П ПЛТГМТНО- .: -, I ! iliijj Ii " г-.х;!Ичв:^дя ^*^ iВ. М. Голянов Советский патент 1966 года по МПК C23C14/46 

Описание патента на изобретение SU179573A1

Изобретение относится к распылителям для образования металлических илеиок путем кондеисации иаров металлов в вакууме.

Известны установки для получения бесструктурных однослойных пленок методом катодного распыления металлов, которое производится в вакуумном посту, снабженном катодом, анодом и игольчатым клапаном для подачи инертного газа. Однако с их номощью нельзя получать узкий пучок бомбардируюидих иоиов н бесструктурные многослойные пленки, а также оттенять объекты в электронной микроскопии.

Предложен ионный точечный распылитель, г котором разрядная камера, служащая анодом, снабжена дополнительным иодвижным катодом, соленоидами, клапаном-отсекателем и клапаном тонкой регулировки давления. Соленоиды изготовлены из листовой меди с водяным охлаждением; система подачи инертного газа - из стекла. Камера объектов выполнена в виде медного термостата и снабжена управляемой снаружи металлической заслонкой, перекрывающей окно, через которое распыляемый материал постуиает в камеру объектов. Описываемый распылитель позволяет получить: точечный источник распыления, последовательное распыление нескольких мет таллов без нарущения вакуума, бесструктурные однослойные и многослойные пленки с

дозирОБко распыляемых материалов, нонижеиное давление инертного газа в разрядной камере с максимальной чистотой газовой среды.

На фнг. 1 схематнчески изображен ионный точечный распылитель; на фиг. 2 - система подачи спектрально-чистого ииертиого газа.

Разрядная камера является основой распылителя, принцип работы которого состоит в следующем. Между стационарным катодом I н подвижным катодом 2 в цилиндрической камере-аноде 3 возникает газовый разряд в виде светящегося ншура. В точке соприкосновения шнура с катодом 2, к которому подводят высокое напряжение, материал катода распыляется н через отверстие 4 в аноде нроиикает в камеру 5 объектов, где и конденсируется на любом предмете 6. По трубке 7 непрерывно подается спектрально-чистый ииертный газ, давление которого в разрядном нростраистве регулируется клапаном-отсекателем 8 и клапаном 9. Клапан-отсекатель 8 создает нужное давление инертного газа для возникновения газового разряда, а клапан 9 служнт для тонкой регулировки давления н поддержання его на одном уровне, то есть для ноддержання постоянной силы разрядного тока в течение всего нроцесса распылення. Управляют клапаном 9 снаружи при HOMOHUI экр;ии1 W. Кроме того, через клапан .9 подводят высокое отрицательное напряжение к катоду /. Подвижный катод 2 перемещается при помощи четырех ручек // в двух взаимно перпендикулярных направлениях на величину 4 мм. Это дает возможность, не нарушая вакуума и без остановки процесса распыления, получать бесструктурные многослойные пленки путем замены вещества на катоде по отношению к светящемуся шнуру газового разряда. Наблюдают за центрированием и перемещением катода через окно 12. Одно из отверстий 4 анода 3 можно перекрывать металлической заслонкой /5, управляемой снаружи, что позволяет повысить чистоту конденсата, поступающего в камеру 5 объектов, и точно дозировать распыляемый металл. Стакан 14 камеры 5 объектов изготовлен (из меди) в виде экрана для поддержания необходимой температуры предмета 6.

Анод 3, катоды / и 2 и камера 5 объектов, соприкасающиеся с газовым разрядом, как бы подвешены с помощью медного кронштейна 15 к стакану 16, что обеспечивает легкое обезгаживание этих деталей в вакууме путем принудительного прогрева перед началом распыления через стакан 16. Последний выполняет также роль холодильника, создавая условия для охлаждения анода и камеры объектов до температуры жидкого азота. Позиция 17- солеиоид.

Система подачи спектрально-ч 1стого инертного газа выполнена из стекла и состоит из стеклянного баллона 18 с инертным газом, стеклянного капилляра 19, платиновой прово-; локи 20, шлифового крана 21, резинового уплотнения 22 и подводящей трубки 7. Выполнение системы из стекла обеспечивает подачу инертного газа максимальной чистоты.

Стеклянный канилляр 19 пробивается с помощью «Тесла и платииовой проволоки 20. Струю инертного газа можно регулировать при первом пробое и при дополнительных пробоях за счет интенсивности (и времени) пробивающего разряда.

