МАТРИЦА ПАМЯТИ Советский патент 1969 года по МПК G11C11/08 

Изобретение относится к магнитным запоминающим устройствам.

Известны матрицы памяти на многоотверстных ферритОВых пластинах.

Однако быстродействие, надежность и плотность упаковки |В таких матрицах ограничены, что обусловлено взаимным магнитным влиянием расположенных рядом ячеек памяти (.при увеличении токов одного отверстия происходит нежелательное воздействие на слой, окружающий соседние отверстия).

Цель изобретения - увеличение плотности ячеек и уменьшение разброса параметров.

О1писываемая матрица ламяти отличается тем, что она выполнена в виде двух ферритовых пластин, разделенных изоляционной подложкой, причем ячейки памяти отделены одна от другой бороздками, проходящими вдоль и тюперек пластины и доходящими до изоляционной подложки.

На чертеже :предста влена конструкция предлагаемой Матрицы.

К изоляционной подложке 1 приклеены ферритовые пластины 2. В пластинах ультразвуKOiM просверлены отверстия 3. Пластины разделены бороздками 4, доходящими до подложки, доведены шлифованием до требуемой толщ.ины и на них нанесена печатная обмотка 5. Взаимодействие ячеек устраняется разделением ферритовой пластины бороздками, а разброс - дублированием ячеек. Ячейка памяти в данном случае представлена четырьмя отверстиями- по два с каждой стороны изоляционной пластины. При проверке в случае необходимости МОЖНО вырезать ячейку с плохими электрическими параметрами и заменить ее новой.

Пред мет изобретения

Матрица памяти на магнитных элементах, отличающаяся тем, что, с целью увеличения плотности ячеек и уменьшения разброса параметров, опа (Выполнена в виде двух ферритовых пластин, разделенных изоляционной подложкой, причем ячейки памяти отделены одна от другой бороздками, проходящими вдоль и поперек пластины и доходящими до изоляпионной подложки.