Способ удаления защитных полимерных покрытий Советский патент 1992 года по МПК C09D9/00 

Изобретение относится к способам удаления защитных полимерных материалов (покрытий), нанесенных на поверхность полупроводникового кристалла, например, при проведении анализа отказов микросхем.

Целью изобретения является повышение скорости удаления покрытий.

Раствор неорганической кислотной смывки готовят следующим образом.

Взвешивают расчетное количество хромового ангидрида и растворяют его в расчетном количестве воды при помощи стеклянной палочки.

Затем в полученный раствор при перемешивании небольшими порциями добавляют соответствующие количества серной и азотной кислоты. В таблице представлены примеры, иллюстрирующие данный способ и данные по эффективности способа.

Анализируемые микросхемы были защищены различными полимерными материалами-лаками 159-191, 159-167; АД-9103, компаундами серии КЭН, при этом толщина

покрытия составляла от нескольких десятков (для АД 9103 ИС) до нескольких сотен (для 159-191, 159-167.КЭН1, КЭН2, КЭНЗ) микрон. Лаки 159-191 и 159-167 представляют собой смесь кремнийорганического винилсодержащего каучука олигомети лгид- ридметилсилоксана с катализатором-(П-1 или АП-1) и с различными наполнителями, например двуокисью титана. Лак АД-9103 ИС является раствором полиамидокислоты в диметилформамиде. Компаунды серии КЭН представляют собой кремний-органический эластичный низкомолекулярный материал с наполнителем.

Микросхемы в соответствии с данным способом помещают в раствор и обрабатывают в соответствии с технологическими режимами, указанными в таблице. После обработки изделия промывают в проточной деионизированной воде не менее 2 мин. Полноту удаления материалов и устойчивость кристаллов микросхем контролируют с помощью микроскопа ПМТ-3 при 130х уве- - личении.

ю

д XI

Формула изобретения Способ удаления защитных полимерных покрытий с поверхности полупроводниковых кристаллов путем обработки их водным раствором смывки на основе неорганической кислоты при 70-80°С, отличающийся тем, что, с целью повышения скорости удаления покрытий, в качестве

смывки используют водный раствор, включающий, мас.ч.: ..

Хромовый ангидрид 1,5-2,5

Азотная кислота (уд.вес. 1,42 г/см3) 4,0-7,0

Серная кислота (уд.вес. 1,83 г/см 120,0-180,0

Вода 1,5-2,5

Изобретение относится к удалению покрытий, в частности к поверхности полупроводниковых кристаллов. Изобретение позволяет повысить скорость удаления покрытий за счет осуществления способа уда- ления путем обработки изделий с покрытием в водном растворе смывки при , в качестве которой используют кислотную смывку состава, мае.ч.: хромовый ангидрид 1,5-2,5; азотная кислота (уд. вес. 1,42 г/см У 4,0-7,0; серная кислота (уд.вес. 1,83 г/см 3) 120,0-180,0; вода 1,5-2,5. 1 табл.