СПОСОБ ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН Советский патент 2004 года по МПК H05H1/00 H01L21/302 

Способ плазмохимического травления полупроводниковых пластин, включающий напуск и откачку рабочего газа до заданной величины давления P в реакционной камере, генерацию индукционного ВЧ-разряда в кварцевой разрядной камере с помощью навитой по форме камеры катушки индуктивности, размещенной над держателем пластин и соединенной с ВЧ-генератором, и создание постоянного магнитного поля в разрядной камере с помощью источника магнитного поля, расположенного снаружи камеры, отличающийся тем, что, с целью повышения селективности и скорости травления при сохранении низкого уровня радиационных повреждений, магнитное поле создают с помощью источника магнитного поля, выполненного в виде соленоида, охватывающего индуктор, по которому пропускают ток I, при этом число ампер-витков соленоида выбирают в соответствии с соотношением

где P - давление газа в реакционной камере, Па;
K₁=10² A•кг^-1с²;
l - длина индуктора, м;
D - внешний диаметр индуктора, м;
n - число витков соленоида.