Устройство для выращивания монокристаллов тугоплавких окислов по методу Вернейля Советский патент 1985 года по МПК C30B11/10 B01J29/16 

эо

Од 00 1 Изобретение относится к области производства монокристаллов и предназначено для использования в установках для выращивания монокристаллов тугоплавких окислов, например рубинов, по методу Вернейля. Известно устройство для выращивания монокристаллов тугоплавких окислов по методу Вернейля, состоящее из питателя порошка, основной горелки, дополнительной горелки, ра положенной аксиально вокруг основной, печи и вытягивающего устройства. Предложенное устройство отличает ся от известного тем, что основная и дополнительная горелки расположен так, что их факелы направлены в рабочее пространство печи. Это позволяет уменьшить градиент температур в осевом и радиальном направлениях монокристалла. На чертеже изображено предложенное устройство. Оно содержит питатель 1 порошка с вводом 2 кислорода и основную горелку, состоящую из центральной трубки 3 с соплом 4,. трубы 5 с соплом .6 и вводом 7 кислорода, трубы 8 с соплом 9 и вводом 10 водорода. Уст ройство также включает дополнительную горелку, состоящую из трубы 11 с соплом 12 и вводом 13 газообраз7ного топлива, печь, состоящую из корундового цилиндрического стакана 14, шамотной изоляции 15, легковесной теплоизоляции 16, металлического кожуха 17 и смотрового окна 18, и вытягивающее устройство 19. Порошок исходного продукта из питателя вместе с порошком и частью кислорода, подводимого через ввод 2, через центральную трубку 3 и сопло 4 поступает в зону сопла 9, Одновременно другая часть кислорода через ввод 7, трубу 5 и сопло 6 поступает в пространство сопла 9, где смешивается с водородом, вводимым через ввод 10 и трубу 8. . В результате горения водорода в кислороде образуется основной факел, который направлен на торец растущего кристалла. Для уменьшения тепловых потерь от кристалла как в осевом, так и.в радиальном направлениях образуют тепловой экран в виде дополнительного факела, получающийся в результате снижения газообразного топлива, вводимого через ввод 13 и сопло 12. При выращивании монокристалла вытягивающее устройство перемещает кристалл Со скоростью, равной скорости образования новых слоев, так, чтобы растущая поверхность находилась на одном и том же уровне смотрового окна.

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯМОНОКРИСТАЛЛОВ ТУГОПЛАВКИХ ОКИСЛОВПО МЕТОДУ ВЕРНЕЙЛЯ, состоящее Изпитателя порошка-, горелки основной,горелки дополнительной, расположенной аксиально вокруг основной, печи и вытягивающего устройства, отличающееся тем, что, с целью достижения уменьшения градиента температур в осевом и радиальном направлениях монокристалла, основная и дополнительная горелки установлены так, что их факелы направлены В рабочее пространство печи.