(51)5 С 30 В 23/02. 29/02
| название | год | авторы | номер документа |
|---|---|---|---|
| Способ получения пленок теллура | 1989 |
|
SU1767049A1 |
| СПОСОБ МЕТАЛЛИЗАЦИИ ПОЛИМЕРНОЙ ПЛЕНКИ | 1992 |
|
RU2050419C1 |
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ РЕЗИСТИВНЫХ И ОПТИЧЕСКИ НЕЛИНЕЙНЫХ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР НА ОСНОВЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ И ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ | 1993 |
|
RU2089656C1 |
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МНОГОСЛОЙНЫХ МАГНИТНЫХ ПЛЕНОК | 2002 |
|
RU2233350C2 |
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛЯРИЗАЦИОННО-ЧУВСТВИТЕЛЬНОЙ НАНОКОМПОЗИТНОЙ ПЛЁНКИ НА ОСНОВЕ СЕЛЕНИДА МЕДИ | 2020 |
|
RU2758150C1 |
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ОПТОЭЛЕКТРОННЫХ ПРИБОРОВ | 1983 |
|
SU1829804A1 |
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ, РЕЗИСТИВНЫХ И ОПТИЧЕСКИ НЕЛИНЕЙНЫХ КОМПОЗИЦИОННЫХ ПЛЕНОК НА ОСНОВЕ ВЫСОКОПРЕЛОМЛЯЮЩИХ И НИЗКОПРЕЛОМЛЯЮЩИХ МАТЕРИАЛОВ | 1994 |
|
RU2103846C1 |
| СПОСОБ НАПЫЛЕНИЯ ПЛЕНКИ НА ПОДЛОЖКУ | 2000 |
|
RU2185006C1 |
| Способ получения фоточувствительных кестеритных пленок | 2020 |
|
RU2744157C1 |
| Способ изготовления многослойного цветного экрана | 1980 |
|
SU940252A1 |
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ
ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ
ПРИ ГКНТ СССР
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
1
(21)4772024/26 (22)22.12.89 (46)07.10.92. Бюл. № 37
(71)Львовский научно-исследовательский институт материалов
(72)П.С.Кособуцкий, П.В.Водолазский, З.А.Хапко и М.И.Глыва
(56) 1. Джеман Н. Саул. Научные основы вакуумной техники, М., Мир, 1964.
Изобретение относится к способам осаждения пленок теллура на полупроводниковые подложки и может быть использовано при изготовлении изделий электронной техники.
Известен способ осаждения пленок теллура путем испарения мишени. Сущность его заключается в том, что молекулы испаряющего вещества осаждают на предварительно обработанную химико-динамическим способом подложку.
Недостатком известного способа является наличие неудовлетворительного качества границы раздела пленка - подложка. Это продемонстрировано на фиг.1, где показано электронно-микроскопическое изображение среза: пленка - подложка . На химически обработанную поверхность была напылена пленки теллура.
Режимы напыления следующие: температура осаждения 180°С; температура испарителя fss37Q°C. Испарение теллура осуществлялось из танталовой лодочки путем резистивного нагрева. Остаточное давление в вакуумной камере -8-10 мм рт.ст. Из фиг.1 видно, что на границе раздела существует переходная область 3 (1 1ШШЮЗШЙИШИО-ТШаЧЕШЯ
БИБЛИОТЕКА
(54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПЛЕНОК ТЕЛЛУРА
(57) Использование: в электронной технике. Сущность изобретения: подложку из селе- нида цинка отжигают в вакууме при 400- 500°С в течение не менее 1 ч. Затем на нее проводят осаждение пленок теллура. Обеспечивается увеличение сцепления пленки с подложкой и повышение стойкости пленки. 2 ил.
пленка; 2 - подложка), наличие которой неудовлетворительно сказывается на механических свойствах пленок теллура, т.е. имеет место их отслаивание от подложек при термоударе.
Цель изобретения - увеличение сцепления пленки с подложкой и повышение стойкости пленок к термоудару.
Способ осуществляют следующим образом. Поверхность подложки подвергают хи- мико-динамической полировке, затем отмывают в деионизированной воде, сушат в потоке сухого азота, производят термоотжиг в вакууме при температуре, при которой происходит эффективное испарение анионной составляющей кристаллической матрицы, затем напыляют пленку теллура.
Пример. Наносили пленки теллура на ZnSe. Перед напылением подложки ZnSe отжигали в вакууме (Р 5 10 мм рт.ст.) в течение 1 ч при температуре Т - 400- 500°С. Пленки Те толщиной «1 мм напыляли при соблюдении выше изложенных технологических режимов.
Результаты представлены на фиг.2. Видно, что при проведении технологиче
