Способ подстройки фазы в акустоэлектронных устройствах на поверхностных акустических волнах Советский патент 1993 года по МПК H03H9/00 

Изобретение относится к области аку- стоэлектроники и может быть использовано в различных акустоэлектронных устройствах, например, в полосовых фильтрах, линиях задержки и других устройствах на поверхностных акустических волнах.

Известны способы подстройки фазы в акустоэлектронных устройствах на ПАВ на основе металлических пленочных покрытий.

Известен способ подстройки фазы на

фиксированную величину с использованием

.металлопленочного покрытия, размещенного

на пьезодижлектрической подложке между

встречно-штыревыми преобразователями.

Подстройка фазы осуществляется дискретно изменением ширины металлопокры- тия, что является недостатком этого способа.

Для осуществления плавной подстройки фазы известен способ,при котором шири- на металлопокрытия изменяется воздействием, например, луча лазера на размещенное между встречно-штыревыми преобразователями металлопленочное покрытие. Этот способ принят за прототип.

Недостатком этого способа является высокая мощность лазерного луча, которая необходима для испарения металлопокрытия, как правило. AI. из-за высокой отражающей способности пленки. Повышенная мощность лазерного луча приводит к высокой температуре в зоне испарения пленки и появлению необратимых дефектов на поверх- ности пьезодиэлектрика, вызывающих ухудшение амплитудно-частотной характеристики (АЧХ) устройства (увеличение потерь в полосе пропускания, увеличение неравномерности АЧХ в полосе пропускания).

Целью изобретения является повышение технологичности и выхода годных изделий.

Поставленная цель достигается тем, что в акустоэлектронных устройствах на ПАВ, подстраиваемых по фазе, воздействие луча лазера осуществляют на предварительно нанесенный рядом с основным металлопле- ночным покрытием подслой из того же материала, что и подслой основного металлопленочного покрытия.

Способ подстройки фазы состоит в следующем.

VI

О

ел ел со

СЛ

При проектировании топологической структуры в зоне между встречно-штыревыми преобразователями предусматривается металлопокрытие, общая шина которого составляет размер, достаточный для перекрытия всего диапазона фазовой подстройки и выполнения других функций, например, экрана между входом и выходом. Металлопок- рытие наносится одним из известных методов микроэлектроники, например, одним из методов нанесения тонких металлических пленок. Как правило, тонкие проводящие пленки (AI, Аи, Си и др.) наносятся с подслоем (Va, Cr, Ni и др.) для-улучшения адгезии пленки к поверхности, С помощью избирательной фотолитографии на части металлопокрытия, соответствующей зоне подстройки фазы, снимается металл (А, Аи, Си), а подслой сохраняется полностью. Если металлопокрытие создается без подслоя, то в зоне подстройки фазы специально наносится покрытие из материала подслоя (Va, Cr, Ni) толщиной оответ- ствующей толщине подслоя (50-100 нм). Затем, с учетом вышеуказанных толщин покрытий подбирается мощность лазерного луча для удаления подслоя. Процесс удаления подслоя контролируется визуально с помощью микроскопа. Удаление пленки подслоя осуществляется методами сканирования путем перемещения микрометрическими винтами стола лазерной установки. Контроль подстройки фазы осуществляется с помощью стенда контроля, в состав которого входит фазометр.

Заявленный способ позволяет резко (в 100 и более раз) снизить мощность лазерного луча за счет различия в толщине испаряемого материала, т.к. толщина основного проводящего слоя составляет, как правило,

1000-3000 нм, а толщина подслоя - 50-100 нм, кроме того, повышается выход годных изделий после фазовой подстройки за счет отсутствия необратимых повреждений поверхности пьезодизлектрической пластины при воздействии лазерного луча. Повышается технологичность операции подгонки фазы, снижаются требования к квалификации оператора лазерной установки. Появляется возможность многократной чистки лучом зоны подгонки фазы для удаления всех остатков металлопокрытия, что увеличивает диапазон подстройки фазы.

Пример реализации. Данный способ подстройки фазы был реализован при создании фазостабильных линий задержки на подложках из танталата лития. Ширина зоны подстройки составляла около 2000 мкм, материал основного металлопокрытия А, подслоя Va. Был получен диапазон регулировки фазы 50 эл.град. на частоте 64 МГц, при мощности лазерного луча 0,1 мВт.

Изобретение относится к области аку- стоэлектроники и может быть использовано в различных акустоэлектронных устройствах, например в полосовых фильтрах. Цель изобретения - повышение технологичности и выхода годных изделий. В изделиях, подстраиваемых по фазе, воздействие луча лазера осуществляют на предварительно нанесенной рядом с основным металлопле- ночным покрытием подслой из того же материала, что и подслой основного металлопленочного покрытия. 1 з.п. ф-лы.

Формула изобретения 1. Способ подстройки фазы в акустоэ- лектронных устройствах на поверхностных акустических волнах, основанный на воздействии, например лазерного излучения на металлизированный участок поверхности звукопровода, размещенный между встречно-штыревыми преобразователями, отличающийся тем, что, с целью повышения технологичности и выхода годных изделий,

в зоне подстройки фазы дополнительно формируют подслой из материала подслоя металлизированного участка, а воздействие, например лазерным излучением осуществляется на сформированный подслой.

2. Способ по п. 1,отличающийся тем, что формирование подслоя осуществляют путем нанесения материала подслоя в зоне подстройки фазы, либо путем удаления части металлизированного участка.