Способ получения светочувствительных структур на основе теллуридов кадмия и цинка Советский патент 1993 года по МПК H01L21/203 

Изобретение относится к области получения материалов для оптоэлектроники: мишеней передающих трубок, фоточувствительных элементов.

Целью изобретения является повышение величины тока фотоответа.

Поставленная цель достигается тем, что напыление слоя твердого раствора производят из испарителя, содержащего навеску твердого раствора (Z nojCdo,3Te)o,99 (1пгОз)о.01 массой 0,3-1,5 г, с линейно изменяемой в процессе напыления температурой от 450-500° С до 800-900° С при скорости изменения 0,2-1,0 град-/с.

Например, при нанесении слоя твердого раствора из испарителя с навеской

(Zno Cdo.3Te)o.99 (1п2Оз)оо1 массой в 1,5 г, нагреваемого от температуры 450° С до температуры 900° С со скоростью 0,5 град/с, была получена мишень с током фотоответа при облученности в 0,5 лк 0,45 мкА.

Нанесение слоев проводилось термическим напылением на установке типа ВУП-4 в вакууме . Нанесение слоя ZnSe проводилось при температуре испарителя 900° С.

Нанесение слоя твердого раствора проводилось из испарителя, температура которого в процессе напыления линейно возрастала. Линейный нагрев испарителя обеспечивался с помощью модифицированного терморегулятора. До достижения испаоо

N5 СЛ СО

СО

ригелем температуры 450°С поток к напыляемым структурам перекрывался специальной задвижкой. В испаритель закладывалась навеска твердого раствора (Zno.)o.99 (InaOskoi. Масса навески выбиралась такой, чтобы было все вещество израсходовано в процессе напыления. Заранее определенная масса навески позволяла несколько упростить технологию. Именно масса навески определяла толщину слоя твердого раствора, а возможность полностью распылять навеску позволяла одновременно с напылением готовить испаритель.к следующей загрузке (отпадала необходимость в отжиге испарителя перед загрузкой).

Все исходные материалы применялись в порошковом виде.

Изменяющаяся в процессе синтеза тем- пература испарителя, вследствие разного давления насыщенного пара компонентов твердого раствора CdTe и ZnTe, приводила к переменному по составу потоку в процессе синтеза, падающему на подложку. При относительно низких температурах испарителя падающий поток оказывался обогащенным теллуридом кадмия, а при высоких - теллуридом цинка. В результате на подложке (в рассматриваемом случае на стеклянной пластине с прозрачным электродом и слоем ZnSe) синтезировалась структура с определенной конфигурацией потенциаль

5

5

0 5

0

ного рельефа зон. Внутренне поле структуры способствует разделению зарядов, возникающих при облучении предлагаемой структуры светом со стороны стеклянной подложки. Повышенная эффективность разделения зарядов способствует повышению величины тока фотоответа.

Измерение тока фотоответа проводилось методом видикона.

Способ поясняется таблицей.

Формула изобретения

Способ получения светочувствительных структур на основе теллуридов кадмия и цинка, включающий последовательное напыление методом термического испарения слоев ZnSe толщиной 0.1-0,2 мкм и твердого раствора (Zni-xCdxTe)i-y (1п2Тез)у толщиной 1,0-5.0 мкм на стеклянную подложку с прозрачным электродом, нагретую до температуры 150-300° С, и отжиг структуры в вакууме при температуре 500-550° С в течение 5-20 мин, отличающийся тем. что. с целью повышения светочувствительности структур, напыление слоя твердого раствора проводят из испарителя, содержащего навеску твердого раствора (ZnojCdo.3Te)o.99 (1п2Тез)о.01 массой 0,3-1.5 г. с линейно изме- няемой в процессе напыления температу- рой от 450-500° С до 800-900° С при скорости изменения 0,2-1,0 град/с.

Использование: светочувствительные структуры могут быть использованы в качестве мишеней передающих телевизионных трубок. Сущность: методом термического испарения на стеклянную подложку, с прозрачным электродом, нагретую до температуры 150-300° С, напыляют слой ZnSe толщиной 0,1-0,2 мкм, проводят напыление слоя твердого раствора (Zno.Cdo,3Te)o,99