных друг относительно друга и залитых эпоксидным компаундом 4.

Катушка 1 имеет следующие конструктивные параметры: п - внешний радиус, п- - внутренний радиус. Проводник намотки имеет параметры: В - толщина шины; Виз - толщина изоляции шины; h - высота проводника.

Устройство работает следующим образом.

От источника 2 импульсного тока, например емкостного накопителя энергии,выполненного по одной из известных схем, через токоподвод подается импульс тока в электромагнитную катушку 1, в результате чего создается сильное импульсное магнитное поле, которое индуцирует вихревые токи в пластине. За счет взаимодействия импульсного магнитного поля с вихревыми токами в пластине 3 последняя получает импульс силы и передает его очищаемой поверхности, в которой возникают упругие

сл

с

о ю о о

колебания. Под воздействием колебаний происходит очистка поверхности от налипшего вещества.

КПД устройства очистки является отношение механической энергии, передаваемой очищаемой поверхности, к энергии, запасенной в источнике импульсов тока, м характеризуется-импульсом силы, получаемым обшивкой в результате взаимодействия электромагнитной катушки 1 и пластины 3.

С целью повышения КПД устройства количество слоев в катушке нужно выбирать исходя из соотношения 2 N 5. В этом случае на очищаемую поверхность передается наибольший импульс силы, величина которого на 20-35% больше, чем при использовании однослойных катушек, что обусловлено увеличением электромагнитной связи между катушкой и пластиной. С ростом числа слоев более 5 величина импульса силы снижается из-за значительною ослабления электромагнитной связи с пластиной наиболее удаленных слоев катушки и становится соизмеримой t величиной импульса силы, создаваемой однослойной катушкой.

Высота токопроводящей шины спирали в случае 2 N 5 выбирается исходя из соотношений

приМ-2 О.. : 1.7 She Ј19,

приМ-3 0.35 0.9;

при N- 4 032 S ,15

13 Ј hc S 13 ;

155 Sh. ;

приМ-5 ОЛ .65; U She 310.

Вне диапазонов, определяемых соотношениями, решающим фактором, влияющим на уменьшение импульса силы, оказывается

увеличение активных потерь или уменьшение электромагнитного взаимодействия между катушкой и пластиной.

По сравнению с известным предлагаемое устройство позволяет увеличить импульс силы, передаваемый на очищаемую обшивку, на 20-35% при тех же параметрах источника: импульсов тока, а следовательно, и КПД устройства для очистки поверхностей от налипания веществ.

Формула изобретения Устройство для очистки поверхностей от налипших веществ, содержащее электромагнитную катушку, подключенную к источнику импульсного питания, парамагнитную пластину, расположенную в терце электромагнитной катушки с возможностью взаимодействия с очищаемой поверхностью, отличающееся тем, что, с целью повышения качества очистки, обмотка электромагнитной катушки выполнена в виде многослойной спирали, в которой слои расположены соосно и включены согласно, причем обмотка выполнена из изолированного проводника прямоугольного сечения, а количество слоев обмотки IM, число витков в слое VV, высота проводника прямоугольного сечения hc выбираются из следующих соотношений: 2 N 5

5

приЫ-7 0, si%Ј и 1,1 ; 1 7 S h Ј 59 ;

33S i 13 hcS13:

. 6 SMyv n - rj

,8 BtiaW П -4

приМ,

it- 4 0.32 S при Ы- G 0,3

SfflS i «5 She 5 11 0,65 : 2 S he Ј 10 .

где n - внешний: га - внутренний радиусы катушки, мм;

Виз - толщина изоляции спирали, мм.

Изобретение позволяет повысить качество очистки поверхностей от налипших веществ. Устройство содержит многослойную электромагнитную катушку 1, число N слоев которой, число W витков в слое и высота h токопроводящей шины спирали намотки выбираются из условий оптимального КПД катушки. 1 ил.