СПОСОБ ЗАРЯДКИ ФОТОПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СЛОЕВ Советский патент 1965 года по МПК G03G13/02 

Известен способ зарядки фотоиолупроводниковых слоев на высокоомных подложках, заключающийся в том, что зарядку слоя производят со стороны полупроводника многократно. Многократное использование фотополупроводникового слоя приводит к снижению его электрофотографической чувствительности.

Предлагаемый способ отличается от известного тем, что зарядку слоя производят со стороны подложки зарядом противоположного знака. Это позволяет сохранить чувствительность фотополупроводникового слоя при многократном его использовании. Способ заключается в следуюпдем.

В поле положительного заряда производят электризацию слоя, причем заряд наносят со

стороны бумажной подложки. Экспонирование производят со стороны слоя полупроводника. Проявление осуществляют обычным проявителем.

Для осуществления предложенного способа используется обычная электрофотографическая аппаратура.

Предмет изобретения

Способ зарядки фотополупроводниковых слоев на высокоомных подложках, отличающийся тем, что, с целью сохранения чувствительности фотополупроводникового слоя при многократном его использовании, зарядку слоя производят со стороны подложки зарядом противоположного знака.