1
Изобретение относится к электронной технике, а именно к устройствам для нанесения покрытий в вакууме носредством термического испарения, и может найти .применение в технологии пленочных элементов электронных схем.
Известны испарители, содержащие тигель, разделенный перегородками из материала тигля на коаксиально расположенные секции, число которых равно числу испаряемых компонент, и нагреватели, расположенные в секциях тигля и служащие для поддержания заданной температуры испарения для каждой компоненты.
Однако известные испарители не обеспечивают стабилизацию конденсата пленок заданного состава.
Целью изобретения является обеспечение стабилизации конденсата пленок заданного состава.
Для этого поперечные сечения секций тигля выбраны в соответствии с требуемым соотношением парциальных давлений паров компонент.
На чертеже приведена схема конструкции испарителя.
Испаритель содержит вакуумную камеру 1, манипулятор 2 с подложками а кассетах 3, имеющий отверстие-4-тЦл$.арохода..паров конденсируемого на подложках материала, заслонку 5, испаритель 6 с тиглем, разделенным коаксиальной перегородкой на секции 7 и 8, нагревателем 9 и термопарой 10.
Устройство работает следующим образом.
В секции 7 и 8 испарителя 6 загружаются навески компонент испаряемых материалов, например в секцию 7 загружается л елезо, а в секцию 8 - никель. После откачки вакуумной камеры 1 испаритель 6 нагревается нагревателем 9 до заданной температуры, контролируемой термопарой 10. Открывается заслонка 5 и поочередным продвижением кассет 3 над отверстием 4 в манипуляторе 2 производится конденсация сплава на поверхности подложек.
Требуемое соотношение парциальных давлений паров компонент достигают за счет подбора соотношения площадей испарения (площадей горизонтального сечения секций тигля) и температуры испарения. При изменении температуры испарения соотношение парциальных давлений паров компонент . изменяется вследствие различия в зависимости от скоростей испарения компонент материалов от температуры.
Усредненное расстояние от разных участков площадей испарения каждой секции до поверхности подлол ек практически одинаково и, следовательно,-одинаково соотношение парциальных давлений паров компонент над разными участками поверхности подложек и одинаков состав конденсата по площади подложек.
При расположении испарителя б .под центром отверстия 4 в манипуляторе 2, усредненный УГОЛ .падения пучков паров компонент максимально приближен к нормали к поверхности лодложек. При этом «тени на краях элементов, конденсируемых через трафарет, минимальны. Минимальна также и анизотропия, возникающая в магнитных пленках вследствие косого угла падения пучков пара на поверхность подложек.
Предмет изобретения
Испаритель, содержащий тигель, разделенный .перегородками из .материала тигля на коаксиально расположенные секции, число которых равно числу испаряемых компонент, и нагреватели, служан;ие для поддержания заданной температуры испарения, отличающийся тем, что, с целью обеспечения стабилизации конденсата пленок заданного состава, по.перечные сечения секций тигля выбраны в соответствии с требуемым соотношением парциальных давлений паров компонент.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Испаритель для нанесения многокомпонентных пленок | 1975 |
|
SU544711A1 |
УСТРОЙСТВО ДЛЯ МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВОЙ ЭПИТАКСИИ | 1995 |
|
RU2111291C1 |
ИСПАРИТЕЛЬ | 1997 |
|
RU2121522C1 |
Способ получения тонких пленок тугоплавких, или среднеплавких металлов, или их соединений тепловой энергией самораспространяющегося высокотемпературного синтеза | 2021 |
|
RU2761594C1 |
СПОСОБ СБОРА РТУТИ В ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЙ КАМЕРЕ УСТАНОВКИ МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВОЙ ЭПИТАКСИИ И УСТАНОВКА ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ | 1993 |
|
RU2071985C1 |
СПОСОБ РАЗДЕЛЕНИЯ ЗОЛОТОСЕРЕБРЯНЫХ СПЛАВОВ ПУТЕМ ВАКУУМНОЙ ДИСТИЛЛЯЦИИ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО РЕАЛИЗАЦИИ | 2013 |
|
RU2609581C2 |
СПОСОБ РАЗДЕЛЕНИЯ ЗОЛОТОСЕРЕБРЯНЫХ СПЛАВОВ ПУТЕМ ВАКУУМНОЙ ДИСТИЛЛЯЦИИ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО РЕАЛИЗАЦИИ | 2013 |
|
RU2766489C2 |
Испаритель | 1979 |
|
SU910842A1 |
Динамический испаритель твердых растворов | 2016 |
|
RU2662914C2 |
Способ вакуумного ионно-плазменного осаждения тонкой пленки твердого электролита | 2021 |
|
RU2765563C1 |
Даты
1974-06-25—Публикация
1971-07-16—Подача