Шихта сегнетокерамического материала для термостабильных конденсаторов Советский патент 1992 года по МПК C04B35/46 H01G4/12 

ле температур от -60 до 125°С по группе Н20,т.е. ДЈ/Ј20°с не превышает+20%.

Однако такая шихта характеризуется недостаточно высокой температурной стабильностью диэлектрической проницаемости.

Цель изобретения - повышение температурной стабильности материала при сохранении высокой диэлектрической проницаемости, а также обеспечение высокой эластической прочности и малого изменения диэлектрической проницаемости при воздействии постоянного электрического поля.

Поставленная цель достигается тем, что шихта сегнетокерамического материала, включающая термически разложенный титанил-оксалат бария, (V) оксид ниобия и добавку, содержит в качестве добавки оксид кобальта при следующем соотношении компонентов, мас.%:

Титанил-оксалат бария

ВаТЮ(С2СМ)2.4Н2099,11-99,35

Оксид ниобия (V) Nb20s 0,57-0,73

Оксид кобальта СозО 0,08-0,16

Предлагаемый материал готовят по обычной керамической технологии как путем сухого помола и смешения в вибромельнице в течение 4 ч, так и мокрым помолом в шаровой мельнице в течение 24 ч. Рекомендуемая удельная поверхность готовой шихты материала 2 м /ч.

Предварительно перед смешением компонентов проводят прокалку титанил-окса- лата бария при 1100°С, в результате чего образуется титанат бария ВаТЮз, к которому добавляются оксиды ниобия и кобальта в количествах, обеспечивающих заявляемое отношение. Свойства материала проверяют на дисках, оформленных методом прессования, обжиг заготовок проводят в электропечах при 1360-1460°С, в качестве электродов используют серебро.

Электрические свойства предлагаемого материала и материала-прототипа представлены в таблице. Относительное изменение диэлектрической проницаемости в интервале температур от - 60 до 125°CAf/ Ј20°с определяют следующим образом: измеряют температурную зависимостью и вычисляют относительное ее изменение по формулам:

Де -бо°с

Ј20°С ДЈ.+125°С

. Ј -60°С - Ј 20°С .

Ј 20°С Ј +125°С - Ј 20°С

Ј20°СЈ20°С

Аналогично определяют Де /Ј20°с в других точках температурного интервала.

Расчет относительного изменения диэлектрической проницаемости при воздействии постоянного электрического поля Де/е о проводится следующим образом: измеряют диэлектрическую проницаемость образцов без приложения постоянного напряжения (Ј ) и с приложением постоянного электрического поля Ео ( 8 о). Изменение диэлектрической проницаемости вычисляют по формуле Ае Ј о - Ј Ј оКо

Формула изобретения

Шихта сегнетокерамического материала для термостабильных конденсаторов, включающая термически разложенный ти- танил-оксалат бария (V) оксид ниобия и добавку, отличающаяся тем, что, с целью повышения температурной стабильности материала при сохранении высокой диэлектрической проницаемости, она содержит в качестве добавки оксид кобальта при следующем соотношении компонентов, мас.%: Термически разложенный титанил-оксалат бария99,11-99,35

(V) оксид ниобия0,57-0,73

Оксид кобальта0,08-0,16

Диэлектрическая проницаемость при 20°С, tjtfc 29

Относительное изменение диэлектрической проницаемости в интервале температур от-60 до 125 С, дЈ/его«с (не более)Ю

Относительное изменение диэлектрической проницаемости при воздействии постоянного электрического поля напряженностью

3100-3600 3200-3700 1900-2500 2700-11500 3000

+ 10 -12

+ 10 -АО

+10 -50

20

Сущность изобретения: шихта включает (мае. %) термически разложенный титанил- оксалат бария 99,11-99,35; пентоксид ниобия 0,57-0,73; оксид кобальта 0,08-0,16. Материал готовят по обычной керамической технологии, перед смешиванием компонентов шихты проводят прокалку титанил-окса- лата бария при температуре 1100°С. Материал, полученный из предложенной шихты, имеет следующие характеристики: епри 20°С 2900-3700, Де /Ј20°с ± 10% в интервале - 60 + 125°С. 1 табл, сл и диэлектрической проницаемостью 1500- 2000. Известен керамический материал, содержащий титанат бария, (V) оксид ниобия и другие добавки, диэлектрическая проницаемость которого составляет 2960-3100 при ее изменении в интервале температур от-60 до 125°С, равном ±14%. Наиболее близкой по технической сущности к предлагаемому изобретению является шихта сегнетокерамического материала, включающая термически разложенный титанил-оксалат бария, (V) оксид ниобия и добавки оксидов редкоземельных элементов. Материал имеет следующие электрические свойства: диэлектрическая проницаемость 3000, относительное изменение диэлектрической проницаемости в интерваVI го CS сл ю