Способ получения пленок теллура Советский патент 1992 года по МПК C30B23/02 C30B29/02 

Изобретение относится к способам осаждения пленок теллура на полупроводниковые подложки и может быть использовано при изготовлении изделий электронной техники.

Известен способ осаждения пленок теллура путем испарения мишени. Сущность его заключается в том, что молекулы испаряющего вещества осаждают на предварительно обработанную химико-динамическим способом подложку.

Недостатком известного способа является наличие неудовлетворительного качества границы раздела пленка - подложка. Это продемонстрировано на фиг.1, где показано электронно-микроскопическое изображение среза: пленка - подложка . На химически обработанную поверхность была напылена пленки теллура.

Режимы напыления следующие: температура осаждения 180°С; температура испарителя fss37Q°C. Испарение теллура осуществлялось из танталовой лодочки путем резистивного нагрева. Остаточное давление в вакуумной камере -8-10 мм рт.ст. Из фиг.1 видно, что на границе раздела существует переходная область 3 (1 пленка; 2 - подложка), наличие которой неудовлетворительно сказывается на механических свойствах пленок теллура, т.е. имеет место их отслаивание от подложек при термоударе.

Цель изобретения - увеличение сцепления пленки с подложкой и повышение стойкости пленок к термоудару.

Способ осуществляют следующим образом. Поверхность подложки подвергают хи- мико-динамической полировке, затем отмывают в деионизированной воде, сушат в потоке сухого азота, производят термоотжиг в вакууме при температуре, при которой происходит эффективное испарение анионной составляющей кристаллической матрицы, затем напыляют пленку теллура.

Пример. Наносили пленки теллура на ZnSe. Перед напылением подложки ZnSe отжигали в вакууме (Р 5 10 мм рт.ст.) в течение 1 ч при температуре Т - 400- 500°С. Пленки Те толщиной «1 мм напыляли при соблюдении выше изложенных технологических режимов.

Результаты представлены на фиг.2. Видно, что при проведении технологиче(Л

С

xj о

X

g

О

ских приемов перед напылением пленок Те, темная полоса на границе раздела исчезает; это существенно повышает ее механические свойства, что подтвердили результаты испытаний на термоудар по схеме 300 К К К.

По сравнению с прототипом, технико- экономический эффект о т предлагаемого изобретения заключается в проведении предварительного отжига подложек ZnSe при тем пературе, способствующей обеднению поверхности атомами Se и усилению диффузии Те через границу раздела, в результате чего увеличивается коэффициент сцепления полупроводниковой пленки с поверхностью полупроводниковой подложки, что ведет к увеличению надежности электронных приборов. Это связано с тем, что после данной обработки отсутствует переходный слой на границе раздела слой - подложка.

Формула изобретения Способ получения пленок теллура путем испарения исходного теллура и осаждения паров на предварительно очищенную

и нагретую подложку, выбранную из соединений групп H-VI, отличающийся тем, что, с целью увеличения сцепления пленки с подложкой и повышения стойкости пленки к термоудару, в качестве подложки берут селенид цинка и перед напылением ее отжигают в вакууме при 400-500°С не менее 1 ч.

Использование: в электронной технике. Сущность изобретения: подложку из селе- нида цинка отжигают в вакууме при 400- 500°С в течение не менее 1 ч. Затем на нее проводят осаждение пленок теллура. Обеспечивается увеличение сцепления пленки с подложкой и повышение стойкости пленки. 2 ил.

Фиг 1

фиг 2