ДИОДНО-ТРАНЗИСТОРНАЯ СХЕМА Советский патент 1968 года по МПК H03K19/84 

Известны диодно-транзисторные логические схемы выполняющие функцию «И-НЕ».

Предложенная схема отличается тем, что между коллектором и базой инвертирующего транзистора включен дополнительный транзистор по схеме с общим эмиттером, база которого через диод соединена с коллектором инвертирующего транзистора, а коллектор через резистор - с базой транзистора инвертора. Это позволяет повысить помехоустойчивость и надежность работы схемы.

Предложенная схема приведена на чертеже. Она состоит из диодной схемы «И» в положительной логике на диодах 1, смещающего диода 2 и инвертора 3, состоящего из инвертирующего транзистора 4, дополнительного транзистора 5, который вместе с диодом 6 и резистором введен в цепь обратной связи инвертирующего транзистора 4. Входы диодной схемы «И» - 8, выход схемы - 9.

При наличии низкого уровня хотя бы на одном из входов схемы «И» 8 инвертирующий транзистор 4 закрыт, а транзистор обратной связи 5 открыт.

При совпадении высоких уровней на всех входах схемы «И» 8 инвертирующий транзистор 4 открыт, напряжение на выходе схемы - Е_к, транзистор обратной связи 5 закрыт, цепь резистора 7 разомкнута. При этом весь ток, протекающий через смещающий диод 2 попадает в базу транзистора 4 и таким образом устраняется шунтирующее действие резистора 7 в схеме инвертора без обратной связи. Кроме того, введение обратной связи в инвертирующий транзистор приводит к ограничению выходного напряжения схемы в закрытом состоянии и к повышению помехоустойчивости и нагрузочной способности схемы.

Предложенная схема инвертора с обратной связью может быть использована не только в диодно-транзисторных схемах, но и в других типах схем, например, транзисторно-транзисторных или резисторно-транзисторных.

Диодно-транзисторная схема, выполняющая функцию «И-НЕ», отличающаяся тем, что, с целью повышения помехоустойчивости и надежности ее работы, между коллектором и базой инвертирующего транзистора включен дополнительный транзистор по схеме с общим эмиттером, база которого через диод соединена с коллектором инвертирующего транзистора, а коллектор через резистор - с базой транзистора инвертора.