Устройство для ионно-плазменного травления материалов Советский патент 1993 года по МПК C23C14/32 

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано для прецизионного плазмохимического травления и осаждения материалов микроэлектроники, очистки поверхности изделий перёд вакуумной металлизацией.

Целью изобретение является повыше- ние скорости ионно-плазменного травления материалов.

Устройство для ионно-плазменного травления материалов (см. чертеж) содержит вакуумную камеру 1, у торцов которой соосно размещены плоские электроды 2, 3, подключенные к источникам высокочастотного (ВЧ) напряжения. Плоские электроды 2, 3 разделены заземленным сетчатым экраном 4. На электроде 3 размещено обрабатываемое изделие 5. Со стороны электрода 2, противостоящего обрабатываемому изделию 5, соосно с камерой 1 расположена электромагнитная катушка 6.

Устройство для ионно-плазменного травления работает следующим образом.

Откачивают вакуумную камеру 1 до давления на 2-3 порядка ниже рабочего. Напускают в нее рабочую смесь газов или паров. Включают источник питания электромагнитной катушки 6. Включают источник ВЧ напряжения, соединенный с электродом 2, противостоящим обрабатываемому изделию 5. Между сетчатым Экраном 4.и электродом 2 возбуждается ВЧ разряд в скрещенных переменном электрическом и постоянном магнитном полях, который является источником химически активных радикалов, распространяющихся через сетчатый экран 4 в область пространства к электроду 3 с обрабатываемым изделием 5. Затем включают источник ВЧ напряжения, соединенный с электродом 3. В области пространства у обрабатываемого изделия 5 возбуждается ВЧ разряд - источник ионов, ускоряющихся электрическим полем слоя объемного заряда.у электрода 3 и бомбардирующих изделие 5. Регулируя ВЧ мощность в разряде между электродом 2 и сетчатым

00 N0

Ј О

О

экраном 4 и ток электромагнитной катушки 6, а также ВЧ мощность в разряде между электродом 3 и сетчатым экраном 4, уста- наелива ют требуемую скорость ионно- плазменноготравления. Частота ВЧ напряжения, подаваемого на электроды 2,3 может быть одинаковой, равной, например, 13,36 МГц. Для дополнительного увеличения скорости травления на электрод 3 может быть подано ВЧ напряжение с частотой в диапазоне 0,1-0,5 МГц.

По сравнениюi.e. известными техническими решениями устройство для ионно- млдзменного травления позволяет примерно в 2 раза повысить скорость травления из-за более высокой плотности пото0

5

ка химически активных радикалов; поступающих на обрабатываемое изделие. Формул а изо б ре те ни я Устройство для ионно-плазменного травления материалов, содержащее вакуумную камеру, у торцов которой по оси камеры размещены плоские электроды, подключенные к источникам высокочастотного напряжения и разделенные заземленным сетчатым экраном, на одном из которых размещено обрабатываемое изделие, о т л и - ч а ю щ е ее я тем, что, с целью повышения скорости травления, оно снабжено электромагнитной катушкой, расположённой соосно с камерой со стороны электрода, противолежащего обрабатываемому изделию.

Использование: в электронной технике для плазменного травления и осаждения материалов микроэлектроники. Сущность изобретения: за верхним электродом соос- но с вакуумной камерой, в которой он расположен, размещают магнитную катушку. В результате повышается эффективность генерации химически активных радикалов в верхнем разрядном промежутке, возрастает их поток е область обрабатываемого изделия и увеличивается скорость травления. 1 ил.

г -

s

Т

1

«i S