| название | год | авторы | номер документа |
|---|---|---|---|
| СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИЙ ДИОД | 2003 |
|
RU2231171C1 |
| Светодиод торцового типа | 1986 |
|
SU1455373A1 |
| Светоизлучающий диод | 2023 |
|
RU2819047C1 |
| ГЕТЕРОСТРУКТУРНЫЙ ИНФРАКРАСНЫЙ СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИЙ ДИОД | 2022 |
|
RU2793618C1 |
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНОГО ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ЛАЗЕРА НА ОСНОВЕ ТОНКОЙ МНОГОПРОХОДНОЙ ИЗЛУЧАЮЩЕЙ p-n-ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ | 2008 |
|
RU2381604C1 |
| МЕТОД ВЫРАЩИВАНИЯ НЕПОЛЯРНЫХ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР НА ОСНОВЕ НИТРИДОВ ЭЛЕМЕНТОВ III ГРУППЫ | 2006 |
|
RU2315135C2 |
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ НИТРИДНОГО СВЕТОИЗЛУЧАЮЩЕГО ДИОДА | 2019 |
|
RU2721166C1 |
| ИНЖЕКЦИОННЫЙ ИЗЛУЧАТЕЛЬ | 2005 |
|
RU2300826C2 |
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ НИТРИДНОГО СВЕТОИЗЛУЧАЮЩЕГО ДИОДА | 2018 |
|
RU2690036C1 |
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДИОДОВ СРЕДНЕВОЛНОВОГО ИК ДИАПАЗОНА СПЕКТРА | 2016 |
|
RU2647979C1 |
Светодиод торцового типа, содержащий двойную гетероструктуру, расположенную на непоглощающей подложке, контакты к поверхности подложки и эмиттерному слою гетероструктуры, отличающийся тем, что, с целью повышения мощности излучения и его внешнего квантового выхода, поверхность подложки с контактом выполнена под углом (
) к плоскости излучающего торца, а величина угла α удовлетворяет условию
где D - максимальная толщина подложки;
L - длина светодиода в направлении выхода излучения;
γ - угол полного внутреннего отражения.