Соленоид 17 предназначен для создания постоянного магнитного поля в разрядной камере, он изготовлен из листовой меди и имеет водяное охлаждение. Электрическая обмотка соленоида выполнена из шинного медного провода с изоляцией из стеклянной ткани.

Предмет изобретения

1.Ионный точечный распылитель, выполненный в виде разрядной камеры с анодом и

катодом и системы для подачи инертного газа, отличающийся тем, что, с целью получения точечного источника распыляемого металла, разрядная камера, имеющая боковые отверстия, анодом и снабжена дополнительным подвижным катодом, концентрически расположенной вокруг нее камерой объектов и солеиоидами.

2.Распылитель по п. 1, отличающийся тем, что. с целью различной дозировки распыляемых веществ в камеру объектов, разрядная камера снабжена управляемой снаружи заслонкой, перекрывающей боковые отверстия.

3.Распылитель по пп. 1 и 2, отличающийся тем, что, с целью создания и регулирования

необходимого давления инертного газа в разрядной камере, камера объектов снабжена клапаном-отсекателем и клапаном тонкой регулировки давления.

lSft.p-j :}- чУЧ:д«

tr-i ... . , ij

,..-,.г-,..... .-,

у

20

2-1

Похожие патенты SU179573A1

название год авторы номер документа
Установка для ионного распыления 1972
  • Голянов Вячеслав Михайлович
  • Демидов Алек Платонович
SU603701A1
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИОННО-ПЛАЗМЕННОГО ТРАВЛЕНИЯ И НАНЕСЕНИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК 2013
  • Исаев Алексей Алексеевич
RU2540318C2
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОКРЫТИЙ АЛМАЗОПОДОБНОГО УГЛЕРОДА И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ 2013
  • Семенов Александр Петрович
  • Семенова Ирина Александровна
RU2567770C2
СПОСОБ СИНТЕЗА КОМПОЗИТНЫХ ПОКРЫТИЙ TiN-Cu И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ 2017
  • Семенов Александр Петрович
  • Цыренов Дмитрий Бадма-Доржиевич
  • Семенова Ирина Александровна
RU2649355C1
Газоразрядное распылительное устройство на основе планарного магнетрона с ионным источником 2020
  • Семенов Александр Петрович
  • Семенова Ирина Александровна
  • Цыренов Дмитрий Бадма-Доржиевич
  • Николаев Эрдэм Олегович
RU2752334C1
УСТАНОВКА ВАКУУМНОЙ ОБРАБОТКИ И СПОСОБ ВАКУУМНОЙ ОБРАБОТКИ 2008
  • Рамм Юрген
  • Видриг Бено
  • Каземанн Штефан
  • Пимента Марсело Дорнеллес
  • Масслер Орлав
  • Ханзельманн Барбара
RU2472869C2
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ МИКРОСФЕР И МИКРОШАРИКОВ ИЗ ОКСИДНЫХ МАТЕРИАЛОВ 2016
  • Шеховцов Валентин Валерьевич
  • Волокитин Олег Геннадьевич
  • Скрипникова Нелли Карповна
  • Волокитин Геннадий Георгиевич
  • Чибирков Валерий Куприянович
RU2664287C2
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИОННО-ПЛАЗМЕННОГО НАПЫЛЕНИЯ 2018
  • Юшков Василий Иванович
  • Турпанов Игорь Александрович
  • Патрин Геннадий Семенович
  • Кобяков Александр Васильевич
RU2691357C1
Спектральный газоразрядный источник ультрафиолетового излучения 1980
  • Масленко Олег Ефимович
  • Цветков Валериан Дмитриевич
  • Цебоев Аланбек Иванович
  • Хузмиев Марат Агубечирович
SU892526A1
СПОСОБ НАНЕСЕНИЯ КОМПОЗИЦИОННЫХ ПОКРЫТИЙ В ВАКУУМЕ 2003
  • Барвинок В.А.
  • Богданович В.И.
  • Феоктистова О.В.
RU2256724C1

Иллюстрации к изобретению SU 179 573 A1

Реферат патента 1966 года П ПЛТГМТНО- .: -, I ! iliijj Ii " г-.х;!Ичв:^дя ^*^ iВ. М. Голянов

Формула изобретения SU 179 573 A1

SU 179 573 A1

Даты

1966-01-01Публикация