Состав для очистки поверхности диэлектрика Советский патент 1993 года по МПК C11D1/72 C11D1/72 C11D3/04 C11D3/75 

Изобретение относится к средствам для очистки поверхности диэлектрика (стекла, ситалла и поликора) и может быть использовано при производстве гибридных интегральных схем.

Цель изобретения - повышение качества очистки.

Поставленная цель достигается тем, что в известном составе для очистки поверхности диэлектрика, содержащем поверхностно-активноевещество, фосфорсодержащую добавку и воду, состав содержит в качестве поверхностно-активного вещества смесь полиоксиэтиленгликолевых эфиров синтетических первичных жирных спиртов фракций Cig-Cao и фракции Ci2-Ci4, в качестве фосфорсодержащей добавки он содержит гексаметафосфат или триполифосфат натрия и дополнительно состав содержит натриевое жидкое стекло при следующем соотношении компонентов, мас.%:

Полиоксиэтилен- глйколеаые зфиры синтетических первичных жирных спиртов фракции Cie-C20 (Синтанол АЦСЭ-12) Полиоксиэтилеи- гликолевые зфиры синтетических первичных жирных спиртов фракции Crz-Ci4 (Синтанол АЛМ-10)

Гексаметафосфзт или триполифосфат натрия

Натриевое жидкое стекло Вода

сл

с

0,15-0,65

0,15-0,65

0,45-0,65

0,55-1,50 Остальное

ю

Изобретение иллюстрируется следующими примерами.

Пример 1. В дистиллированной воде готовят раствор смеси Синтанола АЦСЭ-12, Синтанола АЛМ-10, гексаметафосфата натрия и натриевого жидкого стекла с концентрациями, мас.%: 0,15; 0,15; 0,45; 0,55 соответственно. Приготовленный раствор (обьем 2 л) заливают в реакционную камеру установки ПВХОТС-60-1 и нагревают до температуры 55°С. Установленные в кассету поликоровые подложки погружают в моющий раствор м обрабатывают в течение 12 мин с использованием вибрации.

После обработки в моющем составе подложки промывают в токе дистиллированной воды в течение 1,5-2 мин, проверяют на качество очистки поверхности по степе- жч смачивания водой без образования капель, сушат на центрифуге при скорости вращения ротора 3000 об/мин, и далее подложки поступают на вакуумное напыление структуры V-A, затем проводят фотолитографию и проверку на качество сварки и адгезии напыленного контактного слоя к подложке.

Аналогично была проведена очистка стеклянных и ситалловых подложек.

Показатели качества очистки стеклянных, ситалловых и поликоровых подложек приведены в таблице.

Пример 2. В дистиллированной воде готовят раствор смеем Синтанола АЦСЭ-12, Синтанола АЛМ-10, гексаметафосфата натрия и натриевого жидкого стекла с концентрациями, мас.%: 0,35; 0.35; 0,55; 1,00 соответственно. Приготовленный раствор (объем 2 л) заливают в реакционную камеру установки ПВХОТС-60-1 и нагревают до температуры 50°С.

Установленные в кассету поликоровые подложки погружают в моющий раствор и обрабатывают в течение 15 мин с использованием вибрации. Далее проводят операции по примеру 1.

Аналогично была проведена очистка стеклянных и ситалловых подложек.

Показатели качества очистки стеклянных, ситалловых и поликоровых подложек приведены в таблице.

Пример 3. В дистиллированной воде готовят раствор смеси Синтанола АЦСЭ-12, Синтанола АЛМ-10, гексаметафосфата натрия и натриевого жидкого стекла с концентрациями. мас.%: 0,65; 0,65; 0,65; 1,50 соответственно, Приготовленный растаор (объемом 2 л) заливают в реакционную камеру установки ПВХОТС-60-1 и нагревают до температуры 60°С. Установленные в кассету поликоровые подложки погружают в мо ющий раствор и обрабатывают в течение 10 мин с использованием вибрации. Далее проводят операции по примеру 1.

Аналогично была проведена очистка си- талловых и стеклянных подложек.

Показатели качества очистки стеклянных, ситалловых и поликоровых подложек приведены в таблице.

Было проделано еще 3 идентичных при- 0 мера, отличающиеся от предыдущих лишь тем, что вместо гексаметафосфата натрия использовали триполифосфат натрия.

Очистку подложек в составе по прототипу проводили также с использованием виб- 5 рации.

Предлагаемый состав обеспечивает высокую эффективность процесса очистки. Он полностью снимает с поверхности диэлектрика (стекла, ситзлла, поликора) органиче- 0 ские, минеральные и механические загрязнения, не вносит дополнительных загрязнений. Как видно из таблицы, состав обеспечивает полную смачиваемость водой очищенных пластин и высокую адгезию на- 5 несенных на них контактных слоев. Биологическая разлагаемость раствора составляет 90%. Выход годных подложек, отмытых в заявляемом составе, составляет 98-100%, в составе по прототипу - 25-85%. 0 Формула изобретения

Состав для очистки поверхности диэлектрика, содержащий поверхностно-активное вещество, фосфорсодержащую добавку и воду, отличающийся тем, что, с целью 5 повышения качества очистки, состав содержит в качестве поверхностно-активного вещества смесь полиоксиэтиленгликолевых эфирое синтетических первичных жирных спиртов фракции Cie-C20 и фракции Ci2-Ci4, 0 в качестве фосфорсодержащей добавки он содержит гексаметафосфат или триполифосфат натрия и дополнительно состав содержит натриевое жидкое стекло при следующем соотношении компонентов, 5 мас.%:

Полиоксиэтиленгликолевые эфиры

синтетических первичных жирных 0 спиртов фракции Cie-Czo0,150,65

Полиоксиэтиленгликолевые зфиры

синтетических первичных жирных 5 спиртов фракции Ci2-Ci40,15-0,65

Гексаметафосфат

или триполифосфат

натрия 0,450,65

Натриевое жидкое стекло0,55-1,50

ВодаДо 100

Алкиларилсульфокислота - 3

Алкиларилсульфонат натрия - 0,75 Хромат цинка - 0,75 Уротропин - 0,75 Глицерин - А,00 Вода - 77,75

Сущность изобретения: состав для очистки поверхности диэлектрика содержит полирксизтиленглкколевые эфиры синтетических первичных жирных спиртов фракции 0,15-0,65%, полиоксиэти- ленгликолевые эфиры синтетических первичных жирных спиртов фракции Ci2-Ci-$ 0,15-0,65%, гексзметафосфат или триполи- фосфаг натрия 0,45-0,65%. натриевое жидкое стекло 0,55-1,50% и воду до 100%. 1 табл.