МАГНИТНЫЙ ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ Советский патент 1965 года по МПК G11C11/08 

Описание патента на изобретение SU169874A1

Известны магнитные элементы памяти с форсировкой режима записи. Каждый такой элемент выполнен в виде пластины из материала с прямоугольной петлей гистерезиса, имеющей три отверстия, расположенных на одной осевой линии. Ширина перемычек, образованных в пластине этими отверстиями, равна 5 вдоль осевой линии и 2S вдоль прямых, проходящих через центры отверстий и перпендикулярных осевой лпнии. Через первое отверстие пропущен провод запрета, через второе - провод записи, через третье - выходной нровод.

Известен магнитный элемент памяти с тремя отверстиями, позволяющий осуществлять быстрое считывание информации без ее разрущения.

Предлагаемый магнитный элемент памяти отличается от известных тем, что он имеет, кроме трех отверстий, четвертое и пятое отверстия, через которые пропущен провод считывания. Центры четвертого и пятого отверстий расиоложены на -проходящей через центр третьего отверстия прямой, перпендикулярной прямой, соединяющей центры первого, второго и третьего отверстий (осевой линии). Ширина иеремычвк в пластине вдоль прямой, проходящей через центры третьего, четвертоПредлагаемый магнитный элемент памяти позволяет сочетать форсированную запись с быстрым считыванием информации без ее разрущения.

На фиг. 1 даны внещний вид элемента и расположение обмоток; на фиг. 2 - временная диаграмма следования импульсов в режиме записи; на фиг. 3, а, б, в, г - направление векторов индукции в перемычках магнитного элемента памяти при воздействпп управляющих токов.

Элемент представляет феррптовую пластину с 1иятью отверстиями I-5, одинаковую по толщине.

Отверстия образуют в ферритовой пластине перемычки 6-15. Ширина перемычек 6-9

равна S, щирина перемычек 10-11-IS, а

перемычек 12-15.

Через отверстие / проходит провод 16 тока /о запрета для записи «О, через отверстие 2- провод 17 тока /i и /о для записи информации, через отверстие 3 - выходной провод 18, с которого снимается напряжение /вых. через отверстия 4 и 5 - провод 19 тока /з считывания.

записи «О одновременно с током /о по проводу 16 лодают ток /0.

Направление векторов пндмкции в перемычках магнитного элемента памяти после подачи тока /i изображено на фиг. 3,а. При записи «1 устанавливается состояиие, изображенное на фиг. 3,6. При записи «О направление вектора индукции в перемычке 6, устаноБизшейся после действия тока /ь ие изменяется, а из.ченяется только направление индукции в перемычках 7 и 5 (см. фиг. 3,в).

. В запоминающем устройстве возможен случай, на (магнитный элемент памяти, в котором хранится «1, действует ток /о, при этом перемагничиваются леремычки 6 и 8 (см. фиг. 3,г).

Из фигур, соответствующих состоянию «1 (см. фиг. 3,6) и «О (см. фиг. 3,8), следует, что направления векторов индукции перемычек 12-15 в этих случаях противоположны. Подача тока /з по проводу 19 создает в этпх перемычках поле, действие, которого ириводит к обратимому изменению потока в перемычке Я охватываемой выходной обмоткой JS и, следовательно, к появлению в последней сигналов, отличающихся полярностью в случае считывания «1 и «О.

Предмет изобретения

Магнитный элемент палшти, выполненный в виде пластины из 1Материала с прямоугольпой петлей гистерезиса, с тремя отверстиями, центры которых расположены на одной прямой так, что перемычки, образованные в пластине этими отверстиями, имеют одинаковую щирину 5 вдоль упомянутой прямой и ширину 25 вдоль проходящих через центры отверстий прямых, перпендикулярных прямой, соединяющей эти центры, причем через первое отверстие пропущен провод запрета, через второе отверстие - провод записи, а выходной провод проходит через третье отверстие, отличающийся тем, что, с целью сочетания форсированной залиси и быстрого считывания инфор:мации без ее разрушения, магнитный элемент памяти имеет четвертое и пятое

отверстия, через .которые .пропущен провод считывания, а центры четвертого и пятого отверстий расположены на проходящей через центр третьего отверстия прямой, иерпендикулярной прямой, соединяющей центры иервого, второго и третьего отверстий, причем ширина иеремычек в иластине вдоль прямой, проходящей через центры третьего, четвертого и пятого отверстий, равна - . 1ОЮ1О

О

Похожие патенты SU169874A1

название год авторы номер документа
КООРДИНАТНЫЙ ТРАНСФОРМАТОР ЗАПОМИНАЮЩЕГО 1973
  • В. П. Хведынич М. Барац
SU367457A1
Магнитный запоминающий элемент 1974
  • Тимофеев Александр Орестович
SU520621A1
ФЕРРЙТОВЫЙ ЗАПОМИНАЮЩИЙ ЭЛЕМЕНТ 1967
SU192861A1
СОЛЕНОИД ЦЕЗИЕВОЙ АТОМНО-ЛУЧЕВОЙ ТРУБКИ 2012
  • Голеницкий Иван Иванович
  • Духина Наталья Германовна
  • Плешанов Сергей Анатольевич
  • Мешков Валерий Алексеевич
  • Харченко Лидия Александровна
  • Балалина Марина Алексеевна
RU2487449C1
Магнитный запоминающий элемент 1975
  • Балашов Евгений Павлович
  • Водяхо Александр Иванович
  • Тимофеев Александр Орестович
  • Шумилов Лев Алексеевич
SU516099A1
МНОГОФУНКЦИОНАЛЬНЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ ЗАПОМИНАЮЩИЙ ЭЛЕМЕНТ 1973
SU430442A1
Магнитный запоминающий элемент 1975
  • Тимофеев Александр Орестович
  • Водяхо Александр Иванович
SU532898A1
ЭЛЕМЕНТ МАГНИТНОЙ РАЗВЯЗКИ 1968
SU217049A1
Магнитный запоминающий элемент 1975
  • Балашов Евгений Павлович
  • Водяхо Александр Иванович
  • Тимофеев Александр Орестович
  • Шумилов Лев Алексеевич
SU516098A1
Запоминающее устройство 1975
  • Лапшин Антонин Иванович
  • Савелов Александр Зосимович
SU529482A1

Иллюстрации к изобретению SU 169 874 A1

Реферат патента 1965 года МАГНИТНЫЙ ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ

Формула изобретения SU 169 874 A1

О

SU 169 874 A1

Даты

1965-01-01Публикация