Известен метод измерения диэлектрических свойств (диэлектрической проницаемости, тангенса угла диэлектрических потерь) материалов, основанный на измерении комплексной емкости или полного сопротивления измерительного конденсатора с электродами, расположенными на поверхности контролируемого изделия. Однако влияние воздушного зазора, непостоянство контактов электродов конденсатора с поверхностью материала и т.п. приводят к погрешностям.
Предлагаемый способ позволяет проводить измерения при одностороннем доступе к исследуемому материалу. Сущность этого способа заключается в измерении составляющих полного сопротивления измерительного конденсатора с исследуемым диэлектриком при двух глубинах проникновения электрического поля в исследуемый материал и в последующем определении свойств материала по разности полных измеренных сопротивлений.
Предлагаемый способ поясняется чертежом.
Кривая 1 соответствует изменению емкостной составляющей полного сопротивления в зависимости от величины зазора d между электродами и поверхностью материала при большой глубине проникновения электрического поля. Кривой 2 представлена та же зависимость, но при малой глубине проникновения поля. Разность обоих замеров представлена кривой 3, которая свидетельствует о том, что в интервале зазоров от 0 до d0 разность замеров не зависит от величины зазоров, следовательно, их влияние не сказывается на результатах определения диэлектрических свойств.
Способ измерения диэлектрических свойств, основанный на изменении емкости конденсатора в зависимости от типа диэлектрика между его обкладками, отличающийся тем, что, с целью одностороннего доступа к исследуемому диэлектрику и повышения точности измерений, измерения производят при двух различных глубинах проникновения электрического поля в исследуемый материал и результат определяют по разности полных измеренных сопротивлений.
