Известные способы получения диэлектрических пленок, основанные на термическом испарении в вакууме висмут-титанатных соединепий и осаждении их на металлические, диэлектрические или полупроводниковые подложки, не позволяют получать пленки с малыми тангенсами угла диэлектрических потерь, что ведет к снижению удельной емко;.ти конденсаторов, в которых использованы данные пленки.
Для повышения удельной емкости конденсаторов с пленочным диэлектриком, изготовленным из висмут-титанатных соединений, и снижения тангенса угла диэлектрических потерь у материала пленки, предложено нснользовать в качестве висмут-титанатного соединення твердый раствор феррита висмута типа Pb(Zr:vTii.,)O3 y BiFeO3 i y. Его тонким слоем наносят на испаритель, изготовленный из тугоплавкого металла, нанесенный слой расплавляют и образовавпиееся защитное покрытие покрывают суспензией феррита висмута. Затем суспензию подвергают испарепию, не допуская при этом испарения ранее нанесенного защитного покрытия, и осажденная на подложку пленка доокисляется на воздухе при 300-400 0 в течение 0,5-2 час (температура и время зависят от толщины плеики).
спензия), наносят на коническую вольфрамовую спираль или на испаритель из тугоплавкого металла и плавят при давлении около мм рт. ст., повторяя операцию несколько
раз до образования сплошного защитного покрытия. Затем посредством термического испарения при давлении от до мм рт. ст. ноперхпостиого слоя, образованного свежей суспензией (пе допуская испарения
защитного нокрытия), получают плепки. Пленки могут быть получены при быстром (около 5 сек) или медленном (порядка 7 мин) испарении суспензии, в зависимости от требуемых диэлектрических свойств пленок и
их толщины.
Предмет изобретения
Способ получения диэлектрических пленок, основанный на термическом нспарении в вакууме висмут-титанатных соединений и осаждении их на металлические, диэлектрические и полупровод,ьиковые подложки, отличающийся тем, что, с целью повышения удельной емкости конденсаторов с пленочным диэлектриком, изготовлеиным из висмут-титанатных соединений, и снижения тангенса угла диэлектрических потерь у материала нленки, в качестве висмут-титанатного соединення ис3пользован твердый раствор феррита висмута типа РЬ (2гд: Til д) Оз у- BiFeOsli-у, который наносят тонким слоем на испаритель, изготовленный из тугоплавкого металла, расплавляют нанесенный слой, покрывают образовавше-5 еся на поверхности испарителя защитное по4крытие суспензией феррита внсмута, подвергают суспензию испарению, не допуская испарения ранее нанесенного защитного покрытия, и подвергают осажденную на подложку пленку доокислению па воздухе при температуре 300-400°С в течение 0,5-2 час.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Способ получения покрытия на подложке | 1990 |
|
SU1758678A1 |
ТОНКОПЛЕНОЧНЫЙ ВАРИКОНД | 2013 |
|
RU2550090C2 |
Способ изготовления тонкопленочного конденсатора электронной техники | 2022 |
|
RU2799811C1 |
Способ модификации поверхности фольги для электролитических конденсаторов | 2019 |
|
RU2716700C1 |
СВЧ ГИБРИДНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА И СПОСОБ ЕЕ ИЗГОТОВЛЕНИЯ | 2004 |
|
RU2287875C2 |
ПЛЕНОЧНЫЙ КОНДЕНСАТОР | 1993 |
|
RU2046429C1 |
Способ получения термостабильного бескислородного тонкопленочного диэлектрика | 1990 |
|
SU1742862A1 |
Технология создания магнитоуправляемого мемристора на основе нанотрубок диоксида титана | 2021 |
|
RU2756135C1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ | 1992 |
|
RU2046419C1 |
ЯЧЕЙКА ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ТОНКИХ ПЛЕНОК СЛОЖНЫХ ОКСИДОВ | 2005 |
|
RU2282203C1 |
1 -.
Даты
1967-01-01—Публикация