ПИТАТЕЛЬ СЫПУЧИХ МАТЕРИАЛОВ Советский патент 1974 года по МПК C30B11/10 

1

Изобретение относится к питателю сьшучих материалов, который может .найтл применение в технике йыращивалия монокристаллов по методу Вернейля, главлым образом рубинов с лейкосапф.ировы1ми лаконечника.ми для оптических квантовых генераторов.

Известен П1итатель сыпучего материала, состоящий из сепаратора, в «ижней части которого закреплена пористая перегородка. Под перегородкой расположен газораспределительный коллектор с вертикальной питательной трубкой, проходящей по оси сепаратора. Такой олтатель не позволяет выращивать монокристаллы переменного состава.

Цель .изобретения - получение кристаллов переменного состава.

Для этого предлагаемый сепаратор разделен на вертикальные камеры, а трубка выполнена с боковыми отверстиями, соединяющими ее с .камерами.

Кроме того, камеры сепаратора в верхней части могут быть выподнены с наружным боковым срезом и соединены между собой трубоп.рО)Водами.

На чертеже цредставлена схема питателя. О.Н состоит .из сепа.раЦионных камер 1 и

2,гсоеднненных между собой трубопроводом

3.В нижней части каждой камеры закреплены пористые перегородки 4 п 5, под которыми расположен газораспределительный коллектор 6 с двухходовым краном 7. Сепарациолные камеры соединены с вертикальной питательной трубкой 8 через наклонные отверстия 9 в ее боковой поверхности.

Питатель работает следующим образом. В сепарационные камеры У и 2 подают щ.ихту разного состава. При .переключении крана 7 в положение I кислород поступает под пористую перегородку 5. При этом шихта в камере 2 переходит в псевдоол нженное состояние. Унесенные ча.стицы поступают в питательную трубу 8 через наклонные отверстия 9, а затем - в горелку кристаллизационного аппарата (на чертеже показано условно). 5 После переключения двухходового крана 7 в положение П к ислород поступает под перегородку 4 сепарационной камеры 1.

Вынос сырья из камеры 2 прекращается, а в камере 1 шихта переходит в псевдоожи0женное состояние. Далее процесс повторяется. В горелку кристаллизационного аппарата поступает сырье иного состава. Предложенное устройство поз.воляет автоматизировать процесс выращивания кристаллов переменного

25 состава и значительно повысить их качество.

Предмет изобретения

1. Питатель сыпучих материалов для вы30 ращивааия кристаллов по методу Вернейля,

включающий сепаратор с пористой перегородкой, расположенный под ней газораспределительпый коллектор и вертикальную питательную трубку, отличающийся тем, что, с целью выращивания кристаллов перемеиного состава, сепаратор разделен на вертикальные

камеры, а трубка выполнена с боковыми отверстия ми, соединяющими ее с камерам.и.

2. Питатель по п. 1, отличающийся тем, что камеры сепаратора в верхней части выполнены с наружными бо.ковыми срезами и соединены между собой трубопроводами.