Известен магнитный накопитель, содержащий блок интегральных разрядных матриц памяти, заключенный в набор чередующихся контактных и промежуточных рамок.
Предложенный магнитный накопитель отличается от известных тем, что рамки расположены в плоскости, перпендикулярной плоскости набора разрядных матриц памяти в блоке, причем разрядные обмотки каждой матрицы памяти выведены на противоположные грани контактных рамок. Нечетные числовые обмотки выведены на третью грань, четные числовые обмотки - на четвертую, а начала и концы каждой числовой обмотки выведены на общую грань соседних контактных рамок и расположены друг под другом.
Это отличие позволяет повысить надежность и упростить коммутан ию при наращивании емкости накопителя.
На фиг. 1 и 2 представлена конструкция магнитного накопителя.
Магнитный накопитель представляет собой блок разрядных многоотверстных интегральных матриц памяти /, прощитых числовыми обмотками 2. Начала 3 и концы 4 числовых обмоток выведены на одну из двух сторон блока матриц и расположены строго одни под другими.
внешней коммутации матрицы памяти в блоке располагаются последовательно повернутыми одна относительно другой на 180°. Это увеличивает шаг между выводами разрядных обмоток 5 и обеспечивает возможность их расположения на двух взаимно противоположных гранях. Начала 6 разрядных обмоток выведены на одну грань блока матриц, концы 7 - на другую.
Блок матриц ограничен со всех сторон предохранительными платами 8 и замыкается контактными рамками 9 и промежуточной рамкой 10.
Промежуточные 10 и контактные 9 рамки охватывают весь накопитель и их плоскости перпендикулярны плоскости матриц памяти. Промежуточная рамка играет роль крепления блока матриц памяти и изолирует контактные рамки друг от друга. Магнитный накопитель залит герметизирующим компаундом и закрыт крышками }}.
Предмет изобретения
Магнитный накопитель, содержащий блок интегральных разрядных матриц памяти, заключенный в набор чередующихся контактных и промежуточных рамок, отличающийся тем, что, с целью повыщения надежности Н
упрощения коммутации при наращивании емкости, рамки расположены в плоскости, перпендикулярной плоскости набора разрядных матриц памяти в блоке, причем разрядные обмотки каждой матрицы памяти выведены на противоположные грани контактных рамок,
нечетные числовые обмотки выведены на третью грань, четные числовые обмотки на четвертую, а начала и концы каждой числовой обмотки выведены на общую грань соседних контактных рамок и расположены друг под другом.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
БИБЛИОТЕКА I | 1970 |
|
SU267698A1 |
Запоминающее устройство с непосред-СТВЕННОй ВыбОРКОй | 1967 |
|
SU813505A1 |
НАКОПИТЕЛЬ НА ЧИСЛОВЫХ ФЕРРИТОВЫХ ПЛАСТИНАХ | 1970 |
|
SU269213A1 |
Способ изготовления накопителей для запоминающих устройств на цилиндрических магнитных пленках | 1980 |
|
SU862235A1 |
Накопитель для оперативного запоминающего устройства | 1976 |
|
SU624288A1 |
СТАНОК ДЛЯ ПЛЕТЕНИЯ ОБМОТОК МАТРИЦ НАКОПИТЕЛЯ НА ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ МАГНИТНЫХ ПЛЕНКАХ | 1973 |
|
SU395911A1 |
15СЕСОЮЗНАЯ | 1973 |
|
SU381100A1 |
Способ изготовления запоминающих матриц на цилиндрических магнитных пленках | 1983 |
|
SU1095235A1 |
Магнитотелевизионный дефектоскоп | 1987 |
|
SU1612249A1 |
Способ изготовления запоминающих матриц на цилиндрических магнитных пленках | 1983 |
|
SU1092565A1 |
/ 8
fPuZ.I
Даты
1969-01-01—Публикация