ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА Советский патент 1968 года по МПК H01L27/118 

Описание патента на изобретение SU208056A1

Известны интегральные схемы в виде размещенного в плоском корпусе базового (например, кремниевого) кристалла, снабженного изготовленными по способу планарной технологии компонентами, контактными площадками и схемой коммутации площадок. Однако массовое производство таких схем сопровождается большим процентом брака.

Описываемая интегральная схема отличается тем, что отдельные компоненты схемы имеют взаимократные размеры, контактные площадки расположены по яериферии кристалла, а центральная схема коммутации контактных площадок снабжена вспомогательными перемычками для получения требуемого варианта функциональной схемы из набора компонентов базового кристалла. Это позволяет увеличить ВЫХОД годных схем цри массовом изготовлении.

На чертеже изображен один из вариантов описываемой интегральной схемы.

Отдельные комцоненты схемы, например резисторы /-8, конденсаторы 9-12, диоды 13- 16 и транзисторы 17-20, имеют взаимократные размеры. Контактные площадки 21-53 и выводы 54-63 расположены по периферии кристалла (не показан на чертеже). После изготовления компонентов, контактных площадок и выводов в зависимости от качества компонентов выбирают одну из центральных схем

коммутации, например изображенную на чертеже, которую наносят на базовый кристалл. Если в процессе дальнейших измерений обнаружится, что транзистор 18 коротко замкнут, то, используя вспомогательные перемычки из тонкой проволоки (на чертеже не показаны), получают один из возможных вариантов функциональной схемы (например, триггер с раздельными входами, триггер со счетным выходом или ждущий мультивибратор).

Для получения триггера с раздельными входами соединяют перемычками площадки 29, 30 и 31 и вывод 57, площадки 32 и 33, площадку 26 и .вывод 59, площадку 46 или 47 с

площадкой 42 и выводом 61, площадку 24 с выводом 55, площадку 35 с выводом 58, площадки 25, 26 и 28 с выводом 56, площадки 37, 38, 39 и 40 с выводом 60 и площадки 21, 22, 23, 48, 49, 50, 51 и 52 с выводом 63. Вывод 57

используют для подачи питания, выводы 54 и 61 - для подключения входных цепей, выводы 55 и 58 - для подключения выходных цепей, а выводы 56, 60 и 62 заземляют. Изменяя положение перемычек, можно получить триггер со счетным входом или ждущий мультивибратор.

ИЛИ на три входа с эмиттерным повторителем, с инвертором и др. Изменив центральную схему коммутации, можно получить новый набор функциональных схем, из которых выбирают те, которые обеспечивают оптимальные результаты при данных параметрах компонентов базового кристалла.

Предмет изобретения

Интегральная схема, выполненная в виде размещенного в плоском корпусе базового, например кремниевого, кристалла, снабженного

изготовленными по способу планарной технологии компонентами, контактными площадками и схемой коммутации площадок, отличающаяся тем, что, с целью повыщения процента выхода годных схем при массовом их изготовлении, отдельные компоненты схемы имеют взаимократные размеры, контактные площадки расположены по периферии кристалла, а центральная схема коммутации контактных площадок снабжена вспомогательными перемычками, служащими для получения требуемого варианта функциональной схемы из набора компонентов базового кристалла.

Похожие патенты SU208056A1

название год авторы номер документа
АНАЛОГО-ЦИФРОВОЙ БАЗОВЫЙ МАТРИЧНЫЙ КРИСТАЛЛ 1992
  • Аленин Сергей Валерьевич
  • Демин Анатолий Анатольевич
  • Кочанов Сергей Константинович
  • Маркин Виктор Владимирович
  • Шаров Андрей Викторович
RU2045109C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ВЫСОКОЧАСТОТНОГО КРЕМНИЕВОГО ПЛАНАРНОГО ТРАНЗИСТОРА 1971
  • Г. А. Викин, Н. А. Королев, Н. А. Кравцова В. В. Малкова
SU316135A1
КОНТАКТИРУЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО 2012
  • Сасов Юрий Дмитриевич
  • Усачев Вадим Александрович
  • Голов Николай Александрович
  • Кудрявцева Наталья Валерьевна
RU2498449C1
Многокристальный модуль 2019
  • Итальянцев Александр Георгиевич
  • Макеев Виктор Владимирович
  • Худченко Вячеслав Николаевич
  • Шишанкина Ольга Николаевна
RU2702705C1
СПОСОБ ПРЕОБРАЗОВАНИЯ ИНФОРМАЦИИ ПРИ ПРОЕКТИРОВАНИИ И ТРАССИРОВКЕ БАЗОВЫХ МАТРИЧНЫХ КРИСТАЛЛОВ И БАЗОВЫЙ МАТЕРИЧНЫЙ КРИСТАЛЛ (ЕГО ВАРИАНТЫ) 1991
  • Демин Анатолий Анатольевич
  • Маркин Виктор Владимирович
  • Кузнецов Юрий Сергеевич
  • Шерстнева Вера Евгеньевна
RU2012099C1
СПОСОБ СБОРКИ ТРЕХМЕРНОГО ЭЛЕКТРОННОГО МОДУЛЯ 2012
  • Сасов Юрий Дмитриевич
  • Усачев Вадим Александрович
  • Голов Николай Александрович
  • Кудрявцева Наталья Валерьевна
RU2492549C1
ЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ ЭЛЕМЕНТ ИНТЕГРАЛЬНОГО ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ 1978
  • Ваганов В.И.
  • Носкин А.Б.
SU708891A1
БОЛЬШАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА 1990
  • Баринов Константин Иванович
  • Васильев Геннадий Федорович
  • Власов Владимир Евгеньевич
  • Горбунов Юрий Иванович
RU2068602C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ РАДИОЭЛЕКТРОННЫХ УЗЛОВ 2014
  • Штурмин Александр Александрович
RU2575641C2
СПОСОБ СБОРКИ ИНТЕГРАЛЬНОГО МИКРОУЗЛА 1972
  • Ф. Г. Старое, А. Л. Харинский, С. С. Кузнецов, А. М. Скворцов
  • Л. М. Норкин
SU327888A1

Иллюстрации к изобретению SU 208 056 A1

Реферат патента 1968 года ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА

Формула изобретения SU 208 056 A1

23 2 2S

1 г f f

-5J

SU 208 056 A1

Авторы

Н. В. Короткое, Л. М. Кузнецова, И. Г. Матвеева, Н. А. Вайно, М. Р. Блумберг, Э. Куусре, М. К. Осипова, Е. И. Гальперин

Д. А. Таубкин

Даты

1968-01-01Публикация