УНИВЕРСАЛЬНЫЙ ДИНАЛ1ИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ Советский патент 1969 года по МПК H03K19/08 

Предложенный универсальный динамический элемент относится к элементам вычислительной техники и предназначен для использования в цифровых вычислительных машинах и устройствах.

Известны универсальные динамические элементы, реализующие функцию «И-ИЛИ / «PI-ИЛИ-НЕ н состоящие из входных диодных схем «И-ИЛИ, цепей регенеративного расширения и инвертирующих транзисторов с цепями форсированного закрывания.

Однако наличие в таких схемах конденсаторов и трансформаторов затрудняет, а в ряде случаев делает невозможным изготовление их по технологии интегральных схем.

Предложенный динамический элемент отличается тем, что В нем коллектор первого транзистора соединен непосредственно с базой второго, в схему включен дополнительный транзистор, входная, диодная схема «И- ИЛИ которого подключена ко входу элемента, а диод цепи регенеративного расширения - к коллектору .второго транзистора.

Это позволяет исключить из схемы конденсаторы, повысить быстродействие и облегчить интегральное исполнение элемента.

Элемент состоит из входных диодных схем «И-ИЛИ на диодах 1, 2 и резисторах 3, подключенных ко входу 4 первого источника тактовых импульсов fMi, и транзисторов 5 и 5. К коллектору транзистора 6 присоединены диоды 7 н 8 цепей регенеративного расширения, содержащих также диоды 9 и резисторы 10, подключеппые ко входу // второго источника тактовых импульсов Г HZ. Цепи регенеративного расширения через диоды 12 присоединены к базам транзистора 5 и дополнительного транзистора 13. Ко входу 14 третьего источника тактовых имиульсов ГИ- и к базам транзисторов 5 и 13 присоединены цепи форсированного закрывания, состоящие из диодов 15 и резисторов 16. Входные диодные схемы «И-ИЛИ основного элемента и транзистора 13 подключены ко входам 17 и 18 элемента.

Тактовые импульсы (см. фиг. 2) имеют симметричную .прямоугольную форму. Импульсы питания соседних элементов сдвинуты относительно друг друга на полпериода, т. е. импульсы ГИ и ГИ-2 и соседних элементов меняются

местами.

При наличии на входах 17 и 18 принятого за «1 высокого уровня потенциала диоды 1 закрыты, и ток от ГИ течет во время действия положительного импульса через резисто