Способ мечения контролируемых объектов Советский патент 1992 года по МПК G06K9/00 A01K11/00 

Изобретение относится к автоматике, в частности к способу мечения контролируемых объектов, и может быть использовано при идентификации распознаваемых объектов.

Цель изобретения - повышение надежности мечения объектов.

На фиг.1 изображены схемы примеров облучения диэлектрического материала; на фиг.2 - схема химической обработки полимерной пленки; на фиг.З - входные отверстия противонаправленных сквозных микроканалов.

Способ заключается в следующем.

Исходный материал, в качестве которого выбирается диэлектрический материал, обладающий свойством образовывать травимые треки при облучении его ионами, облучают ионами плотностью 104-109 ион/см2. Ион,- проникая в диэлектрический материал,вдоль своего пути (трека) оставляет скрытые рациональные повреждения. Облученный диэлектрический материал помещают в селективно

травящий раствор. Вдоль скрытых радиационных повреждений скорость растравливания выше, чем в остальном диэлектрическом материале, в результате чего в диэлектрическом материале образуются микроканалы, видимые в оптический микроскоп. Именно благодаря наличию микроканалов, а точнее их расположению в диэлектрическом материале обязана метка своей высокой степенью индивидуальности.

В дальнейшем диэлектрический материал с микроканалами промывают, высушивают, при необходимости разрезают на фрагменты, нумеруют клеймом и крепят на контролируемом объекте либо помещают в кассеты. Идентификацию производят путем сравнения образа метки - фотографии расположения микроканалов, сделанной с помощью оптического микроскопа, с контрольной фотографией либо непосредственно, наблюдая метку в оптический микроскоп.

(Л

С

со ю ю

П р и м е р 1. На поверхность лавсановой (полиэтилентерефталат) пленки толщиной 20 мкм механическим способом при помощи клейма наносят опорные знаки в виде круга диаметром 100 мкм через каждые 10мм , затем пленку облучают пучком тяжелых ионов с энергией 10 мэВ /нукл с плотностью 106 ион/см2 ( фиг,1а), травят в 20%-ном растворе NaOH при 70°С до образования микроканалов 0 5 мкм. Время травления подбирают для каждого типа пленки. После травления пленку промывают и высушивают (фиг.2). Пленку с протравленными каналами разрезают на фрагменты так, что на каждом фрагменте - опорный знак. Дальше готовую метку прикрепляют к контролируемому объекту и с помощью оптического микроскопа и фотоаппарата изготавливают образ метки, фотографируя расположение микроканалов в области, находящейся внутри опорного знака.

Пример2.На поверхность лавсановой пленки толщиной 100 мкм механическим способом при помощи устройства для изготовления дифракционных решеток наносят координатную сетку с шагом 100 мкм, затем пленку облучают осколками деления (фиг.1в), Время облучения подбирают так, что плотность осколков в пленке 106 ион/см2. Облученную пленку кладут на время в сейф с радиационной защитой для уменьшения радиационной активности до безопасной величины. Затем пленку травят в 20%-ном растворе NaOH при 70°С до образования микроканалов диаметром 5 мкм. Время травления определяют экспериментально. После травления пленку промывают и высушивают. Пленку с протравленными каналами разрезают на фрагменты площадью 25 мм2, а готовые метки наклеивают на контролируемый объект и покрывают тонким слоем защитного

прозрачного лака.

Формул а изобрете н и я Способ мечения контролируемых объектов, основанный на нанесении метки из

диэлектрического материала на контролируемый объект, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности мечения, на поверхность диэлектрического материала наносят координатную сетку с заданным шагом облучают ее пучком ионов с плотностью ион/см2, затем травят в 20%-ном растворе NaOH до образования микроканалов на поверхности диэлектрика.

нд лдбсднобой пленки

Изобретение относится к автоматике, в частности к способу мечения контролируемых объектов, и может быть использовано при идентификации распознаваемых объектов. Цель изобретения состоит в повышении надежности мечения. Поставленная цель достигается тем, что на поверхность диэлектрического материала наносят координатную сетку с заданным шагом, облучают ее пучком ионов с плотностью 104-109 ион/см2 и затем травят в 20%-ном растворе NaOH до образования микроканалов на поверхности диэлектрика, а также тем, что в качестве диэлектрического материала используют слюду, кварц, оливин, полимеры, полиэти- лентерефталат и т.п. 3 ил.

палинеоняя пленка

-©

з в ава а иУ s

.-колпиьятар

S&&MXWXX д««

V4C; .;-. ;v -/:-ЯЬ:-:-/: 1 падяохкя са своем

1 t t f t t t t t

«ClirfUH

©}

огюд ускорителя

ПУЧРК гяхе/п/х ионол

.держатель с кристаллом

К6ЯРЦЯ

-©

TV/

МИНА ТРл&лейия ВАНН ntoHMtut

л Л

Редактор И. Шулла

Составитель А. Романов Техред М.Моргентал

I

Фиг. 2

Риг.З

Корректор О.Ципле