Позитивный термостойкий фоторезист Советский патент 1993 года по МПК G03F7/23 G03F7/39 

Область использования: в микроэлектронике. Сущность изобретения: позитивный термостойкий фоторезист содержит, мас.%: крезолоформальдегидная смола но- волачного типа 19,45-23,1: смесь 1,2-нафтохинондиазид-(2)-5-сульфоэфир метилен- бис-{2,4)-диоксибензофенона 4.4-8,24: 1,2- нафтохинондиазид-(2)-5-сульфоэфир 2,4-диоксибензофенона 2.06-2,2 или смесь 1,2-нафтохинондиазид-(2)-5-сульфоэфир 2,4-диоксибензофенона 1,32-1,35, 1,2-наф- тозинондиазид-(2)-5-сульфоэфир метил ен- бис-(2,4-диоксибензофенона) 2,63-5,43; 1,2-нафтохинондиазид-(2)-5-с.ульфоэфир 2,21,4,41- тетраоксибензофенона 3.3-5,8 или смесь 1.2-нафтохинондиазид-(2)-5-суль- фоэфир 2,4-диоксибензофенона 3,3-5,4, 1,2-нафтохинондиазид-(2)-5-сульфот ир 2,2 4,4 -тетраоксибензофенона 3,3 - 5,8: крем- нийорганический блок-сополимер 0,015 0,0030: ксилол 3,4-7,0 МЦА - остальное или ксилол 3,4-7,0; диглим 7,0-7,1; МЦА - остальное, или ксилол 3,4-7,0, диглим 7,0 7 1 метоксипропанолацетат - остальное Термостойкость резиста повышается до 170- 210° С, улучшается микрошероховатость пленки, стабильность фоторезиста. 2 табл. со с