Изобретение относится к электронной промышленности и может быть применено на предприятиях и в организациях, разрабатывающих и выпускающих источники когерентного и некогерентного излучения «а основе интерметаллических и других соединений.
Известен способ получения полупроводникового прибора созданием плоского р-«-перехода диффузией лримеси в пластину полупроводникового материала с последующей металлизацией.
Этот способ заключается в следующем.
Пластину из полупроводникового материала шлифуют до нужной толщины, а одну сторону ее полируют. Тщательно подготавливают кварцевую ампулу, в которую ломещают полупроводниковую пластинку и диффузант. Для сохранения стехиометрии добавляют один из летучих компонентов материала (мышьяк в случае арсенида галлия). Амлулу откачивают до давления порядка Ш мм рт. ст., запаивают, помещают в специальную печь и приводят диффузию из тазовой фазы. Так как диффузия проходит в пластинке одинаково со всех сторон, то одна из ее сторон обязательно сошлифавывается, что влечет за собой дополнительный расход дорогостоящего материала. Пластину с р-п-переходом помещают в напылительную установку, на р- и л-области напыляют и вжигают соответствующие контакты.
Известный способ требует применения большого количества сложных установок, значительной затраты времени и привлечения ряда квалифицированных специалистов. Кроме того, изготовление диодов этим способом сопровождается дополнительными расходами вспомогательных и основных материалов (кварц, полупроводниковые материалы и др.).
Предлагаемый способ позволяет значительно сократить время, число операций, колмчество сложных технологических установок, обслуживающий персонал и дорогостоящие материалы. Он отличается от известного тем, что, с целью одновременного создания р-я-перехода и металлизации, на одну из сторон пластины напыляют диффузант, а на противоположную сторону - материал контакта с последующим покрытием пластины с обеих сторон пленкой двуокиси кремния.
На одну из подготовленных известным способом сторон полупроводниковой пластины напыляется диффузант. Затем пластинку покрывают тонким слоем двуокиси кремния (химический способ, напыление, силаиирование). После этого проводится диффузия.
В качестве примера можно рассмотреть получение р-п-перехода и одновременно металлизации пластинки арсенида галлия п-типа с
На полированную сторону ориентированной пластинки из арсенида галлия напыляется в качестве диффззанта цинк, на противоноложную сторону - индий. После этого пластинка помещается в установку для силанирования и покрывается пленкой Si02 из газовой фазы в потоке инертного газа. Затем прО:Водится диффузия. Причем, в отличие от известного способа (диффузия из газовой фазы в кварцевой ампуле), в данном случае технологические условия при проведении диффузии чище, так как кварцевая пленка, полученная в результате силанирования, химически более чистая, чем кварцевое стекло, из которого изготовляется ампула.
После проведения диффузии пластинка извлекается из установки. В плавиковой кислоте растворяется пленка Si02 и пластинка готова для изготовления диодов, причем с одной стороны она имеет металлизованный слой, образаванный оставшемся на поверхности цинком, а с другой - иадием. Полученные металлизованные поверхности лластинки легко поддаются лужению обычным паяльником.
Так как -пластинка и диффузант окружены оболочкой из SiO2, то стехиометрия основного
полупроводникового материала не иарущаетбЯ) а это исключает необходимость применения навесок мышьяка. Полученный р-га-переход ;не уступает по качеству известным и обладает характерной вольт-а.мперной характеристикой.
Из.мен я я режим диффузии, температуру и время, можно легко изменять ширину р-/г-перехода И глубину его залегания.
Так, полученные предлагаемым способом /у-«-переходы в зависимости от режимов диффузии .находились на глубине от 2 до 50 мк. Ширима р-л-перехода, определенная тю его емкости, лежала iB пределах 0,05- 0,7 мк.
Предмет изобретения
Способ получения полупроводникового прибора путем создания р-«-перехода диффузией п.римеси в пластину полупроводникового материала и металлизации, отличающийся тем, что, с целью одновременного создания р-«перехода и металлизации, на одну из сторон пластины напыляют диффузант, а на противоположщую сторону - материал контакта, с последующим покрытием пластины с обеих сторон пленкой двуокиси кремиия.
