СПОСОБ СОЗДАНИЯ ИЗОЛЯЦИИ СОЕДИНЕНИЙ В ИНТЕГРАЛЬНЫХ СИСТЕМАХ Советский патент 1969 года по МПК H01L21/48 

Настоящее изобретение относится к микроэлектронике, может быть нрименено к производстве интегральных систем.

Известен способ создаиия изоляции соедииений в интегральных системах, состоящий в том, что поверх соединений наносят изоляцнонный слой, в котором при помощи фотолитографии и травления проделывают отверстия для выхода на контактные плои1,адки, затем поверх изоляционного слоя я вакууме наносят слой алюминия, на котором методом литографии и травления иолучают конфигурацию соединений второго слоя. При гравлении в изоляционном слое окон над контактными илощадками возникает ступенька, и для надежного соединения между интегральными схемами необходимо наиылить толстый слой алюминия. В качестве изоляционного слоя используют моноокись кремния, получаемую напылением в вакууме.

Получение пленки моноокиси кремния с высокими изоляционными свойствами сопряжено с большими технологическими трудностями, иричем иленка оказывается с большим количеством проколов.

Цель настоящего изобретения заключается в получении изоляционных слоев с улучшенными характеристиками и в упрои1,ении технологии их изготовления. Достигается она тем что используют пленку окиси алюминия

(ЛиОз), полученную электрохимическим анодированием иленки алюминия, причем нужные места с ироводящими областями от анодирования защищаются фоторезистом на основе 24%-ного нафтохинондиазида.

Предложенный сиособ заключается в следующем.

На кремниевую пластинку с готовыми интегральными схемами наиыляют в вакууме иленк алюминия. На этой пленке ири помоП1П фотолитографии выполняют конфигурацию соединений между интегральными схемами, причем иленка оголена от фоторезиста по конфигурации соединений, в то время как остальная часть защищена фоторезистом. Кремниевую пластину помещают в электролит.

Пленку алюминия анодируют в кислом электролите со свинцовыми электродами при постоянном напрял ении 60 в. Состав электролита:

Щавелевая кислота, г30

Лимонная кислота, г100

Дистиллированная вода, л1

После покрытия соединений пленкой фоторезист снимают, а затем наносят снова, но теперь он защищает контактные ,адки и внутрисхемные соединения в интегральных схемах. После этого алюминиевую пленку поокись алюминия, защищающую конфигурацию соединений интегральных схем. Состав травителя:

Хлорная медь, г24

Плавиковая кислота, л(л4,5

Дистиллированная вода, льг200

В результате травления получают первый слой межсхемных соединений интегральных схем, покрытых пленкой окиси алюминия. Снова напылив в вакууме слой алюминия, фотолитографией и травлением выполняют конфигурацию второго слоя соединений. Пленка окиси алюминия практически не дает ступеньки, что позволяет многократно чередовать слои с конфигурациями межсхемных соединений с изолирующими. При толщине пленки

Г

-у:

0,4 мк, удельная емкость пересечений 5000 пф/см, пробойное напряжение 40-50 в.

Предмет изобретения

Способ создания изоляции соединений в интегральных системах, включающий напыление в вакууме алюминия и фотогравировку, отличающийся тем, что, с целью улучшения характеристик изоляции соединений в интегральных системах и упрощения технологии их изготовления, проводят электрохимическое анодирование конфигурации межсхемных соединений пленки алюминия, напыленной в вакууме, затем защищают фоторезистом контактные площадки и внутрисхемные соединения и травят в травителе, не стравливающем пленку окиси алюминия.