УСТРОЙСТВО для НАПЫЛЕНИЯ Л1ИКРОСХЕМ Советский патент 1968 года по МПК C23C14/24 

Пзвестиы устройства для напыления мпкрос.хем, содержащие два вакуулшых колпака, один 13 которых расположен внутри другого, испарнге, напыляемого материала и держатели подложек микрос.хем.

В предлагаелк)л стройс1ве новыше)1ие качества микрос.хе.м достигается тем, что испаритель установлен в наружном колиаке, держатели подложек и .масок разл1еш,ены во внутреннем ко.тпаке, а опорная плпта BiiyTpciHiero колпака С1 абжена перекрызаемо.н скользяптен заслонкой диа(})рагмой, слу/кащей для прохода потока напыляемого материала из паружпого колпака во внутренний.

Па чертеже показано (лшсываемое хттройство.

Оно содержит два вакуу.миых колпака / и 2 (внутреипий п паружпьп |). Внутри ко.тпака / раз.мещены держатели .) п 4 соотвегетвенно подложек J п .масок 6, а также нагреватель 7 под.тожек о.

13 ()бьел1е наружного колпака 2 нахо.тятси пспар1ггель S narnji;uieMoro матерпа.та, iiaiipn.мер, карусе,1ьп()го Ti:na, п лекгроппая плнка 9.

Прп про 5еденп1 пред1 арптел1Л 011 откачк Ь прогрева, обеспечивающего обезгажпваппе ьнутреппего 1;олнака / HJIII помошп нагревателей 10, откачка пз объе.ма на пжног() колпака 2 производптся через трхбопровод //.

а пз объел а Biiyrpeiinero колпака / - через ()раг.му 12 в опорпс й плите 13 при открыто.м положснни скользяще/ заслонки 14. По окч нчанин o6e3ra/K :iai iiH осхщеетвляется откачка вакуумно спсте.мы через трубопровод 15 до достп ке;п1я треб емого давлеппя, лежаHiero в области сзерхвысокото вакуума. При ато:м скользящая заслонка 14 находится в закрытом положении, то есть объем внутреннего

колпака 1 пзолпрован от объема наружного и)лпака 2.

Далее нронзводнтея разогрев и обезгаживанпе испаряемого материала при закрытом положеппп скользящей заслонки 14. Пр этом

исиаряющшая поток не попадает в объем колпака / п па подложку 5. По окончанш ()безгаж 1ван11я матерпала скользящая заелопка 14 отходит, и поток 16 испаряемого матер11ала че)ез Д 1афра1му 12 проходит в объем

внхтреннего колпака / п осаждается на подложке 5. При iiTo.M ввиду малой пропускной си11собности диафраг.мы 12 выделяющийся пз материала поток газов откач:1вается вак умной С1 стемой пар Ж11ого кс лиака 2 через тр}бо111 овод // п не вызы1 аст повышения давле iи : i .ме Колпака /.

которых расположен внутри другого, испаритель напыляемого материала и держатели подложек микросхем, отличающееся тем, что, с целью повышения качества микросхем, испаритель установлен в нарул ном колнаке, держатели подложек и масок размещены во

внутреннем колпаке, а опорная плита этого колпака снабжена перекрываемой скользящей заслонкой диафрагмой, служащей для прохода потока напыляемого материала из наружного колпака во внутренний.

.r-rrirrxr4e:z:r:;:

.s:.

S-- f- -

fy „-ffS

:-, :-r-T

„„

MT, :x: cis:sS Ss: 3 -- .

МкМ

i И jr--r-:rT - ; /-7--r / / / / г / / J / / / n

i/ / Л 1JSl 1

---- H

i j